航天級可編程邏輯器件（FPGA）需要包含其引導配置的可靠的高容量非易失性存儲器。為滿足對高可靠性存儲器日益增長的需求，英飛凌科技股份公司旗下的Infineon Technologies LLC近日宣布推出業界首款高容量抗輻射（RadTol）NOR閃存產品，該產品通過了MIL-PRF-38535 QML-V流程認證。QML-V流程是航天級IC的最高質量和可靠性標準認證。

英飛凌的256 Mb和512 Mb RadTol NOR Flash非易失性存儲器可帶來出色的低引腳數單芯片解決方案，適用于FPGA配置、圖像存儲、微控制器數據和引導代碼存儲等應用場合。在更高時鐘速率下使用時，器件支持的數據傳輸可媲美或超越傳統的并行異步NOR閃存，同時顯著減少引腳數。這款器件的抗輻射性能高達30krad（Si）偏置和125krad（Si）無偏置。在125°C時，這款器件耐久性達到1000次編程/擦除周期，數據保留期限為30年，在85°C時可達到1萬次編程/擦除周期，數據保留期限為250年。

作為航天級存儲器產品的領導者，英飛凌利用65 nm浮柵閃存工藝技術開發出RadTol 256 Mb Quad SPI（QSPI）和512 Mb Dual Quad SPI NOR Flash。二者都具有133 MHz SDR接口速度。512 Mb器件包括兩個獨立的256 Mb裸片，它們采用單個封裝解決方案并排裝配。這樣，設計人員可以靈活地在任一裸片上以雙QSPI或單QSPI模式獨立運行器件，從而為其提供使用第二個裸片作為備份解決方案的選項。英飛凌正與賽靈思等領先的FPGA生態系統公司就航天級應用展開密切合作。

Infineon Technologies LLC航空航天與國防業務副總裁Helmut Puchner表示：“我們的抗輻射雙QSPI非易失性存儲器獲得最新航天級FPGA的全面支持。它們可以帶來出色的低引腳數單芯片解決方案來配置處理器和FPGA。譬如，Xilinx Kintex? UltraScale? XQRKU060的整個圖像可以在Dual Quad模式下在大約 0.2 秒內加載。”

供貨情況

RadTol NOR閃存器件采用24x12 mm2 36引腳陶瓷扁平封裝,可通過FPGA或通過獨立編程器進行編程。這款器件支持-55°C至125°C的溫度等級，SEU率< 1 x 10-16次翻轉/位-天，SEL > 60 MeV.cm2/mg（85°C），SEFI > 60 MeV.cm2/mg（LET），SEU閾值> 28 Mev.cm2/mg（LET）。