高性能封裝需求旺盛，主要技術(shù)市場(chǎng)規(guī)模迎來(lái)快速增長(zhǎng)。根據(jù) Yole 數(shù)據(jù)，2021—2027 年國(guó)際巨頭布 局的高性能封裝市場(chǎng)規(guī)模將從 27.4 億美元增長(zhǎng)至 78.7 億美元，CAGR 達(dá)到 19%。Yole 預(yù)計(jì)到 2027 年，UHD FO、HBM、3DS 和有源 Si 中介層將占高性能封裝市場(chǎng)規(guī)模的 50%以上，是市場(chǎng)增長(zhǎng)的最 大貢獻(xiàn)者。


摩爾定律逼近物理極限，先進(jìn)封裝重要性提升

先進(jìn)工藝設(shè)計(jì)成本日漸高昂，先進(jìn)封裝性價(jià)比凸顯。根據(jù)摩爾定律，芯片內(nèi)部的晶體管數(shù)量每隔 18——24 個(gè)月翻番，同時(shí)性能提升一倍。隨著半導(dǎo)體技術(shù)逐漸逼近物理極限，晶體管尺寸的微縮也越來(lái) 越困難。根據(jù)芯東西數(shù)據(jù)，芯片制程從 65nm 升級(jí)到 5nm，其制程提升約 7 代，而芯片設(shè)計(jì)成本增 長(zhǎng)了接近 20 倍，從 0.24 億美元提升至驚人的 4.76 億美金。先進(jìn)制程芯片的開(kāi)發(fā)成本令芯片設(shè)計(jì)企 業(yè)越來(lái)越難以承受。

先進(jìn)工藝進(jìn)步速度放緩，摩爾定律難以為繼。二十一世紀(jì)以來(lái)，芯片在 2015 年進(jìn)入 14nm 時(shí)代，在 2017 年進(jìn)入 10nm 時(shí)代，在 2018 年進(jìn)入 7nm 時(shí)代，在 2020 年進(jìn)入 5nm 時(shí)代，在 2022 年進(jìn)入 3nm 時(shí)代。根據(jù) TrendForce 數(shù)據(jù)，臺(tái)積電預(yù)計(jì)將于 2025 年推出 2nm 工藝節(jié)點(diǎn)。全球芯片制程從 3nm 升 級(jí)到 2nm 預(yù)計(jì)將耗時(shí)三年，這比正常的摩爾定律升級(jí)時(shí)間 18——24 個(gè)月要多出一年多的時(shí)間，這也反 映摩爾定律越來(lái)越逼近物理極限。

隨著先進(jìn)工藝成本的上升和技術(shù)升級(jí)難度的增加，先進(jìn)封裝被視為延續(xù)摩爾定律的重要途徑。


人工智能等新興應(yīng)用對(duì)先進(jìn)封裝需求快速增長(zhǎng)

一方面，消費(fèi)電子等終端產(chǎn)品對(duì)設(shè)備需求越來(lái)越小型化，對(duì)應(yīng)的芯片封裝尺寸要求也越來(lái)越高；另 一方面，5G、高性能運(yùn)算、智能駕駛、AR/VR、物聯(lián)網(wǎng)對(duì)芯片的性能提出了更高的要求，對(duì)應(yīng)的芯 片封裝密度要求也越來(lái)越高。芯片只有提供更小的尺寸和更好的能耗才能滿足下游領(lǐng)域的需求。先 進(jìn)封裝憑借更高的互聯(lián)密度和更快的通信速度，得到愈加廣泛的應(yīng)用。

根據(jù)集微咨詢預(yù)估，在 5G、汽車(chē)電子、可穿戴、人工智能、數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用需求的推動(dòng)下，2022——2026 年全球封測(cè)市場(chǎng)規(guī)模將從 815 億美元增長(zhǎng)至 961 億美元，CAGR 達(dá)到 4.2%。

