存儲市場消費電子應用疲軟的環境下，HBM成為發展新動能，備受大廠重視。近期，三星、美光傳出將擴產HBM的消息。


大廠積極布局HBM

近期，媒體報道三星為了擴大HBM產能，已收購三星顯示（Samsung Display）韓國天安廠區內部分建筑及設備，用于HBM生產。據悉，三星計劃在天安廠建立一條新封裝線，用于大規模生產HBM，該公司已花費105億韓元購買上述建筑和設備等，預計追加投資7000億-1萬億韓元。

此前，據三星電子副社長、DRAM產品與技術團隊負責人黃尚俊透露，三星已開發出9.8Gbps的HBM3E，計劃開始向客戶提供樣品。同時，三星正在開發HBM4，目標2025年供貨。據悉，三星電子正開發針對高溫熱特性優化的非導電粘合膜（NCF）組裝技與混合鍵合（HCB）等技術，以應用于HBM4產品。

11月6日，美光科技宣布臺灣地區臺中四廠正式啟用。美光表示，臺中四廠將整合先進探測與封裝測試功能，量產HBM3E及其他產品，從而滿足人工智能、數據中心、邊緣計算及云端等各類應用日益增長的需求。

稍早之前，美光首席執行官Sanjay Mehrotra透露，美光計劃于2024年初開始大量出貨HBM3E。美光HBM3E目前正在進行英偉達認證，首批HBM3E采用8-Hi設計，提供24GB容量和超過1.2TB/s頻寬。公司計劃于2024年推出超大容量36GB 12-Hi HBM3E堆疊。此前美光曾透露，預計2024年新的HBM將帶來「數億」美元的收入。


存儲賽道走出底部形態

AI人工智能行業今年快速擴張，算力需求大幅提振之后，存儲需求水漲船高，全球存儲市場規模預計在萬億之上，存儲器核心為DEAM和NAND。對于我們國產自主可控的芯片產業鏈而言，存儲領域的新一輪的國產替代在加速。

從存儲市場結構上來看，DRAM一般是內存，主要是運行軟件，對應PC電腦和服務器；NAND就是我們一般常說的物理存儲器，比如硬盤、U盤、刻錄光盤等，主要是做數據存儲。從市場規模來看，二者接近，都是是5000億RMB左右的規模，年化增速為10%。

對于當下數據存儲賽道的情況，我們做出以下三點分析。

其一，目前是存儲器產品周期的底部，三季度看好存儲產品去庫完成，終端產品價格有望回暖。2022年存儲芯片，我們的市場銷售額達5938億元，預計2023年中國存儲芯片市場規模將逼近6500億元。

一季度，存儲器的價格實際是走弱的，終端手機與服務器出貨量下降，二者是強相關關系。消費市場來看，顆粒價格觸底，然而海外經濟周期疲弱，需求并未見到放量。6月份，老美有停止加息的預期，疊加全球各經濟體會拿出更多刺激經濟措施，本月各行業出現拐點的可能性較大。存儲器預計供需改善，但產能不足，存儲器進入漲價周期可能性較大。

其二，自主可控2.0時代，存儲產業國產化替代加速，產業鏈也正在變遷之中。

再從市場結構來看。DRAM賽道，三星、美光、海力士占據全球95%的份額，合肥長鑫是我們的市場上最大的DRAM全產業鏈廠商。19納米DRAM目前量產穩定，17納米處于研發之中，長鑫是全球第四家可以生產20納米以下DRAM產品的廠商。但產品仍處于DDR4階段，與海力士10納米DDR5內存相比仍有較大技術差距。但從中低端產品序列來看，國產替代再加速。

在外置硬件NAND賽道來看，三星、凱俠、海力士、西部數據、美光五家共占全球97%以上的市場份額。其中，三星一家獨大，其他四家平分秋色。

長江存儲是我們最大的NAND廠商，全球份額低于5%。目前全球先進制程上，存儲器已經開始規模量產232層NAND，美光是現在目前支撐產能最高的企業，長江存儲的NAND已經逐步趕上國際領先水平。但缺點也明顯，在存儲顆粒的穩定性和接口速率方面，仍需加強。

其三，AI賽道中，HBM是技術核心。HBM實質上是一種封裝工藝，這或將成為一個新的A股概念。HBM將通過3D堆棧工藝，讓DRAM與GPU緊密結合，而GPU是算力技術的核心芯片，進而形成高性能的DRAM。

高帶寬的HBM3可以達到819GB每秒，數據的存儲和調用速度大大加快，普通的DRAM僅為96G每秒的帶寬。因此，HBM是AI芯片的主流服務器，英偉達和AMD的架構都大量采用了HBM存儲器。從終端來看，HBM3存儲器的價格已經翻了5倍，是AI諸多硬件賽道中的漲價之王。


2024年市場需求將大幅轉往HBM3

當前HBM市場以HBM2e為主，隨著原廠不斷發力，未來HBM3與HBM3e將挑起大梁。

集邦咨詢調查顯示，當前HBM市場主流為HBM2e，包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多數CSPs自研加速芯片皆以此規格設計。同時，為順應AI加速器芯片需求演進，各原廠計劃于2024年推出新產品HBM3e，預期HBM3與HBM3e將成為明年市場主流。

以HBM不同世代需求比重而言，據TrendForce集邦咨詢表示，2023年主流需求自HBM2e轉往HBM3，需求比重分別預估約是50%及39%。隨著使用HBM3的加速芯片陸續放量，2024年市場需求將大幅轉往HBM3，而2024年將直接超越HBM2e，比重預估達60%，且受惠于其更高的平均銷售單價（ASP），將帶動明年HBM營收顯著成長。