尼康宣布，將于2024年1月正式推出ArF 193納米浸沒式光刻機(jī)“NSR-S636E”，生產(chǎn)效率、套刻精度都會(huì)有進(jìn)一步提升。

據(jù)悉，尼康這款曝光機(jī)采用增強(qiáng)型iAS設(shè)計(jì)，可用于高精度測(cè)量、圓翹曲和畸變校正，重疊精度(MMO)更高，號(hào)稱不超過2.1納米。

分辨率小于38納米，鏡頭孔徑1.35，曝光面積為26x33毫米。

對(duì)比當(dāng)前型號(hào)，它的整體生產(chǎn)效率可提高10-15％，創(chuàng)下尼康光刻設(shè)備的新高，每小時(shí)可生產(chǎn)280片晶圓，停機(jī)時(shí)間也更短。

尼康還表示，在不犧牲生產(chǎn)效率的前提下，新光刻機(jī)可在需要高重疊精度的半導(dǎo)體制造中提供更高的性能，尤其是先進(jìn)邏輯和內(nèi)存、CMOS圖像傳感器、3D閃存等3D半導(dǎo)體制造，堪稱最佳解決方案。

另?yè)?jù)了解，新光刻機(jī)的光源技術(shù)是20世紀(jì)90年代就已經(jīng)成熟的“i-line”，再加上相關(guān)零件、技術(shù)的成熟化，價(jià)格將比競(jìng)品便宜20-30％左右。

不過，目前尚不清楚尼康這款光刻機(jī)能制造多少納米的芯片。

日本尼康、佳能與荷蘭阿斯麥(ASML)曾經(jīng)是光刻機(jī)三巨頭，但因?yàn)辄c(diǎn)錯(cuò)了科技樹，沒有跟上阿斯麥的193納米浸沒式光刻技術(shù)，逐漸沒落，尤其是在EUV極紫外光刻技術(shù)上毫無建樹。

為了生存，尼康、佳能基本放棄了對(duì)尖端光刻技術(shù)的角逐，更專注于難度更低、價(jià)格更低的成熟工藝光刻設(shè)備。

但他們也并非一無是處，比如佳能研發(fā)了納米壓印技術(shù)(NIL)，無需EUV就能制造5納米芯片。

但是，佳能CEO Fujio Mitarai透露，公司的新納米壓印技術(shù)將為小型半導(dǎo)體制造商生產(chǎn)先進(jìn)芯片開辟一條道路，但不會(huì)賣給中國(guó)廠商。

由于該設(shè)備可以用于制造5nm尖端制程芯片，且不是基于光學(xué)技術(shù)，引起了中國(guó)廠商的興趣，但可能無法實(shí)現(xiàn)。

今年7月，日本擴(kuò)大了對(duì)芯片制造出口的限制，但沒有明確提到納米壓印光刻技術(shù)。

Mitarai稱，佳能可能無法將這些機(jī)器運(yùn)往中國(guó)。我的理解是，14nm技術(shù)以外的任何產(chǎn)品都是禁止出口的。

據(jù)悉，納米壓印技術(shù)采用與傳統(tǒng)投影曝光技術(shù)不同的方法形成電路圖案，該設(shè)備不僅功耗更低、更環(huán)保，而且成本遠(yuǎn)低于現(xiàn)階段ASML的EUV光刻機(jī)。

Mitarai重申:“我不認(rèn)為納米壓印技術(shù)會(huì)取代EUV，但我相信這將創(chuàng)造新的機(jī)會(huì)和需求，我們已經(jīng)收到了很多客戶的咨詢?！?/span>