全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模增速顯著高于封測(cè)市場(chǎng)規(guī)模增速。根據(jù)集微咨詢預(yù)估，2022——2026 年全球先 進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模將從 379 億美元增長(zhǎng)至 482 億美元，CAGR 達(dá)到 6.2%。其中 ED、3D-Stack、Fan-out 的平均年復(fù)合增長(zhǎng)率最大，分別達(dá)到 24.8%、17.7%、12.0%。未來(lái)部分封裝技術(shù)在特定領(lǐng)域會(huì)有進(jìn) 一步的滲透和發(fā)展，如 Fan-out 封裝在手機(jī)、汽車(chē)、網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域會(huì)有較大的增量空間，如 3D-Stack 在 AI、HPC、數(shù)據(jù)中心、CIS、MEMS 傳感器等領(lǐng)域會(huì)有較大的增長(zhǎng)空間。根據(jù)集微咨詢數(shù)據(jù)，2022 年 全球先進(jìn)封裝占整體封測(cè)市場(chǎng)比例約為 47.2%。因?yàn)橄冗M(jìn)封裝的成長(zhǎng)性好于傳統(tǒng)封裝，預(yù)計(jì)到 2026 年全球先進(jìn)封裝占整體封測(cè)市場(chǎng)比例將超過(guò) 50%。


臺(tái)積電先進(jìn)封裝產(chǎn)能供不應(yīng)求

臺(tái)積電舉行法人說(shuō)明會(huì)，法人問(wèn)及人工智能（AI）芯片先進(jìn)封裝進(jìn)展，總裁魏哲家指出，AI芯片先進(jìn)封裝需求持續(xù)強(qiáng)勁，目前情況仍是產(chǎn)能無(wú)法因應(yīng)客戶強(qiáng)勁需求，供不應(yīng)求狀況可能延續(xù)到2025年。魏哲家表示，臺(tái)積電今年持續(xù)擴(kuò)充先進(jìn)封裝產(chǎn)能，今年先進(jìn)封裝產(chǎn)能規(guī)劃倍增，仍是供不應(yīng)求，預(yù)估2025年持續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)能。

AI及高性能運(yùn)算芯片廠商目前主要采用的封裝形式之一是臺(tái)積電CoWos。天風(fēng)證券表示，隨著AI需求全面提升，帶動(dòng)先進(jìn)封裝需求提升，臺(tái)積電啟動(dòng)CoWoS大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，部分CoWoS訂單外溢，本土封測(cè)大廠有望從中獲益。


封裝巨頭瘋狂建廠

不僅僅是傳統(tǒng)的封裝企業(yè)，許多原本專(zhuān)注于代工的企業(yè)也開(kāi)始進(jìn)軍該市場(chǎng)，從臺(tái)積電的CoWoS，到英特爾的EMIB，再到三星的X-Cube，各類(lèi)2.5D與3D封裝陸續(xù)涌現(xiàn)并走向成熟，在封裝這片藍(lán)海中，掀起了猶如千帆競(jìng)逐的熱潮。

而更值得關(guān)注的是，為了開(kāi)拓市場(chǎng)，滿足不同客戶的需求，巨頭們不惜豪擲數(shù)十億乃至百億來(lái)擴(kuò)建和新建封裝廠，一場(chǎng)封裝建廠比拼，已經(jīng)拉開(kāi)了帷幕。


臺(tái)積電

臺(tái)積電在2023年搞定了兩家封裝廠，一座在竹南，一座在竹科。

首先是已經(jīng)投入的竹南的先進(jìn)封測(cè)六廠。2023年6月8日，臺(tái)積電位于竹南的先進(jìn)封測(cè)六廠正式啟用，該廠位于竹南科學(xué)園區(qū)，占地 14.3 公頃，其主要面向下一代高性能計(jì)算、人工智能和移動(dòng)設(shè)備等產(chǎn)品，于2020年開(kāi)始建設(shè)，是臺(tái)積電目前最大的封測(cè)廠。

這是臺(tái)積電首座整合前、后段制程和測(cè)試的 All-in-one 自動(dòng)化先進(jìn)封測(cè)廠，臺(tái)積電稱(chēng)，這將為 TSMC-SoIC 工藝量產(chǎn)打下基礎(chǔ)。

臺(tái)積電在聲明中表示，先進(jìn)封測(cè)六廠將使公司能有更完備且具有彈性的 SoIC、InFO、CoWoS 等多種 3D Fabric 先進(jìn)封裝及硅堆疊技術(shù)產(chǎn)能，并對(duì)生產(chǎn)良率與產(chǎn)品性能帶來(lái)更高綜效。

