近期，融和資產通過上海中電投融和新能源投資管理中心（有限合伙）及上海融和九智私募基金合伙企業（有限合伙）完成對南京芯干線科技有限公司（簡稱“芯干線”）的戰略投資，布局新能源產業鏈上游電力電子元器件領域。

融和資產消息稱，本次融資后，融和資產將與芯干線開展戶用和工商儲能、充電樁、新能源汽車等多領域合作，助力第三代半導體智能功率模塊產線的建設。

芯干線是一家專注于第三代半導體功率器件及模塊設計研發的企業。自成立以來，該公司深耕第三代半導體碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等功率器件及智能功率模塊（IPM）產品等研發設計與銷售，建成三大芯片研發中心（南京、蘇州、深圳）及測試中心（南京）。

融和資產消息顯示，芯干線是國內少數同時布局碳化硅和氮化鎵功率器件的企業，形成豐富的產品線，包括GaN HEMT、GaN模塊、SiC SBD、SiC MOS、SiC模塊等。芯干線已申請芯片及模塊各類專利40余件，并為下游新能源領域客戶批量穩定供貨。


從事功率半導體研發生產20年，浙大人歸國創業

傅博本科畢業于浙江大學電子工程系，碩士及博士畢業于美國中佛羅里達大學電子工程專業，而后在美國、加拿大工作多年。

作為一家國產功率器件公司的創始人，傅博的個人軌跡與很多海歸創業者具有一定的相似性。博士畢業后，傅博一直從事第三代功率半導體的研發生產工作，先后在美國飛思卡爾半導體、加拿大科光量子半導體公司任研發經理及副總裁；2015年聯合創立加拿大GaNPower公司并出任總經理，于2020年底退出。

光輝的半導體從業履歷說明了其經驗和實力，而傅博與第三代半導體的緣分，卻早早在大學就結下了。

20年前從浙大畢業后，傅博獲得的第一份工作是在臺達電子的上海研發中心擔任研發工程師。機緣巧合下，他第一次接觸到碳化硅，就被這種材料器件的“高性能”所吸引。要知道，在20多年前，碳化硅、氮化鎵是很多電子工程師聞所未聞、見所未見的材料，更不要說實驗和應用了。

“當時我們只是用碳化硅的肖特基二極管取代了原有的硅的二極管，但整個系統的效率就得到了明顯的提升。”傅博向36氪描述當時設計方案時的情況，細節歷歷在目。

盡管后來因為碳化硅的價格昂貴，方案成本過高沒有被采納，但這種材料的優勢以及后續市場的應用潛力給傅博留下了極其深刻的印象。用他的話來說，是“完全改變了他的職業規劃”。“如果說我們優化控制和拓撲結構對電力電子系統而言是量變，那么似乎功率半導體材料的升級換代對于電力電子系統而言，更是一個質的飛躍。”

基于這個想法，傅博下定決心“往上游走”，去學更多功率半導體方面的知識，借由一次全額獎學金的機會，他決定去美國進修。碩士、博士畢業后，傅博加入美國頭部半導體公司飛思卡爾（Freescale Semiconductor），在那里和后來所在的加拿大科光量子半導體公司，沉淀了日后創立芯干線所需的大部分經驗。

時至今日，第三代半導體材料不再是彼時昂貴又難以接近的“新貴”，而是可以走入工業場景乃至尋常百姓家的材料，隨著技術的發展，應用限制解除了大半。回看當時傅博的個人選擇，他算是“押中”了功率半導體的飛躍上升期，這段時間，全球增量市場高速增長。

與大部分創業者和專注科研的科學家都不同的是，傅博目前仍在國際頂尖的IEEE學術會議上擔任要職，尤其是2022-2023連續兩年擔任IEEE ISPSD的高壓器件（HV Track）技術委員會主席。他沒有完全放下與學術的交集。

