8月16日，英特爾表示，由于未能及時獲得監管部門的批準，英特爾公司已與高塔半導體（Tower）共同同意終止先前披露的收購協議。為此，英特爾將向高塔支付3.53億美元的終止費。

英特爾首席執行官Pat Gelsinger表示:“我們的代工工作對于釋放IDM 2.0的全部潛力至關重要，我們將繼續推進我們戰略的各個方面。我們正在很好地執行我們的路線圖，到2025年重新獲得晶體管性能和功率性能的領導地位，與客戶和更廣泛的生態系統建立勢頭，并投資以提供全球所需的地理多樣性和彈性制造足跡。在這個過程中，我們對Tower的尊重與日俱增，未來我們將繼續尋找合作的機會。”

400億收購案告吹

2022年2月15日，英特爾宣布與高塔半導體達成最終收購協議。根據協議，英特爾將以每股53美元的現金收購高塔半導體，交易總價值約為54億美元（約合人民幣400億元），遠高于高塔半導體的總市值。

當時交易雙方預計，這項交易將在約12個月內完成，即在2023年2月15日前完成。

根據各國的反壟斷法規定，只要收購的雙方企業在本國內有業務，就需要當地反壟斷部門批準。由于中國國家市場監督管理總局在2023年2月15日尚未批準該交易，因此，英特爾與高塔半導體宣布延長了交易期限，將收購交易期延長至6月15日，之后又再次延長到了美國加州時間8月15日24:00（北京時間8月16日15:00）。

據了解，高塔半導體是全球Top10的晶圓代工廠。TrendForce集邦咨詢的報告顯示，2021年第四季Tower營收在全球晶圓代工市場位居第九名。除了在以色列、美國及日本設立共計7座制造工廠外，還與松下合資成立了TPSCo，還與意法半導體共享在意大利建立的一個300毫米制造工廠。其整體12英寸產能占全球約3%。其中，以8英寸產能較多，占全球8英寸產能約6.2%。制程平臺方面，Tower可提供0.8μm~65nm少量多樣化的特殊制程工藝，主要生產RF-SOI、PMIC、CMOS Sensor、discrete等產品，將助Intel在智能手機、工業以及車用等領域擴大發展。

其中，Tower的SOI工藝在業內頗具影響力，中國是其重要市場之一。

與此同時，2021年3月，英特爾CEO帕特?基辛格公布了IDM 2.0戰略，同時成立英特爾代工服務事業部，希望重新將英特爾的制程工藝技術帶回到全球領先地位。在提升英特爾的全球制造能力的同時，還重啟了晶圓代工業務，計劃與臺積電、三星競爭。

隨后，英特爾宣布將投資200億美元在美國興建晶圓廠，還推出10億美元基金建立代工創新生態系統。

此次并購是英特爾全球代工戰略的重要組成部分之一。此前，第全球四大晶圓代工廠格芯（Global foundries）也一度成為其“緋聞對象”。

正是由于這筆收購在國際芯片產業鏈上有重大影響，因此需要多國反壟斷監管部門的批準。在過去19個月中，這筆交易通過了多個國家的反壟斷審查。近年來，中國監管機構在國際重大并購中的地位日益重要，報請中國反壟斷審查的國際并購交易數量明顯增加。

從2021年開始，市場監督管理總局受理了多起與芯片有關的國際并購案。以附條件通過的方式批準了SK海力士收購英特爾閃存業務、AMD收購賽靈思、環球晶圓收購德國世創公司等國際并購。在更早之前，中國反壟斷監管機構曾否決了高通公司收購恩智浦。

國際半導體行業格局已變

從2022年2月到2023年8月，盡管只經歷了一年半時間，但國際半導體行業格局已經發生了重要的變化。


首先是半導體行業出現衰退

對于2023年半導體全球市場趨勢，各大分析機構均下調了增長預期。2023年2月，IDC預測：受庫存調整及需求疲軟影響，2023年全球半導體總營收將衰退5.3%。

IDC全球半導體與賦能科技研究集團總裁Morales預估2023年全球半導體總營收將年減5.3%，前三季度均較2022年有所減少，第四季有所增長。其中，2023年物聯網市場恐將衰退3.1%，數據中心市場將下滑5.5%，儲存市場將衰退達23.8%。

