中國臺灣芯片制造商臺積電提供了一個新選項，說不一定需要使用ASML為下一代芯片制造技術(shù)A16推出的下一代“高NA EUV”機器，該技術(shù)將于2026年下半年開發(fā)。

高數(shù)值孔徑光刻工具預(yù)計將有助于將芯片設(shè)計縮小多達三分之二，但芯片制造商必須權(quán)衡這一優(yōu)勢與更高的成本，以及 ASML 的成熟技術(shù)是否更可靠、足夠好。

臺積電的Kevin 張在阿姆斯特丹的一次會議上發(fā)表講話時表示，該公司的 A16 工廠的設(shè)計有可能適應(yīng)該技術(shù)，但這還不確定。全球最大的合約芯片制造商臺積電是 ASML 常規(guī) EUV 機器的最大用戶。

“我喜歡這項技術(shù)，但我不喜歡標(biāo)價”，Kevin 張告訴記者。臺積電的A16節(jié)點將跟隨其2納米生產(chǎn)節(jié)點，預(yù)計于2025年進入量產(chǎn)。

“當(dāng)高數(shù)值孔徑 EUV 真正發(fā)揮作用時，我認為這取決于我們可以實現(xiàn)的最佳經(jīng)濟和技術(shù)平衡，”他說。

每個高 NA 工具的成本預(yù)計將超過 3.5 億歐元（3.78 億美元），而 ASML 常規(guī) EUV 機器的成本為 2 億歐元。

ASML 是歐洲最大的科技公司，主導(dǎo)著光刻系統(tǒng)市場，光刻系統(tǒng)是使用光束幫助創(chuàng)建芯片電路的機器。光刻是芯片制造商用來改進芯片的眾多技術(shù)之一，但它是芯片上的功能可以有多小的限制因素——更小意味著更快、更節(jié)能。

在臺積電還在猶豫的時候，英特爾已經(jīng)買下了High NA EUV的所有供應(yīng)。

根據(jù)韓媒TheElec報道，截至明年上半年，英特爾已獲得 ASML 生產(chǎn)的大部分高數(shù)值孔徑極紫外 (EUV) 設(shè)備。

消息人士稱，這家荷蘭晶圓廠設(shè)備制造商今年將生產(chǎn)五套該套件，這些套件將全部供應(yīng)給這家美國芯片制造商。他們表示，由于 ASML 高數(shù)值孔徑 EUV 設(shè)備的產(chǎn)能約為每年 5 至 6 臺，這意味著英特爾將獲得所有初始產(chǎn)能。英特爾正在俄勒岡州工廠啟動并運行第一臺高數(shù)值孔徑機器，但預(yù)計要到 2025 年才能全面投入運行。

為了贏得客戶，英特爾比競爭對手更快地采用高數(shù)值孔徑 EUV。該公司于 2021 年重新進入代工市場，但去年該業(yè)務(wù)虧損 70 億美元。在最近，他們更是將公司的晶圓代工業(yè)務(wù)負責(zé)人更換為經(jīng)驗豐富的Kevin O'Buckley。

資料顯示，O'Buckley 加入英特爾時擁有超過 25 年的半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)驗。在此之前，他擔(dān)任 Marvell Technologies 定制、計算和存儲事業(yè)部硬件工程高級副總裁。更早之前，他擔(dān)任Global Foundries 的產(chǎn)品開發(fā)副總裁，然后隨著Marvell在2019 年收購 Avera Semiconductor ，他加入 Marvell，并擔(dān)任業(yè)務(wù)負責(zé)人。在更早之前，他在 IBM 技術(shù)開發(fā)和制造組織工作了 17 年多。O'Buckley 擁有阿爾弗雷德大學(xué)電氣工程理學(xué)學(xué)士學(xué)位和佛蒙特大學(xué)電氣工程理學(xué)碩士學(xué)位。

關(guān)于High NA EUV的應(yīng)用，英特爾院士兼英特爾代工邏輯技術(shù)開發(fā)光刻、硬件和解決方案總監(jiān)表示：“隨著高數(shù)值孔徑 EUV 的加入，英特爾將擁有業(yè)界最全面的光刻工具箱，使該公司能夠在本十年后半段推動超越英特爾 18A 的未來工藝能力。”

英特爾上個月表示，它已成為第一家組裝 ASML 新型高 NA EUV 光刻工具的公司，這是這家美國計算機芯片制造商超越競爭對手的重要組成部分。英特爾下單訂購了最新High-NA EUV光刻機Twinscan EXE：5200，并于2023年12月底將第一臺機器運往美國俄勒岡州的一家工廠。

之前，英特爾購買了ASML的EUV設(shè)備Twinscan EXE：5000，英特爾正在使用它來學(xué)習(xí)如何更好地使用High-NA EUV設(shè)備，并用于18A制程工藝技術(shù)研發(fā)，獲得了寶貴的經(jīng)驗，該公司計劃從 2025 年開始使用Twinscan EXE：5200量產(chǎn)18A制程芯片。

配備 0.55 NA鏡頭的 High-NA EUV 光刻設(shè)備可實現(xiàn) 8nm 的分辨率，與配備 0.33 NA（Low-NA）鏡頭的標(biāo)準(zhǔn) EUV相比，進步顯著，該鏡頭提供 13nm 分辨率。預(yù)計高數(shù)值孔徑技術(shù)將在后 2nm 級工藝技術(shù)中發(fā)揮至關(guān)重要的作用，這些技術(shù)要么需要使用低數(shù)值孔徑 EUV 雙重圖案化，要么需要使用高數(shù)值孔徑 EUV 單圖案化。

由于高數(shù)值孔徑光刻機與低數(shù)值孔徑光刻機有許多不同之處，需要對基礎(chǔ)設(shè)施進行大量更改，因此，在競爭對手之前部署Twinscan EXE：5200對英特爾來說是一個優(yōu)勢。一方面，英特爾將有足夠的時間來調(diào)整其后18A工藝技術(shù)，另一方面，該公司將為自己調(diào)整High-NA基礎(chǔ)設(shè)施，這將使其比競爭對手更具優(yōu)勢。