臺(tái)積電指出，該廠無(wú)塵室面積大于臺(tái)積電其他所有封裝廠的無(wú)塵室面積之和，預(yù)計(jì)每年可處理超過(guò)一百萬(wàn)片 300mm 晶圓 ，每年測(cè)試服務(wù)時(shí)長(zhǎng)將超過(guò) 1000 萬(wàn)小時(shí)。此前，由于先進(jìn)封裝產(chǎn)能?chē)?yán)重不足，臺(tái)積電擠壓了大量來(lái)自英偉達(dá)等 GPU 供應(yīng)商的訂單。

而后是竹科，臺(tái)積電于2023年7月25日正式確認(rèn)，因應(yīng)英偉達(dá)、AMD 等廠商對(duì) AI 芯片 CoWoS 等先進(jìn)封裝的需求，將斥資 900 億新臺(tái)幣在苗栗縣銅鑼鄉(xiāng)興建先進(jìn)封裝廠。

據(jù)透露，新竹科學(xué)園區(qū)管理局已同意核撥土 7 公頃土地，預(yù)定 2026 年底完成建廠，2027 年第 3 季度量產(chǎn)，這座封裝廠的月產(chǎn)能為11萬(wàn)片12英寸晶圓的3D Fabric制程技術(shù)產(chǎn)能，主要提供「基板上晶圓上芯片封裝」（CoWoS）， 完工后可創(chuàng)造 1500 個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)。

值得一提的是，此前還有消息傳出，臺(tái)積電正計(jì)劃在臺(tái)中地區(qū)建設(shè)第 7 家先進(jìn)封裝和測(cè)試工廠，目前正在評(píng)估嘉義科學(xué)園區(qū)和云林，雖然并未得到官方確認(rèn)，但也從另一個(gè)角度體現(xiàn)出了臺(tái)積電目前先進(jìn)封裝產(chǎn)能的緊俏。


英特爾

英特爾雖然不像臺(tái)積電那樣有大量來(lái)自代工客戶的封裝訂單，但它對(duì)于封裝的需求，卻一點(diǎn)也不少。

2021年5月3日，英特爾宣布投資35億美元，來(lái)擴(kuò)建新墨西哥州的Rio Rancho 工廠，主要是升級(jí)該工廠的EMIB 和Foveros 的3D 封裝技術(shù)，而在今年1月24日，英特爾的Rio Rancho 工廠 Fab 9 正式擴(kuò)建完成。

英特爾表示，該廠包括了英特爾突破性的 3D 封裝技術(shù) Foveros，該技術(shù)為組合針對(duì)功耗、性能進(jìn)行優(yōu)化的多個(gè)芯片提供了靈活的選擇和成本。位于 Rio Rancho 的 Fab 9 和 Fab 11x 工廠是英特爾 3D 先進(jìn)封裝技術(shù)大規(guī)模生產(chǎn)的第一個(gè)運(yùn)營(yíng)基地。這也是英特爾第一個(gè)位于同一地點(diǎn)的大批量先進(jìn)封裝工廠，標(biāo)志著端到端制造流程創(chuàng)造了從需求到最終產(chǎn)品的更高效的供應(yīng)鏈。

Fab 9 將有助于推動(dòng)英特爾先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新的下一個(gè)時(shí)代。隨著半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入在封裝中使用多個(gè)“小芯片”的異構(gòu)時(shí)代，F(xiàn)overos 和 EMIB（嵌入式多芯片互連橋）等先進(jìn)封裝技術(shù)為實(shí)現(xiàn) 1 萬(wàn)億美元目標(biāo)提供了更快、更具成本效益的途徑芯片上的晶體管并將摩爾定律延續(xù)到 2030 年以后。

除了新墨西哥外，英特爾在馬來(lái)西亞也有布局，目前英特爾在馬來(lái)西亞擁有4座工廠，分別為檳城和居林（Kulim）的兩座封測(cè)廠，以及在居林負(fù)責(zé)生產(chǎn)測(cè)試設(shè)備的系統(tǒng)整合和制造服務(wù)廠（SIMS）和自制設(shè)備廠（KMDSDP）。

而英特爾2021年宣布投資200億美元的IDM 2.0計(jì)劃，其中有70億美元將用于馬來(lái)西亞，目前正在馬來(lái)西亞檳城和居林分別興建兩座封測(cè)廠，其中位于檳城的封測(cè)廠未來(lái)將生產(chǎn)最先進(jìn)的3D IC封裝Foveros，預(yù)計(jì)會(huì)在2024或2025年啟用，這也是英特爾在美國(guó)俄勒岡州廠與新墨西哥州廠之后，首座海外Foveros技術(shù)的先進(jìn)3D封裝廠。