晶圓代工方面，營收表現將相對平穩，預估將小幅衰退1.8%。Morales表示，臺積電因在先進制程技術具領先地位，表現可望優于半導體產業水平。

Morales預估，2024年晶圓代工營收可望增長18.6%至1438億美元，2026年將逼近1947億美元規模。芯片代工廠商中芯國際也表示，2023上半年行業周期尚在底部，外部不確定因素帶來的影響依然復雜。


汽車電子市場已被幾大巨頭占據大部分市場

盡管汽車電子在這場半導體衰退中一枝獨秀，但這部分市場被ST、TI、瑞薩等歷史悠久的傳統巨頭鎖占據。

根據最新財報，這幾大專供汽車電子市場的巨頭在半導體市場整體下滑的大環境下表現突出，市場繼續深化，技術和市場粘性進一步加強。要想從中分一杯羹，越來越難。


中國半導體市場崛起

全球最大的新能源市場在中國，毫無疑問，最大的汽車電子市場也在中國，隨著美國的打壓，中國本土半導體產業的國產化升級越來越深入，技術也越來越成熟。

同時，中國半導體的成熟工藝也越來越成熟，產能越來越大，市場化成都越來越高。

而高塔的主業和優勢恰恰就在這方面，因此，隨著中國半導體產業的崛起，高塔在這方面的優勢將逐漸褪去。


發力先進制程

好在，晶圓代工市場角逐中，英特爾還有其他“殺手锏”：先進制程。這也是在AI、高性能計算風靡全球的當下，晶圓代工產業最為看重的“利器”。

近期，英特爾執行長Pat Gelsinger在財報電話會議表示，Intel 3工藝已于第二季達成缺陷密度（defect density）與效能（performance）里程碑，并釋出1.1版制程設計套件（PDK），預計將如期達成總體良率、效能目標。

資料顯示，缺陷密度指的是制程中非預期因素，例如刮痕、光阻覆蓋不全等，對芯片質量產生的負面影響區域，而制程的良率與缺陷密度相關，通常晶圓廠會提供客戶一個D0值（平均缺陷密度），用來代表良率水平，數值越低，代表越好。

英特爾將在2024年上半年陸續發布采取3納米制程的Sierra Forest、Granite Rapids服務器處理器。目前來看，Intel 3工藝可能不會應用于消費級產品，它更多針對數據中心產品優化。

先進制程規劃方面，英特爾曾在2022年末透露，未來幾年內投產包括Intel 4、Intel 3、Intel 20A、Intel 18A等在內的先進工藝。

除了英特爾外，臺積電、三星兩大晶圓代工龍頭以及新晉“玩家”Rapidus同樣在布局先進制程。

三星晶圓代工計劃基于GAA的先進制程技術，為客戶在人工智能應用方面的需求提供強大支持。為此，三星公布了2nm工藝量產的詳細計劃以及性能水平，計劃2025年實現應用在移動領域2nm工藝的量產，于2026和2027分別擴展到HPC及汽車電子。

臺積電目前規劃的3nm"家族"分別是N3、N3E、N3P、N3X、N3 AE，其中N3是基礎版；N3E是改進版，成本進一步優化；N3P性能將進一步提升，計劃2024年下半年投產；N3X聚焦高性能計算設備，計劃2025年進入量產階段；N3 AE專為汽車領域設計，具備有更強的可靠性，將有助客戶縮短產品上市時間2~3年。

2nm方面，臺積電預計N2工藝將會在2025年進入量產。臺積電介紹，在相同功率下，N2速度相比N3E提高15%，或者降低30%的功耗，密度為原來的1.15倍。

Rapidus則計劃2027年量產2nm，日前，Rapidus執行長小池淳義接受《日經新聞》采訪時表示，正在尋找美國客戶，與蘋果、Google、Facebook、亞馬遜和微軟等國際公司討論。


結語

54億美元半導體交易案告吹，英特爾失去了高塔半導體助力，擠入全球前十甚至全球前二，可能需要該公司花費更多努力或者更多時間去實現。不過，對產業而言，晶圓代工領域接下來的劇情或許將更有懸念與看點，先進制程與晶圓代工版圖之爭將日益激烈，未來故事將會更加精彩。