7月1日消息，據報道，三星宣布，3nm制程技術已經正式流片。據介紹，三星的3nm制程采用的是GAA架構，性能優于臺積電的3nm FinFET架構。

       此次流片是由Synopsys和三星代工廠合作完成的。此前，三星曾在2020年完成3nm工藝的開發，但開發成功并不意味著，不過那并不意味著三星的產品最終進入量產的時間可以確定。伴隨著此次成功流片，三星3nm芯片大規模量產的時間節點已經正式臨近。

　　三星在3nm制程的流片進度是與新思科技合作完成的，目的在于加速為GAA架構的生產流程提供高度優化的參考方法。因為三星的3nm制程采用不同于臺積電或英特爾所采用的FinFET的架構，而是采用GAA的結構。因此，三星采用了新思科技的Fusion Design Platform。

　   在技術性能上，GAA架構的晶體管能夠提供比FinFET更好的靜電特性，可滿足某些柵極寬度的需求。而這主要表現在同等尺寸結構下，GAA的溝道控制能力得以強化，借此給予尺寸進一步微縮提供了可能性。