華虹半導體有限公司宣布，其高性能90納米BCD工藝平臺在華虹無錫12英寸生產線順利實現產品投片。該工藝可極大提高電源效率、顯著縮減芯片面積，將在數字電源、數字電機驅動、數字音頻功放等芯片領域獲得廣泛應用。

      緊貼電源管理技術高集成度和智能化的發展趨勢，華虹半導體最新推出了90納米BCD工藝平臺，其LDMOS涵蓋5V至24V電壓段，其中Switch LDMOS具有耐高擊穿電壓下的較低導通電阻，達到業界先進水平。為了滿足高集成度發展趨勢，該工藝平臺亦提供1.5V CMOS選項，具有更高的邏輯門密度，可有效縮減芯片面積。結合較少的生產掩模數，能為客戶提供性價比更優的芯片代工方案。同時，該平臺可提供多種器件集成，并配套豐富的數字單元庫和OTP及MTP嵌入式存儲器選項，增強了設計的集成度和靈活度。在該平臺上，華虹半導體還將繼續投入研發資源，提供更豐富的器件類型，并將LDMOS擴展至40V及以上電壓段，覆蓋更廣泛的應用需求。

      此外，華虹半導體持續8英寸生產線的研發創新，優化升級現有滿足車規要求的180納米BCD技術，在相同的擊穿電壓下，導通電阻平均降低約25%，技術性能顯著提升，達到業界先進水平。公司將進一步將180納米BCD技術中的LDMOS的最高電壓由40V擴展至100V，并提供更多電壓段的設計選項，滿足工業控制及汽車電子領域需求。同時，集成嵌入式閃存模塊的110納米BCD工藝平臺，可達到車規級應用要求，實現了高智能化控制與電源管理集成的單芯片解決方案。