道阻且艱！國產(chǎn)光刻膠自給率獲1%突破，但進(jìn)口光刻機(jī)又一次被“掐斷”
據(jù)悉，在高端光刻膠領(lǐng)域，日本占據(jù)了全球市場的75%，掌握了高端光刻膠的絕對話語權(quán)。反觀國內(nèi)的高端光刻膠市場份額就比較寒酸，讓人有些難過。以ArF光刻膠為例，這種光刻膠用于14nm至130nm的芯片、光刻機(jī)上，但我國仍需要從日企購買ArF光刻膠。
國產(chǎn)光刻膠虛有其表？
近年來，中國在科技領(lǐng)域取得了長足的進(jìn)步，其中光刻膠技術(shù)的突破令人矚目。光刻膠是半導(dǎo)體制造過程中不可或缺的關(guān)鍵材料，其自給率一直以來都相對較低，依賴進(jìn)口。然而，最近的數(shù)據(jù)顯示，國產(chǎn)光刻膠的自給率突破了1%，這意味著中國在這一領(lǐng)域取得了重大突破。
令人費(fèi)解的是，盡管國產(chǎn)ArF光刻膠取得了初步成果，一些使用國產(chǎn)光刻膠的企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)開始報(bào)告一些異常情況。他們發(fā)現(xiàn)，使用國產(chǎn)光刻膠制造的芯片在性能和穩(wěn)定性方面出現(xiàn)了一些問題。
有專家指出，國產(chǎn)光刻膠自給率的突破是一個(gè)重要的里程碑，但在技術(shù)上仍然存在一些挑戰(zhàn)。光刻膠的制備過程非常復(fù)雜，需要嚴(yán)格控制各種參數(shù)，以確保其質(zhì)量和性能。然而，國內(nèi)生產(chǎn)的光刻膠在這方面可能還存在一些問題，導(dǎo)致了性能和穩(wěn)定性的下降。
另外，一些人認(rèn)為，國產(chǎn)光刻膠自給率突破1%后，市場需求的迅速增長可能也是問題的一個(gè)因素。由于國內(nèi)供應(yīng)的增加，一些企業(yè)可能面臨著生產(chǎn)規(guī)模擴(kuò)大的壓力，導(dǎo)致生產(chǎn)過程中的一些問題沒有得到充分解決。這可能導(dǎo)致了一些芯片的質(zhì)量問題。不過，也有人持不同觀點(diǎn)。他們認(rèn)為，這個(gè)奇怪的現(xiàn)象可能只是一個(gè)暫時(shí)的現(xiàn)象，隨著國產(chǎn)光刻膠技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展和完善，這些問題將會(huì)逐漸解決。他們相信，國產(chǎn)光刻膠的自給率突破1%只是一個(gè)起點(diǎn)，未來將會(huì)有更多的突破和進(jìn)步。
無論是技術(shù)問題還是市場需求的壓力，我們都應(yīng)該以冷靜和理性的態(tài)度面對，并積極尋求解決方案。相信中國的光刻膠技術(shù)將迎來更加輝煌的未來。
高端EUV光刻機(jī)領(lǐng)域進(jìn)展依然為零
雖然在高端光刻膠領(lǐng)域，我國已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了1%自給率的突破，但在高端EUV光刻機(jī)領(lǐng)域，我們的進(jìn)展依然為零。其實(shí)這兩者并沒有必然的沖突關(guān)系。
首先，ArF光刻膠僅僅是光刻膠中的一種類型，覆蓋范圍為28nm至90nm，而EUV光刻膠則用于更高精度的7nm光刻工藝。其次，南大光電研發(fā)的ArF光刻膠尚處于實(shí)驗(yàn)階段，距離實(shí)際應(yīng)用和量產(chǎn)仍有相當(dāng)?shù)牟罹唷Ｔ僬撸瑖a(chǎn)光刻膠目前尚無法滿足高端光刻機(jī)對材料的嚴(yán)格要求。最后，光刻機(jī)的研發(fā)涉及成千上萬個(gè)零部件，僅憑光刻膠這一項(xiàng)技術(shù)的突破是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，需要光刻膠等眾多技術(shù)的整體突破。
綜上所述，南大光電的ArF光刻膠技術(shù)進(jìn)展雖然標(biāo)志著國產(chǎn)光刻膠自給率突破1%的里程碑，但離真正成為國產(chǎn)光刻機(jī)的決定性技術(shù)還有很長的路要走。
高科技產(chǎn)品的研發(fā)需要各種技術(shù)的突破和融合，不能僅依靠單一技術(shù)的進(jìn)步。每當(dāng)國產(chǎn)光刻膠取得某項(xiàng)進(jìn)展時(shí)，網(wǎng)友們總是忍不住熱情贊揚(yáng)。然而，相較于過分的熱情，保持理性的分析和支持對國產(chǎn)芯片光刻機(jī)研發(fā)的成功更為有益。
