眾所周知,在芯片制造中,有一種設(shè)備特別重要,那就是光刻機(jī),這臺(tái)設(shè)備占所有制造設(shè)備成本的20%以上,而在制造過程中,光刻工藝所需時(shí)間占所有工藝的30%以上。

光刻機(jī)又分為DUV光刻機(jī)和EUV光刻機(jī),DUV光刻機(jī)一般用于10nm及以上制造的芯片,EUV光刻機(jī),則用于7nm及以下的芯片。

目前全球最牛的光刻機(jī)巨頭是ASML,EUV光刻機(jī)也只有ASML能夠生產(chǎn),所以如果想生產(chǎn)7nm及以下的芯片,就必須買到ASML的EUV光刻機(jī),但目前中國(guó)大陸的企業(yè)買不到它。

像梁孟松去年就提到,中芯國(guó)際的7nm已開發(fā)完成,只等EUV光刻機(jī)的到來,就可以進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)階段,意思就是沒有EUV光刻機(jī),就進(jìn)入不了風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)階段。

也正因?yàn)槿绱?所以很多人就一直在說,如果國(guó)內(nèi)能夠生產(chǎn)EUV光刻機(jī)就好了,那么進(jìn)入7nm,甚至5nm,3nm就不是問題了。

但事實(shí)上,有了EUV光刻機(jī),我們就一定能夠進(jìn)入7nm、5nm、3nm么?真沒這么容易,光刻機(jī)只是必要條件之一,但卻不是充分條件,這個(gè)大家不要搞反了。

如上圖,在芯片制造中,從成本來看,4種設(shè)備占比最高,分別是光刻、刻蝕、薄膜沉積和過程檢測(cè),大約占所有設(shè)備成本的74%左右,其中光刻占比約為21%、薄膜沉積類約為22%、刻蝕為20%、過程檢測(cè)約為11%。

但這4類設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化率是多少?光刻機(jī)低于1%,過程檢測(cè)設(shè)備大約在2%,而刻蝕類大約在7%,薄膜沉積類大約在8%。

而除了芯片制造設(shè)備之外,還有很多材料,也得依賴進(jìn)口,目前國(guó)產(chǎn)的最多也就在14nm左右,有些甚至100%靠進(jìn)口,比如EUV光刻膠,100%要從日本進(jìn)口。

而除了設(shè)備、材料外,還有芯片制造的技術(shù)。并不是有了設(shè)備、材料,光刻機(jī)這些就一定能夠進(jìn)入到7nm、5nm的,要真這么容易,格芯、聯(lián)電這些早就進(jìn)入了7nm、5nm了,他們可是什么都不缺,也不會(huì)被卡脖子的,EUV光刻機(jī)有,各種材料也有。

可見,EUV光刻機(jī)是解決不了我們的“心慌”問題的,在芯片領(lǐng)域,我們要補(bǔ)的課其實(shí)還有很多,芯片制造水平的高低,最終取決于最短那塊短板,而我們的短板不只是EUV光刻機(jī)這一塊,而是很多快,真要解決心慌,需要產(chǎn)業(yè)鏈的整體合作前進(jìn)。