近日，英飛凌科技股份有限公司推出 650 V CoolSiC Hybrid IGBT 單管產品組合，具有650 V阻斷電壓。新款CoolSiC Hybrid產品系列結合了650 V TRENCHSTOP? 5 IGBT技術和碳化硅肖特基二極管的主要優點，具備出色的開關速度和更低的開關損耗，特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。其常見應用包括：電動車輛充電設施、儲能系統、光伏逆變器、不間斷電源系統 (UPS)，以及服務器和電信用開關電源 (SMPS)。

 

由于續流SiC肖特基二極管與 IGBT 在共同封裝中，在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變情況下，CoolSiC Hybrid IGBT能大幅降低開關損耗。與標準的硅二極管解決方案相比，新產品可降低多達 60% 的 Eon 和30%的Eoff。或者，也可在輸出功率保持不變情況下，提高開關頻率至少40%。較高的開關頻率有助于縮小無源元件的尺寸，進而降低物料清單成本。該Hybrid IGBT可直接替代TRENCHSTOP5 IGBT，無需重新設計，便能使每10 kHz開關頻率提升0.1%的效率。

此產品系列可作為純硅解決方案和高性能SiC MOSFET設計之間的另一種選擇，與純硅設計相比，Hybrid IGBT可提升電磁相容性和系統可靠性。由于SiC肖特基二極管能快速換流，而不會有嚴重的振蕩和寄生導通的風險。此系列提供TO-247-3或TO-247-4引腳的Kelvin Emitter封裝供客戶選擇。Kelvin Emitter封裝的第四管腳可實現超低電感的柵極驅動控制回路，并降低總開關損耗。 

目前，深圳科士達科技股份有限公司已成功導入650 V CoolSiC? Hybrid IGBT單管在其UPS與組串式光伏逆變器的新平臺設計中，從而提升系統效率，優化系統性能。

深圳科士達科技股份有限公司董事長劉程宇就此表示：“科士達將與英飛凌有長年戰略合作歷程，持續在不間斷電源與太陽能領域提供高可靠性的前沿科技產品，我們將在未來繼續合作，在縱深的基礎上開展更廣泛的合作發展。”

英飛凌科技副總裁、工業功率控制事業部大中華區負責人于代輝表示：“我們的創新來自于技術進步和客戶的需求。把Hybrid IGBT技術從模塊導入到單管，以滿足客戶對高能效系統的追求，滿足系統設計的靈活性，從而提高客戶的競爭能力。”

供貨情況

CoolSiC Hybrid分立式IGBT系列延續先前所推出采用IGBT和CoolSiC肖特基二極管的CoolSiC Hybrid IGBT EasyPACK? 1B和2B模塊的成功經驗。此分立式產品組合即日起接受訂購。系列包含與半額定CoolSiC第6代二極管共同封裝的40A、50A 和 75A 650 V TRENCHSTOP 5超高速H5 IGBT，或與全額定CoolSiC第6代二極管共同封裝的中等速度S5 IGBT。