最近網上又有眾多的關于EUV光刻機突破的消息，這些內容真真假假，讓網友們沸騰了一次又一次。

但與此同時，也讓網友們有了更多的疑問，那就是國產光刻機，究竟發展到哪一步了？

事實上，目前門面上對外公開的技術，我們最先進的光刻機是上海微電子的SSA600/20系列，分辨率是90nm。

這是一臺DUV光刻機，但是干式的那一種，光源是193nm波長的深紫外線，這種DUV光刻機，其最高支持的工藝是65nm。

不過按照網友們的猜測，這只是對外公開的，不對外公開的肯定不止，那么究竟有沒有更先進的光刻機，這個我不去猜測，我也不清楚。

不過，我可以從光刻機的三大核心器件，來分析一下，目前這三大器件發展到什么程度了，大家根據這幾大器件來參考一下吧。

光刻機的三大核心器件，分別是光源、物鏡系統、工作臺。

光源很容易理解，比如193nm波長的深紫外線，然后就是13.5nm的極紫外線。其中DUV光刻機，包含浸潤式光刻機，均是采用193nm波長。

只是浸潤式光刻機中，在工作臺上面，會有一層水，而193nm波長的光源，經過水時會進行折射，等效于134nm波長的光源了。

目前國產光刻機，采用的是193nm的光源，至于13.5nm波長的極紫外線，目前沒有搞定，前幾天清華大學的那個SSMB-EUV方案，至少目前還沒有真正搞定。

再說物鏡系統，這里主要指的是蔡司提供給ASML的光學系統，目前全球能夠生產浸潤式光刻機物鏡系統，包括EUV光刻機物鏡系統的廠商，全球只有一家，那就是蔡司。

國內有了DUV干式光刻機，所有了DUV干式光刻機的物鏡系統，之后還有浸潤式光刻機的物鏡系統，還有EUV光刻機的物鏡系統，這是兩個很大的坎。

最后說說工作臺，工作臺由曝光臺、流量臺兩部分組成，也就是雙工作臺。目前國內的技術，也是DUV光刻機的工作臺，不過據說差別不是特別大，所以這一塊應該不是太難的點。

而浸潤式光刻機的工作臺，又有一點不一樣，在工作臺上面，有一層浸潤式系統，這個至少沒有公開資料顯示，我們有沒有搞定也不清楚了。

事實上除了這三大核心器件之外，像光束矯正器、光束形狀設置、遮光器、能量探測器等等，都是非常有難度的，并且不同的光刻機，要求都不一樣，并不能通用的。

所以，網上什么這個突破，那個突破，也要看情況，單一的EUV光源或某件東西的突破，并不能讓整個光刻機技術突破，需要眾多的突破一起才行。

當然，正如我前面所言，這些都是明面上的東西，也許我們特意低調，悶聲發財，不對外公布也是有可能的，所以本文僅供參考。