近日，中央網信辦、市場監管總局、工業和信息化部聯合印發《信息化標準建設行動計劃（2024—2027年）》（以下簡稱《行動計劃》）

《行動計劃》提到，要推進關鍵信息技術、數字基礎設施、數據資源、產業數字化、信息惠民、數字文化及數字化綠色化協同發展等8個重點領域的標準研制，并且圍繞上述領域作出了22項工作部署。

例如在關鍵信息技術領域，《行動計劃》指出，要強化通用技術標準研制。加快基礎軟件標準研制，完善服務器、桌面、移動等通用操作系統及工業操作系統、新型操作系統等操作系統標準，研制關系型、圖形等數據庫標準，推進新型應用服務器、消息、緩存、數據存儲等中間件標準制定。

同時圍繞集成電路關鍵領域，加大先進計算芯片、新型存儲芯片關鍵技術標準攻關，推進人工智能芯片、車用芯片、消費電子用芯片等應用標準研制。《行動計劃》還指出，要布局新興技術領域標準。完善人工智能標準，強化通用性、基礎性、倫理、安全、隱私等標準研制。加快推進大模型、生成式人工智能標準研制。


存儲大廠業績加速回暖

隨著手機、PC及服務器等行業市場需求的逐漸復蘇，加上存儲原廠產能削減措施的逐步實施，部分大類存儲產品的價格已觸底反彈，步入上升通道。

漲價潮令上游存儲大廠業績加速回暖。


三星電子：利潤暴增931.3%，創歷史最高

在行業復蘇的背景下，三星電子憑借其在內存芯片市場的領先地位，實現了營業利潤的暴漲，為行業帶來強烈的震動。

4月5日，三星電子表示，隨著芯片價格反彈，預計第一季度營業利潤將增長931%。（三星將于4月30日公布包含詳細的完整財報）

從三星此次公布的財務預報來看，當季營收約為71萬億韓元，同比上漲11.4%；營業利潤大幅上漲至6.6萬億韓元，同比暴增931.3%。

近幾個季度以來，存儲芯片價格的持續上漲起到了積極作用。早在去年四季度，三星就開始率先對其存儲芯片進行了漲價。據此前消息顯示，三星在去年四季度對NAND Flash芯片報價上調10%至20%之后，又在今年一季度和二季度再逐季漲價20%，漲價幅度遠超乎業界預期。

在漲價的同時，三星還對于NAND Flash和DRAM進行了增產。

NAND方面，三星電子正在提升其位于中國西安NAND Flash閃存廠的產能利用率，目前已恢復到了70%左右。自2023年二季度減產之后，三星西安NAND Flash廠的產能利用率在2023下半年一度滑落至20%~30%的低谷，但是隨著2023年四季度市場需求的回暖，三星西安NAND Flash廠的產能利用率也開始逐步回升。

DRAM方面，三星電子的目標是到2024年第四季度晶圓產量達到200萬片，比去年的數字增長41%。三星現在的目標是通過提高生產水平來挽回損失的利潤，預計未來需求將會增加。

三星電子憑借其先進的生產工藝和龐大的產能規模，成功抓住了市場機遇，實現了業績的快速增長。其中，內存芯片業務的銷售額和利潤的大幅增長，成為推動公司整體業績提升的重要力量。

在日前舉行的年度股東大會上，三星預計2024年旗下存儲半導體部門銷售額有望恢復至2022年的水平，同時還定下了更高的目標——要在兩到三年內，重新奪回全球芯片市場第一的位置。

除了芯片周期的回暖，三星還可能在近期迎來更多好消息。

上個月，英偉達CEO黃仁勛暗示，英偉達有意采購三星的HBM芯片。有韓媒爆料稱，英偉達最快將從9月開始大量購買三星電子的12層HBM3E。倘若消息落實，這將為三星電子未來的業績進一步增長帶來潛在動力。


美光科技：HBM在2024年銷售一空

3月20日，美國存儲芯片大廠美光公布了截至2024年2月29日的2024財年第二季財報，美光第二財季受益于DRAM和NAND Flash需求及價格同步上升，該季營收58億美元，同比大漲58%，環比增長23%。

從具體產品劃分收入構成來看，美光第二財季DRAM收入環比增長21%至42億美元，占總收入的71%。這主要得益于該季DRAM平均價格上漲了10%，出貨量也有個位數百分比的增長；第二財季NAND收入環比增長了27%至16億美元，占美光總收入的27%。

根據此前美光公布的財報數據顯示，其第二財季DRAM平均價格上漲了10%；NAND Flash的平均價格漲幅超過了30%。

同時財報也顯示，產品漲價帶動了美光的整體毛利率提升了19個百分點。據悉，美光在該季營收、毛利率、凈利均大超預期，并成功結束連續五個季度的虧損，扭虧為盈。

從各應用領域收入來看，來自數據中心領域的營收增長是最為迅猛，環比增長超過一倍。這主要得益于AI服務器的需求正在推動HBM、DDR5和數據中心SSD的快速增長。這進而也導致了先進的DRAM和NAND的供應處于供不應求當中，對所有存儲器和存儲終端市場的定價產生了積極的連鎖反應。

