9月10日消息，應用材料宣布，該公司推出新的200亳米（8吋）化學機械研磨(CMP)系統，可精確移除晶圓上的碳化硅（SiC）材料，最大化芯片效能、可靠性和產能；且透過這項新的碳化硅芯片「熱植入」技術，可在對晶格結構破壞最小的情況下注入離子，進而最大化發電量和組件產能。

應用材料指出，公司推出這項新產品，將協助全球領先的SiC芯片制造商，從150毫米（6吋）晶圓制造升級為200毫米（8吋）制造，增加每片晶圓裸晶 (die) 約一倍的產量，滿足全球對優質電動車動力系統日益增加的需求。

應用材料強調，由于SiC功率半導體可以高效地將電池功率轉化為扭力，并提高電動車的性能和續航能力，因此市場需求極高。

應用材料進一步指出，和硅比較，SiC本身較為堅硬，其原生缺陷可能會導致電氣性能、功率效率、可靠性和產能下降，所以，需要更先進的材料工程技術來優化裸晶圓的生產，并建構對晶格損害最小的電路。

全球最大SiC基板制造廠科銳 (Cree) 公司總裁暨執行長Gregg Lowe指出，交通產業電動化不斷上升的，公司也正透過Wolfspeed技術，引領全球從硅轉換到碳化硅，加速推動此一歷史轉折點。在更大型的8吋晶圓上提供最高效能的碳化硅功率組件后，公司不僅能提高終端客戶的價值，還能滿足不斷成長的需求。

Lowe補充說，應用材料支援并加快 Albany 8吋的制程檢定，以及公司Mohawk Valley晶圓廠的多項設備安裝，加速了這項轉型。此外，應用材料ICAPS團隊所開發的各種新技術，如熱植入 (hot implant) 等，也擴大加深了彼此的技術合作，同時協助科銳在功率技術上的發展。