值得一提的是，英特爾同時(shí)也在檳城設(shè)有研發(fā)中心。換句話說(shuō)，英特爾在馬來(lái)西亞的所投資的設(shè)施加起來(lái)，幾乎就是「迷你英特爾」，僅未設(shè)有晶圓代工廠，凸顯出馬來(lái)西亞對(duì)英特爾至關(guān)重要的地位。

除此之外，2023年6月16日，英特爾還宣布，將在波蘭弗羅茨瓦投資46億美元，新建一座先進(jìn)封測(cè)廠，將有助于滿足英特爾預(yù)計(jì)到2027年對(duì)封裝和測(cè)試能力的關(guān)鍵需求。該工廠的設(shè)計(jì)和規(guī)劃將立即開(kāi)始，施工將在歐盟委員會(huì)批準(zhǔn)之后開(kāi)始，建成后預(yù)計(jì)將會(huì)創(chuàng)造大約2000個(gè)工作崗位。

在英特爾擴(kuò)大代工范圍，允許客戶單獨(dú)采購(gòu)先進(jìn)封裝后，相信也能更好地利用新建封測(cè)廠的產(chǎn)能。


三星

由于HBM的火爆，三星也在四面出擊，不斷擴(kuò)大自己的封裝產(chǎn)能。

在韓國(guó)國(guó)內(nèi)，三星電子斥資105億韓元收購(gòu)了三星顯示位于韓國(guó)天安市的工廠和設(shè)備，以擴(kuò)大HBM產(chǎn)能，同時(shí)還計(jì)劃投資7000億至1萬(wàn)億韓元新建封裝線。

而在國(guó)外，據(jù)日媒援引五位消息人士的爆料指出，三星正考慮在日本建立一條芯片封測(cè)產(chǎn)線，以加強(qiáng)其先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)，同時(shí)與日本半導(dǎo)體材料及設(shè)備供應(yīng)商建立更緊密的聯(lián)系。

消息人士指出，三星新封測(cè)廠的選址可能會(huì)在日本神奈川縣，因?yàn)槿窃谀抢镆呀?jīng)有一座研發(fā)中心。盡管時(shí)間等細(xì)節(jié)還沒(méi)確定，但投資額很可能在數(shù)百億日元（約 7,500 萬(wàn)美元）。

三星整體依舊是圍繞著HBM展開(kāi)，人工智能的風(fēng)潮還未遠(yuǎn)去，擴(kuò)建和新建的產(chǎn)線與工廠能讓它更好地滿足客戶需求。


SK海力士

SK海力士與三星類(lèi)似，目光都集中在了HBM之上。

2023年6月，據(jù)韓媒報(bào)道稱(chēng)，由于AI半導(dǎo)體需求增加，存儲(chǔ)龍頭之一的SK海力士正在擴(kuò)建HBM產(chǎn)線，計(jì)劃將HBM產(chǎn)能翻倍，其中擴(kuò)產(chǎn)焦點(diǎn)在于HBM3，SK海力士正在準(zhǔn)備投資后段工藝設(shè)備，將擴(kuò)建封裝HBM3的利川工廠，預(yù)計(jì)到今年年末，后段工藝設(shè)備規(guī)模將增加近一倍。

而在國(guó)外， SK海力士此前曾表示，將投資150億美元在美國(guó)建立先進(jìn)的封裝設(shè)施，據(jù)消息人士透露，該工廠預(yù)計(jì)將在2025-2026年實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)，計(jì)劃招聘1000名工人。此外，該廠將用于封裝SK海力士自家的存儲(chǔ)芯片和其他美國(guó)公司為機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能應(yīng)用而設(shè)計(jì)的邏輯芯片。

美光

與海力士和三星相比，位于美國(guó)的美光要稍許激進(jìn)一些，光是去年，美光就有四個(gè)擴(kuò)建和新建的封裝廠。

2023年6月16日，美光宣布計(jì)劃在未來(lái)幾年對(duì)其位于中國(guó)西安的封裝測(cè)試工廠投資逾 43 億元人民幣，公告稱(chēng)，美光已決定收購(gòu)力成半導(dǎo)體（西安）有限公司（力成西安）的封裝設(shè)備，并計(jì)劃在美光西安工廠擴(kuò)建新的廠房，并引進(jìn)全新且高性能的封裝和測(cè)試設(shè)備，以期更好地滿足中國(guó)客戶的需求。

