【國(guó)產(chǎn)替代】ARK（方舟微）DMZ42C10S 完美替代 英飛凌BSS169
【國(guó)產(chǎn)替代】ARK（方舟微）DMZ42C10S 完美替代 英飛凌BSS169
1、 DMZ42C10S產(chǎn)品簡(jiǎn)述
DMZ42C10S是ARK（方舟微）研發(fā)的一款耐壓100V的N溝道耗盡型MOSFET產(chǎn)品，該產(chǎn)品性能優(yōu)異，可靠性高，且參數(shù)定義范圍與Infineon的BSS169基本一致。相較于BSS169，DMZ42C10S具有更低的導(dǎo)通電阻，以及更大的電流能力，可以對(duì)BSS169實(shí)現(xiàn)Pin-to-Pin完美替代。
2、DMZ42C10S與BSS169對(duì)比
1) 封裝形式對(duì)比
圖1. DMZ42C10S封裝類型及電極腳位 圖2. BSS169封裝類型及電極腳位
DMZ42C10S和BSS169均為SOT-23封裝，且D、G、S電極分布完全一致。
2) 主要靜態(tài)參數(shù)定義范圍對(duì)比
Item | BVDS | VGS(OFF) | ID(OFF) | IGSS | RDS(on) | RDS(on) | IDSS(Min) |
Test condition | VGS=-10V, ID=250uA | VDS=3V, ID=50uA | VDS=100V, VGS=-10V | VGS=20V, VDS=0V | VGS=0V, ID=50mA | VGS=10V, ID=190mA | VGS=0V, VDS=10V |
DMX42C10S | ＞100V | -2.9V～-1.8V | ＜0.1uA | ＜10nA | ＜6Ω | Type: 1.2Ω | ＞90mA |
BSS169 | ＞100V | -2.9V～-1.8V | ＜0.1uA | ＜10nA | ＜12Ω | Type: 2.9Ω | ＞90mA |
*上述數(shù)據(jù)來源于兩款產(chǎn)品的數(shù)據(jù)手冊(cè)。
DMX42C10S各項(xiàng)參數(shù)的定義范圍與BSS169基本一致。
3) 樣品參數(shù)實(shí)測(cè)對(duì)比
Item | IGSSR | IGSS | ID(OFF) | BVDSS | VGS(Off) | RDS(ON) | IDSS |
Test condition | VGS=-20V | VGS=20V | VDS=100V | IDS=250uA | ID=50uA | IDS=50mA | VDS=10V |
VDS=0V | VDS=0V | VSG=10V | VSG=10V | VDS=3V | VG=0V | VGS=0V | |
DMZ42C10S | 0.208nA | 0.203nA | 0.002uA | 114.6V | -2.4V | 1.78Ω | 530.6mA |
BSS169 | 0.375nA | 0.438nA | 0.002uA | 149.8V | -2.1V | 5.93Ω | 217.3mA |
DMZ42C10S具體更低的導(dǎo)通電阻和更大的電流能力，BSS169的實(shí)際耐壓高于DMZ42C10S(注：ARK（方舟微）已經(jīng)開發(fā)出了實(shí)際擊穿電壓與BSS169相近的升級(jí)款產(chǎn)品，后續(xù)即將推出)。
3、耗盡型MOSFET產(chǎn)品在應(yīng)用中對(duì)標(biāo)的主要特點(diǎn)說明
耗盡型MOSFET在絕大多數(shù)應(yīng)用中，都是工作在亞閾值狀態(tài)下（即柵-源電壓VGS滿足：VGS(OFF)＜VGS＜0V），此時(shí)耗盡型MOSFET的參數(shù)具有如下特點(diǎn)：
a． 導(dǎo)通電阻RDS(ON)：亞閾狀態(tài)下導(dǎo)通電阻是變化的，且會(huì)明顯超過VGS=0V時(shí)的電阻值（規(guī)格書中給出的電阻參數(shù)）；但是當(dāng)MOSFET工作在直通狀態(tài)時(shí)，導(dǎo)通電阻越小，則會(huì)帶來更低的電壓降，且相應(yīng)具有更大的電流能力。
b． 閾值電壓VGS(OFF)：只需要滿足電路驅(qū)動(dòng)電源要求以及電路參數(shù)要求即可，如搭配運(yùn)放使用時(shí)，只要符合運(yùn)放的驅(qū)動(dòng)輸出范圍即可；如搭配電阻實(shí)現(xiàn)限流的應(yīng)用，通過調(diào)節(jié)限流電阻的阻值，也可以使用不同阻值的電阻達(dá)到相近的限流需求。因此，不一定需要完全一樣的閾值電壓參數(shù)才能實(shí)現(xiàn)對(duì)標(biāo)替代；
c． 電流參數(shù)：一般主要關(guān)注耗盡型MOSFET在一定柵極偏壓下的飽和電流大小（相對(duì)綜合的參數(shù)）是否能滿足電流的電流需求，飽和電流越大，則越能適配大電流下的應(yīng)用。
因此，對(duì)于耗盡型MOSFET的替代選型，通常“參數(shù)是否一模一樣”并不是對(duì)標(biāo)選型的固定標(biāo)準(zhǔn)。
4、DMZ42C10S的典型應(yīng)用方案介紹
a． 給DAC芯片/傳感器調(diào)理芯片供電并提供過壓保護(hù)
DMZ42C10S適合用于傳感器、智能變送器中，給DAC芯片、傳感器調(diào)理芯片供電，并為負(fù)載電路提供浪涌防護(hù)，典型應(yīng)用電路如下：
圖3. DMZ42C10S給AD421供電及提供過壓保護(hù)的典型電路方案
b． 恒流/限流應(yīng)用
DMZ42C10S適合用于構(gòu)建簡(jiǎn)易恒流源，以及用于構(gòu)建限流單元實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)，典型應(yīng)用方案如下：
圖3.DMZ42C10S用于構(gòu)建恒流及限流保護(hù)單元的典型方案
