芯德半導(dǎo)體獲4億戰(zhàn)略注資 攻堅2.5D/3D封裝國產(chǎn)替代
關(guān)鍵詞： 芯德半導(dǎo)體 B輪融資 AI算力芯片 先進封測 技術(shù)突破
【導(dǎo)讀】9月12日，國內(nèi)高端封測龍頭芯德半導(dǎo)體宣布完成近4億元B輪融資，由南京政府產(chǎn)業(yè)基金領(lǐng)投。此次注資將全力攻堅AI算力芯片封裝技術(shù)壁壘，加速55億元先進封測基地建設(shè)，突破Chiplet異質(zhì)集成量產(chǎn)瓶頸。
一、技術(shù)攻堅方向
針對AI/HPC芯片的散熱效率與互連密度雙重挑戰(zhàn)，芯德構(gòu)建三大技術(shù)護城河：
CAPiC異構(gòu)集成平臺：實現(xiàn)7nm/14nm多工藝芯片3D堆疊（TSV密度達10?/cm2）
玻璃通孔(TGV)技術(shù)：射頻損耗較硅通孔降低40%，滿足5G毫米波封裝需求
光感共封(CPO)方案：光電轉(zhuǎn)換效率提升35%，攻克1.6Tbps超高速互連
二、產(chǎn)能建設(shè)規(guī)劃
55億封測基地核心布局
| 產(chǎn)線類型 | 技術(shù)指標 | 年產(chǎn)能目標 |
|---|---|---|
| 2.5D封裝線 | 4μm互連線寬/10層RDL | 18,000片晶圓 |
| 晶圓級封裝線 | 0.8μm凸點間距 | 3億顆芯片 |
| Chiplet 3D線 | 混合鍵合精度±0.1μm | 2024年Q2量產(chǎn) |
三、市場破局價值
打破海外技術(shù)壟斷的三大突破點
存儲封裝：LPDDR5X封裝良率突破99.3%（國際競品均值97.5%）
射頻集成：首創(chuàng)AiP+濾波器異質(zhì)封裝，面積縮小60%
車規(guī)認證：通過AEC-Q100 Grade1認證（-40℃~150℃）
四、產(chǎn)業(yè)協(xié)同效應(yīng)
本輪融資驅(qū)動技術(shù)-產(chǎn)能-生態(tài)三重升級：
研發(fā)加速：SiP模組引腳數(shù)突破5000+（對標ASE FO-EB）
設(shè)備升級：引進全球首條國產(chǎn)化FOWLP貼裝產(chǎn)線
生態(tài)共建：與寒武紀/地平線共建Chiplet設(shè)計-封測聯(lián)盟
結(jié)語
在摩爾定律逼近物理極限的當下，芯德半導(dǎo)體以"CAPiC平臺+55億基地"的雙引擎戰(zhàn)略，為國產(chǎn)3D集成芯片開辟新路徑。其TGV/CPO等原創(chuàng)技術(shù)更標志著中國封測產(chǎn)業(yè)從"跟跑代工"向"定義標準"的關(guān)鍵躍遷，為萬億級算力芯片市場注入自主可控的封裝基石。