“我是希望能夠跟學術界或者整個行業同步，能夠得到第一手的（動態）技術信息，從而不被落下。所以還是會繼續活躍在全球的行業界、學術界。”由此帶來了很多好處，一方面，傅博和團隊始終接軌最新的業界趨勢；一方面，行業資源也會自然而然地輻射到他所帶領的芯干線科技。

成立2年半，芯干線科技成為擁有40+專利的第三代功率半導體新星

回溯時間線，2018年，傅博從加拿大回到國內，2021年3月，芯干線科技正式啟動運作。

談及這次歸國創業的契機，傅博表示，是多個因素在綜合起作用。“在功率半導體這個行業，中國有著全球最大、最廣泛的應用市場，整個半導體行業在中國的活躍度都非常高。所以我希望結合過去20年的從業經驗，為自己所熱愛的功率半導體行業添磚加瓦。”

就這樣，傅博跳出原有熟悉的環境，回到國內，從頭開始做一個半導體創業者。

芯干線總部位于江蘇南京——國內較大的功率半導體產業集聚區。眾所周知，Fabless（無晶圓廠）模式公司最重人才儲備。長三角人才集聚，有芯干線適合的水土。

芯干線從無到有的成長經歷，在傅博口中和其他創業公司“大同小異”。“如果一定要找到不同點，那可能是我們更專注于SiC與GaN第三代半導體材料在客戶端的應用，我們的產品定義來源于客戶。通過與多個戰略客戶交流合作，從戰略市場的應用需求出發來設計我們的產品，更好地滿足市場的需求。因此我們設計了多顆電力電子市場上的‘第一顆’SiC與GaN功率器件產品。”

不僅如此，2年半時間里，傅博的芯干線默默實現了很多公司發展多年才能達到的成果。

首先就是技術。傅博投入近30人研發團隊做日常科研，不斷用“微創新”積累技術數量和質量。“有的時候創新不是說一定要做出諾貝爾獎級別的成果。如果現有技術上有一些微創新——你不要小看這種微創新，正是這種微創新才推動我們的技術不斷進步。”傅博進一步解釋。

比如在戶用儲能行業，芯干線的SiC MSOFET在2021年就已經完成了產品布局，并于2022年在國內頭標大型戶用儲能客戶實現量產。同樣的，在E-MODE工藝GaN HEMT充電器功率段上，芯干線早在2021年就已經突破300W，去年突破了500W，并且在2023年率先實現了2KW GaN充電器的量產。

對此，傅博表示：“我們所做的事情首先一定是基于市場，并且略微地超前于市場。”3000W以下的氮化鎵的系統應用，芯干線已經實現了手機充電、筆記本充電、PC電源、服務器電源、電動工具、自行車、電動摩托等市場方向的批量應用。目前，芯干線研發團隊以40余項專利做底，根據客戶需求，去匹配相應的技術和產品。

同時，和市面上大多采用的IDM、Fabless、Fabless+模式都不盡相同，芯干線采用“Fabless++”模式進行生產。所謂芯干線“Fabless++”模式，是指在寬禁帶半導體無晶圓設計公司的基礎上，自建寬禁帶半導體智慧測試分選產線、寬禁帶功率模塊封裝與測試產線，目前前者已經建成，后者還在建設中。“這個模式其實更加類似于中下游的IDM。”傅博向36氪介紹道。

在近些年Fabless紛紛自建測試工廠的風向下，芯干線在江蘇鹽城、南京提前布局了以上產線，以降低成本、提升競爭優勢。

市場側，芯干線跑步進場速度不減。從一開始進入的消費級快充領域，到去年轉戰的工業儲能，芯干線借勢行業東風，今年開始全面進入工業電力電源與新能源汽車市場。值得一提的是，芯干線科技于今年8月底剛剛完成的戰略融資中，背后就是其中一個大客戶——國家電投。

2023年，芯干線重點業務逐漸在動態變化中傾向儲能、數據中心等市場。相比其他行業，這些產業風向以國家基金為主導，地方產業發展基金為輔助，芯干線科技市場布局也更加緊跟國家政策的步伐。復盤36氪此前對話過的新能源企業，國家基金是他們口中無法繞開的關鍵詞。

