二極管與三極管都是常用的電子元器件，二極管是一種具有兩個電極的電子元件，并且只允許電流由單一方向流過，反向時阻斷電流。三極管（BJT）是一種電流控制型半導體器件，由兩個PN結組成，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。那么二極管、三極管參數(shù)有哪些？下面一起來了解下吧。


三極管的主要參數(shù)

①集-射最大反向電壓（VCEO）：基極開路時，集-射極耐電壓值，超過此值會擊穿三極管。

②集電極工作電流（ICRM）:集電極允許長期工作的電流。

③集電極最大功率（PCM）：最大允許耗散功率，實際功率過大，三極管會燒壞。

④電流放大倍數(shù)（HFE）:共射電路集電極與基極電流的比值，β=IC/IB。

⑤特征頻率（FT）：頻率升高，β下降到1時對應的頻率值。就是說在這個頻率下工作的三極管，已失去放大能力，因此在選用三極管時，一般管子的特征頻率品要比電路的工作頻率至少高出3倍以上，但不是越高越好，如果選的太高，就會引起電路的振蕩。

注：三極管飽和導通基極電流條件：Ib*β》Ic≈Vcc/Rc（電源電壓除以集電極電阻）.


三極管參數(shù)與選用

三極管的參數(shù)可分為直流參數(shù)、交流參數(shù)、極限參數(shù)、特征頻率。三極管的參數(shù)是使用與選用三級管時的重要依據(jù)，為此了解三極管的參數(shù)可避免選用或使用不當而引起管子的損壞。


1、直流參數(shù)

集電極—基極反向電流I(CBO)。當發(fā)射極開路、在集電極與基極間加上規(guī)定的反向電壓時，集電結中的漏電流就稱I(CBO)此值越小表明晶體管的熱穩(wěn)定性越好。一般小功率管約1OμA左右，硅管更小些。集電極一一發(fā)射極反向電流I(CBO)也稱穿透電流。它是指基極開路時，在集電極與發(fā)射極之間加上規(guī)定的反向電壓時，集電極的漏電流。此值越小越好。硅管一般較小，約在1μA以下。如果測試中發(fā)現(xiàn)此值較大，此管就不易使用。

2、極限參數(shù)

集電極最大允許電流I(CM)當三極管的β值下降到最大值的一半時，管子的集電極電流就稱集電極最大允許電流。當管子的集電極電流Ic超過一定值時，將引起晶體管某些參數(shù)的變化，最明顯的是β值下降。因此，實際應用時Ic要小于I(CM°)集電極最大允許耗散功率P(CM)當晶體管工作時，由于集電極要耗散一定的功率而使集電結發(fā)熱，當溫度過高時就會導致參數(shù)的變化，甚至燒毀晶體管。為此規(guī)定晶體管集電極溫度升高到不至于將集電極燒毀所消耗的功率，就成為集電極最大耗散功率。使用時為提高P(CM)值，可給大功率管子加上散熱片，散熱片愈大其P(CM)值就提高得越多。集電極發(fā)射極反向擊穿電壓BU(CEO)當基極開路時，集電極與發(fā)射極之間允許加的最大電壓。在實際應用時，加到集電極與發(fā)射極之間的電壓，一定要小于BU(CEO)，否則將損壞三極管。


3、電流放大系數(shù)

直流放大系數(shù)β"或用h(FE)表示。它是指無交流信號時，共發(fā)射極電路，集電極輸出直流I(B)與基極輸入直流幾的比值。即:β=I(c)/I(B)β是衡量三極管電流放大能力的一個重要參數(shù)，但對于同一個三極管來說，在不同的集電極電流下有不同的β.交流放大系數(shù)β也可用h(FE);表示。這個參數(shù)是指有交流信號輸人時，在共發(fā)射極電路中，集電極電流的變化量△AIc與基極電流的變化量△I(B)的比值。即β=△Ic/△I(B)以上兩個參數(shù)分別表明了三極管對直流電流的放大能力和對交流電流的放大能力。但由于這兩個參數(shù)值近似相等，即β≈β，因此在實際使用時一般不再區(qū)分。由于生產(chǎn)工藝的原因，即使同一批生產(chǎn)的管子，其β值也是不一樣的，為方便實用，廠家有時將尸值標記在三極管上，供使用者選用。


4、特征頻率品

因為尸值隨工作頻率的升高而下降，頻率越高，β下降的越嚴重。三極管的特征頻率光是指尸值下降到1時的頻率值。就是說在這個頻率下工作的三極管，已失去放大能力，即f(T)是三極管使用中的極限頻率，因此在選用三極管時，一般管子的特征頻率品要比電路的1作頻率至少高出3倍以上。但不是f(T)越高越好，如果選的太高，就會引起電路的振蕩。

二極管的主要參數(shù)有哪些

同一種型號的二極管，它可能有幾種封裝（包括SOT23、DO-15、SOT-323等），所對應的參數(shù)也有區(qū)別。

一般數(shù)據(jù)手冊上的參數(shù)，對應溫度為25℃。溫度對電子元器件的影響比較大。

Vr:表示反向電壓，在二極管陰極和陽極加的最大電壓，大于這個電壓值，二極管可能被擊穿。

IF（av）:平均整流電流，二極管加上正向電壓后，二極管能通過的平均電流。

IF：二極管能通過的最大電流，加載到二極管的電流等于這個值，二極管能正常工作，二極管長時間工作在這個電流下，二極管會出現(xiàn)發(fā)熱的現(xiàn)象。

IF（rm）：重復峰值電流，二極管在一周內(nèi)，可以重復出現(xiàn)峰值電流，這個峰值電流比IF要大，出現(xiàn)峰值電流時間不能長，否則會燒毀二極管。

IF（sm）：不重復峰值電流，這個電流值非常大，在一個周期內(nèi)，這個電流值不能重復，而且持續(xù)時間很短，有的二極管不重復電流是二極管IF電流的十幾倍，持續(xù)時間一般為us級。

Ir：反向電流，二極管兩級加上反向電壓后，二極管并非完全截止，有很小的電流流過二極管，一般為nA、uA級。

Trr：二極管反向恢復時間，二極管正向?qū)ǖ椒聪蚪刂剐枰臅r間。

P：二極管的功耗，二極管消耗的功率，當電流流過二極管，加上PN上的電壓，就能產(chǎn)生功耗。

常用二極管的參數(shù)表：


1.PN硅二極管:

VF(正向電壓):0.7V

VR(反向電壓):50V-200V

IF(正向電流):10mA-100mA

IR(反向電流):0.1uA-1uA


2.NPN硅晶體管:

VBE(基極-發(fā)射極電壓):0.7V-1.2V

VCE(源極-收集極電壓):30V-60V

IC(收集電流):0.1mA-100mA

hFE(電流增益):50-300


3.PNP硅晶體管:

VBE(基極-發(fā)射極電壓):0.7V-1.2V

VCE(源極-收集極電壓):30V-60V

IC(收集電流):0.1mA-100mA

hFE(電流增益):50-300


4.JFET二極管

VGS(源極-門極電壓):-30V to+30V

ID(電流):0.1mA to 100mA

VDS(源極-匯極電壓):-30V to+30V


5.MOSFET二極管

VGS(源極-門極電壓):-20V to+20V

ID(電流):0.1mA to 100mA

VDS(源極-匯極電壓):-20V to+20V

這些參數(shù)表僅供參考，具體參數(shù)請參考生產(chǎn)廠家的數(shù)據(jù)手冊。