盡管外界多不看好英特爾（Intel）能重返榮耀，但半導體業者近月來觀察到大象動起來，除了持續改善成本與獲利結構、加快先進制程及先進封裝制程技術推進外，值得注意的是，2021年美國國防部提出“RAMP-C”計畫，一開始即與英特爾簽下代工協議，將使用Intel 18A技術開發和生產晶片。

另一方面，RAMP-C合作成員也持續擴增，除IBM、微軟（Microsoft）和NVIDIA外，還有波音（Boeing）與Northrop Grumman等航太、國防科技大廠，另包括聯發科、Arm等也透過與英特爾合作而加入計畫。

英特爾晶圓代工業務在美國政府訴求“美國制造”戰略目標支持下，終于有所進展，若英特爾所釋出的先進制程與封裝技術藍圖按既定時程登場，不僅2024年超越三星電子軟（Samsung Electronics）目標將達陣，臺積電延遲至2025年量產的美國新廠，也將面臨美國政府訂單分食壓力。

半導體業者表示，英特爾數年來苦陷制程技延遲、市佔流失危機，過去一年又面臨半導體需求反轉等困境，制造與產品設計二大事業腹背受敵，業績表現也低迷，眼睜睜看著超微（AMD）、NVIDIA等對手群持續坐大。

近期英特爾終于展現反擊強大決心，除啟動組織重整與瘦身甩賣不賺錢的業務開始收效后，同時最受關注的制程技術推進與擴產大計，英特爾也清楚交代技術藍圖與面市時程，若開出支票全部兌現，半導體與PC、伺服器產業將有重大變化。

英特爾近期再度揭露4年內發展5個先進制程節點（Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A、Intel 18A）的計畫進度。其中，Intel 4全面使用極紫外光（EUV）微影技術，2023年下半登場的PC處理器Meteor Lake和資料中心Granite Rapids率先採用。

英特爾也指出，18A制程節點先在內部逐步提升產能與解決制程問題，進而大幅降低外部代工客戶的風險。

先進封裝技術方面，臺積電2.5D封裝有InFO、CoWoS，3D有SoIC，近期罕見出現供不應求的就是臺積電CoWoS，也促使臺積電啟動大擴產，并引來三星搶單傳言。

英特爾方面，2.5D有EMIB，Sapphire Rapids伺服器處理器為首款量產產品，下世代的EMIB則從55微米凸點間距降至45微米；3D則有Foveros，Meteor Lake處理器為Foveros實作的第二世代，具備36微米凸點間距，晶片塊橫跨多種制程節點，熱設計功耗從5~125瓦。

相較臺積電主要晶圓廠仍在臺灣，美日建廠進行中，產能比重并不多，封裝據點1~6廠全在臺灣，地緣政治風險仍是各方認為危機所在。

英特爾則是持續擴大歐美晶圓廠產能，封裝廠除美國外，在馬來西亞與越南皆有工廠，尤其是馬來西亞規模甚大，近期也決定在義大利建廠。

半導體業者表示，肩負美國制造重任的英特爾穩取美國支持，RAMP-C計畫將使用Intel 18A技術開發和生產晶片，也就是2025年后將量產。

若英特爾所有制程技術畫不再推遲且良率符合預期，2024年超越三星不是問題，最重要的是，可能會影響臺積電延遲至2025年量產的美國新廠。

先前外界皆認為，臺積電美廠甚難獲利，必須仰賴美國政府軍事航太所釋出的訂單，應該也取得美方長約承諾，才會決定建置2座4/3奈米制程新廠。

然而英特爾已明確宣布，以更先進的Intel 18A制程搶下美國政府等眾多訂單，未來勢將牽動全球晶圓代工板塊挪移。