因此，進入國家電投的產業鏈就意味著著相對穩定的訂單保障以及機構背書，被“國家隊”蓋章認證的含金量不言自明。

在儲能、發電領域，今年以來可謂是“卷”字當頭，行業在增量中起伏。在傅博看來，盡管業務受到行業些許影響，但“整個平均下來還是朝好的一個方向走”。“不管是考慮到未來碳中和，還是考慮到我們國家工業這么快的發展速度，未來用電只靠化石能源發電很有可能就跟不上了。所以我們看到整個新能源的產業增長一定會都是比較快的。”他和芯干線對新能源產業的未來發展始終保持著積極的態度。

新能源車加速SiC上車 2026年SiC和GaN功率器件市場規模將達366億

特斯拉Model3/ModelY車型采用了意法半導體的SiC MOSFET模塊，顯著提升車輛續航里程和性能。2020年，比亞迪高端車型“漢”搭載了SiC器件，預計2023年，比亞迪將在旗下的電動車中，實現SiC器件對硅級IGBT器件的全面替代，將整車性能在現有基礎上提升10%。SiC 已逐漸在電動車主驅逆變器中扮演要角，未來隨著電氣架構將往800V邁進，而耐高壓SiC 功率元件預料將成為主驅逆變器標配。

趙靜表示，2022年受到疫情影響，半導體進入下行周期。但是在新能源汽車、光伏、儲能應用的需求增長下，第三代半導體的市場增長超預期。據CASA Research統計，2022年國內SiC、GaN功率器件的市場規模達到105.5億，較上年同比增長48.4%。綜合不同的數據來源，2022年中國SiC、GaN功率器件整體滲透率約在6%左右。

國內第三代半導體進入產業成長期，技術不斷提升，產能不斷釋放，生產體系逐步完善，自主可控能力不斷增強，企業發展迅速。

據CASA Research預測，到2026年，中國SiC、GaN功率器件的市場規模將達到366億元，年復合增長率達到36.5%。其中新能源汽車（含充電設施）是最大的應用場景。2022年新能源汽車市場爆發帶動車用SiC、GaN突破68.5億元，預計到2026年將增長至245億元，年復合增長率達到37.5%。2022年國內新能源汽車市場需求量25萬片6英寸，預計2026年接近100萬片。800V高壓平臺將在2022年至2023年快速上量，加速SiC在車用領域的滲透。

根據中國光伏行業協會數據，2022年中國光伏新增裝機量87.4GW，較上年同比增長59.3%。CASA Research預計，在光伏領域SiC、GaN功率電子市場規模約2.8億。按照2026年滲透率達到15%-23%左右，預計2026年SiC、GaN功率器件的市場規模接近7億元，未來年均增長約25.5%。

微波射頻也是重要的第三代半導體應用市場。據CASA Research統計，2022年國內GaN微波射頻器件市場規模為88.6億元，較上年同比增長20.9%。2022年中國新建5G基站88.7萬個，加上海外出口，帶動無線基礎設施領域的GaN微波射頻市場達50億元。未來隨著毫米波頻段使用許可的發放，中國有望成為全球最大的毫米波市場，GaN微波射頻產品會迎來新的增長點。

趙靜指出，在電動汽車的快速發展帶動下，國產SiC模塊加速應用。以國家電網為例，雄安新區全SiC的電力電子柔性變電站，采用的國網全國產6500V/400A的SiC MOSFET模塊；比亞迪半導體的1200V/1040A SiC模塊在不改變原有模塊封裝尺寸的基礎上將模塊功率大幅度提升了近30%。廣汽埃安自研的“四合一”電驅正式生產下線，采用了SiC逆變器，兼容高低壓平臺；南方電網提出了第四代充電樁產品，采用SiC技術，其充電樁充電峰值效率達96%，充電場站能耗下降11%。國星光電最新推出的SiC功率模塊產品包括NS34m、NS62m等，覆蓋1200V電壓級，20A-80A的電流范圍。