韓國媒體Etnews報道稱，三星電子正考慮將其美國德州泰勒市晶圓代工廠的芯片制程，從原計劃的4納米改為2納米，以在競爭激烈的半導體市場中與臺積電和英特爾抗衡。消息人士透露，三星有望在第三季度做出最終決定。

三星德州泰勒廠自2021年投資以來，2022年開始興建，計劃于2024年底分階段運營。根據三星DS部門前負責人李鳳炫（Lee Bong-hyun）之前的說法，到2024年底，該工廠將開始出貨4納米產品。然而，面對市場需求的變化和競爭對手的步伐，三星決定重新評估其制程策略。

目前，英特爾計劃在亞利桑那州和俄亥俄州的工廠量產Intel 20A和18A制程芯片。與此同時，臺積電正在美國建設三座晶圓廠，計劃在2025年上半年投產4納米制程，2028年投產2納米和3納米制程，2030年投產2納米以下制程。相比之下，三星的進度略顯落后。

為了應對這種情況，三星希望通過提升德州泰勒廠的制程技術，增強其在美國市場的競爭力。據悉，4納米芯片需求趨緩也是促使三星考慮這一調整的原因之一。

三星在今年4月的第一季度業績發布會上表示，將根據客戶訂單分階段啟動德州泰勒廠的運營，預計在2026年實現首次量產。泰勒廠的建設使三星有望獲得美國政府64億美元的補助，預計到2030年總投資將超過400億美元。

三星希望通過提升制程技術，吸引更多高端客戶，包括位于美國的英偉達（Nvidia）、超微（AMD）和高通（Qualcomm）等大型芯片需求方。這一舉措有望顯著提升三星在高端芯片市場的競爭力。

雖然三星的這一戰略調整能否如愿提升市場占有率還有待觀察，但這一舉措無疑表明了三星在半導體領域持續創新和積極競爭的決心。德州泰勒廠的制程提升將為三星在未來的技術發展和市場擴展中提供堅實的基礎。