自從華為遭受老美打壓后，國人對國產(chǎn)光刻機(jī)、國產(chǎn)芯片的發(fā)展極為關(guān)注。但凡光刻機(jī)、芯片的某項(xiàng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)突破，網(wǎng)絡(luò)上就掀起了一股‘厲害了’‘碾壓其他公司’的言論。一旦這些技術(shù)無法改變國產(chǎn)光刻機(jī)、國產(chǎn)芯片的處境，那么網(wǎng)絡(luò)上就對這些技術(shù)嗤之以鼻，甚至是責(zé)罵。任何尖端設(shè)備的研發(fā)成功是數(shù)以萬計(jì)技術(shù)的突破，靠一項(xiàng)、十幾項(xiàng)技術(shù)突破無法改變現(xiàn)狀。所以網(wǎng)友們還是少一點(diǎn)自大，多一點(diǎn)低調(diào)，唯有如此，我們才能營造良好科研環(huán)境。
我們更應(yīng)該關(guān)注國產(chǎn)芯片光刻機(jī)領(lǐng)域的各項(xiàng)技術(shù)進(jìn)展，鼓勵(lì)創(chuàng)新，助力整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展。只有在各項(xiàng)技術(shù)不斷突破、整體實(shí)力不斷提升的基礎(chǔ)上，國產(chǎn)光刻機(jī)才能邁出堅(jiān)實(shí)的步伐，為中國的芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)力量。讓我們一起為國產(chǎn)芯片光刻機(jī)的研發(fā)加油，期待更多的突破和成功！
漂亮國進(jìn)一步制裁中企
因?yàn)槊绹母鞣N制裁打壓，中國近幾年對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重視度也提升了許多，過去我們只進(jìn)口芯片，但現(xiàn)在各種國產(chǎn)芯片的誕生，已經(jīng)徹底顛覆了以往的認(rèn)知。
但在這樣的背景下，美國又試圖進(jìn)一步制裁中企，通過掐斷半導(dǎo)體設(shè)備的方式打壓中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，而且這次打壓對中企來說，損失也是蠻大的。要知道當(dāng)前我國正處于芯片制造布局的關(guān)鍵階段，所以需要大批半導(dǎo)體設(shè)備支持發(fā)展，但就在此時(shí)，荷蘭又因?yàn)槊绹囊蠖叫剂耍獙UV光刻機(jī)進(jìn)行更為嚴(yán)厲的制裁。據(jù)媒體報(bào)道，6月底荷蘭方面正式宣布，針對先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備出口的新規(guī)，要求相關(guān)企業(yè)在出口先進(jìn)產(chǎn)品前必須獲得許可證，雖然荷蘭政府并未點(diǎn)名，但基本可以確定就是ASML。
ASML作為全球芯片光刻技術(shù)的佼佼者，生產(chǎn)的DUV和EUV是制造高端芯片必不可少的設(shè)備。在此之前，只有EUV光刻機(jī)出口需要獲得許可，但隨著新規(guī)修改，ASML最先進(jìn)的DUV光刻機(jī)TWINSCAN NXT:2000i及后續(xù)推出的浸潤式光刻系統(tǒng)都要獲得出口許可了。如果該新規(guī)全面落實(shí)下來，那么ASML在中國大陸市場基本崩盤了，對于這家荷蘭光刻機(jī)巨頭來說，也必然是沉重打擊。
原因很簡單，因?yàn)锳SML在2022年銷售的345臺(tái)光刻機(jī)中，有14%都是銷往中國大陸的，中國大陸市場也成為了僅次于中國臺(tái)灣和韓國的第三大光刻機(jī)市場。更關(guān)鍵的是，中國大陸正在大力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，所以未來對光刻機(jī)的需求量還會(huì)大幅提升，一旦ASML失去了這個(gè)市場，也等于就是失去了未來的增長機(jī)會(huì)。
所以針對荷蘭政府的突然制裁，ASML方面是強(qiáng)烈抗議的，但一個(gè)企業(yè)再大也大不過政府，在美國的慫恿下，荷蘭政府做出如此害人害己的決定，一定會(huì)為此付出巨大代價(jià)。
可喜的是：數(shù)據(jù)顯示，今年前五個(gè)月我國進(jìn)口芯片的數(shù)量為1865億顆，這一數(shù)據(jù)相比上一年同期的2320億顆減少了455億顆，同比下降了19.6%，芯片進(jìn)口數(shù)量的減少，說明國內(nèi)半導(dǎo)體廠商正在搶占市場。具體來說，二極管及類似半導(dǎo)體器件進(jìn)口 2156.3 億個(gè)，下降 34.4%，價(jià)值 784.1 億元，下降 14.2%；集成電路進(jìn)口 2277.7 億個(gè)，下降 18.5%，價(jià)值 1.12 萬億元，下降 17.0%。
在國產(chǎn)半導(dǎo)體自給自足的推動(dòng)下，中國大陸傳統(tǒng)芯片和其他成熟技術(shù)集成電路的產(chǎn)量激增，中國已取得不錯(cuò)的成績。然革命尚未成功，同志仍需努力！