美光在財報中強調：“我們的HBM在2024年銷售一空，2025年的絕大多數供應已經分配完畢。我們繼續預計HBM比特份額將在2025年的某個時候與我們的整體DRAM比特份額相等。”

美光預計，接下來每個季度的芯片價格都會上漲，重申2025財年將實現創紀錄的收入，云收入也將呈現季度翻倍增長，同時客戶的庫存已經減少，急需補充新品。

不過需要指出的是，2024財年，美光的業績增長動力主要還是來自于DRAM和NAND Flash的價格上漲及需求的增長。而HBM所能夠為美光帶來的營收貢獻仍比較有限。

美光最新業績以及業績展望數據表明，美光已經熬過整個芯片行業周期的最糟糕時期，并且重新走向盈利模式，AI熱潮帶來的存儲需求激增可謂核心驅動力。

美光首席執行官Sanjay Mehrotra在業績會議上向投資者承諾，2024年將標志著存儲行業大幅反彈，2025年則將達到創紀錄的銷售額水平。但這也意味著美光需要加大產能制造足夠數量的HBM存儲，這需要與英偉達等AI芯片廠商緊密合作，幫助數據中心運營商們加快AI基礎設施建設步伐以及開發更多的人工智能軟件。


SK海力士：率先扭虧為盈

SK海力士是存儲巨頭中率先實現全公司單季度扭虧的公司。

據財報顯示，SK海力士2023財年第四季度結合并收入為11.306萬億韓元，營業利潤為0.346萬億韓元，成功實現扭虧為盈。SK海力士僅時隔一年就擺脫了從2022年第四季度以來一直持續的營業虧損。

順應高性能DRAM需求的增長趨勢，SK海力士將順利進行用于AI的存儲器HBM3E的量產和HBM4的研發，同時將DDR5 DRAM和LPDDR5T DRAM等高性能、高容量產品及時供應于服務器和移動端市場。

對于市況復蘇相對緩慢的NAND閃存，SK海力士2023年主要集中于投資和費用的效率化。后續，SK海力士決定通過以eSSD等高端產品為主擴大銷售，改善盈利并加強內部管理。

除此之外，從鎧俠、西部數據以及存儲器終端廠商發布的最新財報中也可以看出，各大廠商業績均迎來較好表現。

存儲企業迎來收獲期？

按照Gartner的數據，2023年，全球半導體市場規模為5330億美元，同比下滑了11%，是最近3年以來，最低的一次。

而其中存儲芯片跌的最慘，NAND閃存跌了37.5%，DRAM內存跌了38.5%，整個存儲芯片市場，預計跌了38%左右。

為此，三星、SK海力士、美光這三大存儲芯片廠商，在2023年全年，虧損值超過1500億元，將過去1-2年的利潤，可能都虧完了。

不過，在2023年的4季度，因為市場需求恢復，手機、PC、電子產品，服務器等的出貨量開始增長，全球DRAM（內存）和NAND閃存的價格均實現了3%至8%的上漲。

很明顯，存儲芯片的低谷已經過去了， 接下來存儲芯片，又要進入漲價收獲期了。

機構認為，2024年，DRAM和NAND閃存的需求將在各類AI應用中持續增長，包括智能手機、服務器和筆記本電腦，特別是服務器的增長，將大大促進DRAM產品的增長。

具體來看，Gartner預測半導體內存市場增長率將達到66.6%，細分的話，其中DRAM的增長率將達到88.0%，NAND閃存的增長則為49.6%。

這個增長，從兩個方面來體現，一是價格上漲，機構認為隨著供求關系恢復，價格會上漲，價格最終可能會上漲40-60%，甚至最高可能達到65%的漲幅。

二是銷量會增長，因為需求增加，大家的出貨是也會增加，價格上漲，銷量增長，最終總規模則實現真正大幅度上漲。

而在這樣的瘋狂之下，大賺特賺的，估計也就是2023年大虧特虧的這三大存儲芯片廠商了。


存儲芯片的發展前景

市場規模持續增長：根據中研網發布的《2024年存儲芯片行業市場未來發展前景分析》，預測2024年市場規模將增長至5513億元。這表明存儲芯片行業具有強勁的增長勢頭，市場潛力巨大。

應用領域不斷拓展：存儲芯片廣泛應用于計算機、手機、平板等電子設備中，同時也逐漸滲透到智能汽車、物聯網、智能家居等新興領域。隨著這些領域的快速發展，存儲芯片的需求將持續增長。

服務器市場帶動增長：根據TrendForce的統計數據，服務器DRAM市場對增長起到更大作用。特別是AI服務器對大容量、高速的內存支持需求增加，將進一步推動存儲芯片市場的發展。

競爭格局變化：隨著存儲芯片市場的不斷擴大，競爭格局也在發生變化。國內外廠商紛紛加大研發投入，推出更高性能、更低成本的存儲芯片產品，以搶占市場份額。