此次宣布的擴(kuò)建的新廠房將引入全新產(chǎn)線，用于制造移動(dòng) DRAM、NAND 及 SSD 產(chǎn)品，以強(qiáng)化西安工廠現(xiàn)有的封裝和測(cè)試能力。據(jù)悉，美光籌備該項(xiàng)目已有一段時(shí)間，并已啟動(dòng)在西安生產(chǎn)移動(dòng) DRAM 的資質(zhì)認(rèn)證工作。

2023年6月22日，美光在印度古吉拉特邦投資8.25億美元，建設(shè)新的芯片封裝和測(cè)試工廠，該工廠將實(shí)現(xiàn)DRAM和NAND產(chǎn)品的組裝和測(cè)試制造，即專(zhuān)注于將存儲(chǔ)晶圓轉(zhuǎn)化為球柵陣列（BGA）集成電路封裝、存儲(chǔ)模塊和固態(tài)驅(qū)動(dòng)器，并滿足國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)的需求。

2023年10月，美光宣布其位于馬來(lái)西亞檳城Batu Kawan新建的封裝和測(cè)試廠落成。這是該公司位于馬來(lái)西亞的第二家封測(cè)工廠，投資10億美元。美光表示，未來(lái)幾年內(nèi)將繼續(xù)增加10億美元的投資，將工廠面積增加到150萬(wàn)平方英尺。擴(kuò)建后，美光可以提高產(chǎn)能，并進(jìn)一步加強(qiáng)其組裝和測(cè)試能力，使其能夠提供領(lǐng)先的NAND、PCDRAM和SSD模塊，以滿足對(duì)人工智能、自動(dòng)駕駛或電動(dòng)汽車(chē)等變革技術(shù)不斷增長(zhǎng)的需求。

2023年11月，美光位于臺(tái)中的先進(jìn)封裝測(cè)試廠（臺(tái)中四廠）正式建成開(kāi)幕，該工廠以內(nèi)存先進(jìn)封裝為主，未來(lái)將會(huì)是美光發(fā)展1-gamma先進(jìn)制程與HBM3E高帶寬內(nèi)存先進(jìn)封裝的重要基地。


日月光

全球最大封測(cè)公司日月光把目光放到了東南亞，開(kāi)始積極擴(kuò)充馬來(lái)西亞封測(cè)廠產(chǎn)能，

2022年11月，日月光在馬來(lái)西亞檳城的新廠四廠及五廠動(dòng)工，預(yù)計(jì)2025年完工，兩座廠房完工后，總建筑面積將達(dá)到200萬(wàn)平方英尺，是既有廠房面積的2倍。日月光當(dāng)時(shí)指出，將在5年內(nèi)投資3億美元，擴(kuò)大馬來(lái)西亞生產(chǎn)廠房，采購(gòu)先進(jìn)設(shè)備，訓(xùn)練培養(yǎng)更多工程人才。

而日月光在今年1月公布，馬來(lái)西亞檳城四廠和新參觀中心日前舉行啟用典禮，檳城四廠主要鎖定銅片橋接（copper clip）和影像感測(cè)器封裝產(chǎn)線，也會(huì)布局先進(jìn)封裝產(chǎn)品。目前日月光馬來(lái)西亞檳城封測(cè)廠產(chǎn)品包括導(dǎo)線架封裝、打線BGA封裝、復(fù)晶封裝、內(nèi)存封裝、晶圓級(jí)芯片尺寸封裝（WLCSP）等。

值得一提的事，日月光還在1月19日公告表示，馬來(lái)西亞子公司投資馬幣6969.6萬(wàn)令吉（約新臺(tái)幣4.64億元），取得馬來(lái)西亞檳城州桂花城科技園土地使用權(quán)，因應(yīng)營(yíng)運(yùn)需求，產(chǎn)業(yè)人士分析，日月光此次投資項(xiàng)目，也布局先進(jìn)封裝。


安靠

全球排名第二的封測(cè)廠商安靠則是四面出擊，分別在越南、美國(guó)和歐洲建起了新廠。

2023年10月，安靠位于越南北寧省的先進(jìn)封測(cè)工廠竣工投運(yùn)。據(jù)安靠科技介紹，其越南園區(qū)位于安豐II-C工業(yè)園區(qū)內(nèi)，占地57英畝，將成為安靠科技規(guī)模最大的工廠。

