眾所周知，我們說一款手機芯片時，大概率會提到它是什么工藝，誰制造的。比如即將發布的iPhone15，搭載蘋果A17芯片，采用臺積電3nm工藝。

這個工藝數字越小，一定程度上會說這款芯片越先進，比如大家就很明顯的認為：3nm>5nm>7nm>10nm>14nm。

不過大家要注意的是，這個多少納米工藝，有時候是不能橫向比較的，只能縱向比較，比如臺積電的5nm和三星的5nm，可能并不是一回事。

三星的5nm，也未必就一定比英特爾的7nm強，這是因為現在的XX納米，已經與以前不一樣了，以前的芯片工藝，是取決于晶體管的柵極長度，長度是多少，則工藝是多少。

但后來晶圓廠們，已經不按這個來了，臺積電高管就曾公開承認過，XX納米只是數字游戲，大家不必太認真，晶圓廠們喜歡將數字搞小一點，是為了營銷。

所以，目前很多專業人士，評價芯片工藝時，一般還會參考晶體管密度。因為芯片由晶體管組成，同樣面積下，晶體管越多，密度越高，性能就越強。

上圖，就是臺積電、三星、英特爾這幾大廠商在不同工藝下的晶體管密度，差距一目了然，三星的摻水最嚴重，特別是在7nm之后，三星的芯片晶體管密度，差了好遠，而臺積電次之，英特爾的最嚴格，密度最高。

那么問題來了，最近華為的麒麟9000S芯片，如果用晶體管密度來算的話，究竟是什么工藝水平呢？畢竟網友們實在是太關心這個事情了。

國外機構發布了麒麟9000S電鏡掃描結果，其晶體管密度為0.98BTr/mm2，也就是0.98億個每平方毫米。對照上圖，很容易就出來了，大約是臺積電7nm、三星7nm的水平，甚至密度還高那么一絲絲了。

如果要與英特爾的比的話，從晶體管密度來看，只等同于英特爾的10nm，甚至還略微的遜色一籌。

這基本可以說明，這是一顆7nm的芯片，并且其技術水平，與三星、臺積電的7nm水平差不多，畢竟晶體管密度也差不多。

相信這個結果，已經能夠幫大家解答很多疑惑了，而7nm也是DUV光刻機制造芯片的極限，采用DUV光刻機，使用多重曝光工藝，最高能夠制造7nm芯片。