此前安靠表示，新工廠的第一階段將專(zhuān)注于為世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體和電子制造公司提供先進(jìn)的系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）封裝和測(cè)試解決方案。第一階段的投資預(yù)估約2.5億美元，潔凈室面積約20000平方米。

2023年12月，安靠宣布將斥資20億美元在美國(guó)亞利桑那州皮奧里亞市建造一座新的先進(jìn)半導(dǎo)體封裝和測(cè)試設(shè)施，可創(chuàng)造多達(dá)2000個(gè)就業(yè)崗位，預(yù)計(jì)在未來(lái)兩到三年內(nèi)開(kāi)始生產(chǎn)，該設(shè)施將為附近的臺(tái)積電工廠生產(chǎn)的芯片進(jìn)行封裝和測(cè)試。

安靠表示，新廠開(kāi)業(yè)后，蘋(píng)果將成為第一個(gè)也是最大的客戶，該廠還會(huì)為其他公司提供服務(wù)，并將利用該設(shè)施來(lái)封裝其他芯片。新廠的第一期預(yù)計(jì)將在未來(lái)兩到三年內(nèi)投產(chǎn)，其已申請(qǐng)「芯片法案」的補(bǔ)助資金。「芯片法案」的520 億美元補(bǔ)貼中的至少有25億美元已指定用于「國(guó)家先進(jìn)封裝制造計(jì)劃」，這座新廠有望取得補(bǔ)助。

今年1月16日，安靠和格芯為葡萄牙波爾圖工廠舉行剪彩儀式，該儀式將標(biāo)志著兩家公司之前宣布的合作關(guān)系正式啟動(dòng)，并強(qiáng)調(diào)合作打造半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)的完整歐洲供應(yīng)鏈。

格芯表示去年已將50個(gè)設(shè)備從德累斯頓工廠轉(zhuǎn)移到波爾圖的Amkor，首批客戶產(chǎn)品已通過(guò)格芯設(shè)備所需的認(rèn)證。目前格芯正在將其某些300mm生產(chǎn)線從德累斯頓工廠轉(zhuǎn)移到 Amkor 的波爾圖工廠（該工廠已通過(guò) IATF16949 認(rèn)證），以建立歐洲首個(gè)大規(guī)模封測(cè)廠。

力成

老牌封測(cè)廠商力成雖然沒(méi)有在過(guò)去的一年里新建封測(cè)廠，卻也有意對(duì)外擴(kuò)張，以實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈多元化。

力成董事長(zhǎng)蔡篤恭今年1月表示：“公司正在評(píng)估在日本建立一家高端芯片封裝廠的提議，但只有在能找到合作伙伴共同投資的情況下，才會(huì)推進(jìn)這一計(jì)劃。”

蔡篤恭稱(chēng)，在日本運(yùn)營(yíng)芯片組裝和封裝比在中國(guó)臺(tái)灣更昂貴，因此只有在那里做先進(jìn)或高端芯片封裝技術(shù)才更有意義。目前力成正在與客戶談判，以評(píng)估他們對(duì)投資日本的興趣。

他指出，在日本經(jīng)營(yíng)一家芯片封裝廠的成本大約是在中國(guó)臺(tái)灣的兩倍。但他以臺(tái)積電熊本項(xiàng)目為例，說(shuō)明了合資設(shè)廠的優(yōu)勢(shì)。“我們認(rèn)為臺(tái)積電在日本投資的商業(yè)模式是相當(dāng)成功的，公司正在探索遵循這種模式，這可能使那里的運(yùn)營(yíng)更具持續(xù)性。如果日本的計(jì)劃沒(méi)有實(shí)現(xiàn)，公司以后可能會(huì)考慮東南亞的擴(kuò)張目的地。”


長(zhǎng)電

國(guó)產(chǎn)封測(cè)廠商長(zhǎng)電科技在過(guò)去一年也有了新的動(dòng)向。

2023年6月21日，長(zhǎng)電位于無(wú)錫江陰的晶圓級(jí)微系統(tǒng)集成高端制造項(xiàng)目新廠房完成封頂。該項(xiàng)目于2022年7月開(kāi)工，聚焦全球領(lǐng)先的2.5D/3D高密度晶圓級(jí)封裝等高性能封裝技術(shù)，面向全球客戶對(duì)高性能、高算力芯片快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，提供從封裝協(xié)同設(shè)計(jì)到芯片成品生產(chǎn)的一站式服務(wù)。項(xiàng)目一期計(jì)劃于2024年初竣工并投入使用，目前整體建設(shè)按計(jì)劃快速推進(jìn)。

2023年6月，長(zhǎng)電科技與中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)管委會(huì)簽訂《上海市國(guó)有建設(shè)用地使用權(quán)出讓合同》，其擬在閔行開(kāi)發(fā)區(qū)臨港園區(qū)建立長(zhǎng)電汽車(chē)芯片成品制造封測(cè)項(xiàng)目，占地面積約214畝。

該項(xiàng)目占地210畝，建筑面積大概20萬(wàn)平方米，初期計(jì)劃5萬(wàn)平米的潔凈廠房，預(yù)計(jì)2025年初建成，項(xiàng)目產(chǎn)品涵蓋半導(dǎo)體新四化領(lǐng)域的智能駕艙、智能互聯(lián)、安全傳感器以及模塊封裝類(lèi)型，全面覆蓋傳統(tǒng)封裝以及面向未來(lái)的模塊封裝以及系統(tǒng)級(jí)封裝產(chǎn)品。

長(zhǎng)電表示，依托集團(tuán)完備的封裝技術(shù)系統(tǒng)，長(zhǎng)電科技臨港項(xiàng)目將建成中國(guó)規(guī)模最大、最全面的汽車(chē)電子芯片制造標(biāo)桿工廠。


通富微電

國(guó)內(nèi)的通富微電則于近幾年邁出了向國(guó)外擴(kuò)張的步伐。

2023年9月，通富微電表示，目前公司位于馬來(lái)西亞的通富超威檳城新廠房建設(shè)進(jìn)展順利，預(yù)計(jì)于2023年內(nèi)竣工投入使用。

通富超威是通富微電與AMD的合資公司。早在2016年，通富微電就收購(gòu)了AMD位于馬來(lái)西亞檳城生產(chǎn)基地85%的股權(quán)，并擁有了在馬來(lái)西亞的封測(cè)平臺(tái)，承接國(guó)內(nèi)外客戶高端產(chǎn)品的封測(cè)業(yè)務(wù)。

2023年6月，通富超威檳城啟動(dòng)新廠房建設(shè)儀式，項(xiàng)目總體規(guī)劃投資金額近20億令吉（約合4.3億美元）。新廠房將進(jìn)一步增加對(duì)AMD的供應(yīng)能力。根據(jù)通富微電半年報(bào)，該公司不僅為AMD等海外客戶提供封測(cè)服務(wù)，并已為AMD大規(guī)模量產(chǎn)Chiplet產(chǎn)品。


華天科技

華天科技同樣在新建封測(cè)廠。

2023年3月，華天科技發(fā)布公告稱(chēng)，公司全資子公司華天科技（江蘇）有限公司投資28.58億元進(jìn)行“高密度高可靠性先進(jìn)封測(cè)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目的建設(shè)。

公告顯示，高密度高可靠性先進(jìn)封測(cè)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目將新建廠房及配套設(shè)施約17萬(wàn)m2，購(gòu)置主要生產(chǎn)工藝設(shè)備儀器476臺(tái)（套）。項(xiàng)目建成投產(chǎn)后形成Bumping84萬(wàn)片、WLCSP48萬(wàn)片、超高密度扇出UHDFO2.6萬(wàn)片的晶圓級(jí)集成電路年封測(cè)能力。項(xiàng)目建設(shè)期為5年，從2023年6月至2028年6月，項(xiàng)目采用邊建設(shè)邊生產(chǎn)的方式進(jìn)行。

華天表示，該項(xiàng)目主要定位于市場(chǎng)需求量大、應(yīng)用前景好的凸點(diǎn)封裝、晶圓級(jí)封裝、超高密度扇出封裝，項(xiàng)目產(chǎn)品主要為Bumping、WLCSP、UHDFO等，應(yīng)用于5G、物聯(lián)網(wǎng)、智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備、醫(yī)療電子、安防監(jiān)控以及汽車(chē)電子等戰(zhàn)略性新興領(lǐng)域。