中商情報網訊：目前，全球射頻前端芯片市場主要被歐美廠商占據，我國生產廠商目前主要在射頻開關和低噪聲放大器等產品上實現技術突破，并逐步實現進口替代。

射頻前端芯片市場規模

射頻前端芯片行業因產品廣泛應用于移動智能終端，行業戰略地位逐步提升，我國射頻前端芯片行業迎來巨大發展機會，在全球市場的占有率有望大幅提升。在相關新興領域蓬勃發展以及國家政策大力扶持的雙重驅動下，2022年我國射頻前端芯片市場規模達到914.4億元。中商產業研究院預測，2023年我國射頻前端芯片市場規模繼續保持高速增長，預計達到975.7億元。

數據來源：賽迪顧問、中商產業研究院整理

射頻前端芯片發展趨勢

1.集成化、模組化是射頻前端芯片發展的趨勢，將進一步提高市場準入門檻

新一代通信技術的發展帶來的多頻段、高頻率收發需求，以及 MU-MIMO技術的應用，進一步增加了智能終端對射頻器件數量的需求。同時智能終端輕薄化、小型化的發展趨勢，使分立式射頻器件已經無法滿足要求，射頻器件集成化、模組化發展已成趨勢。

對于射頻芯片設計廠商而言，將分立器件集成至單個模組需要解決發射端同接收端間的電磁干擾、模組內各芯片的熱管理、在小空間內布版走線等問題。集成化、模組化意味著對其設計能力、選擇的制造工藝以及封裝工藝均提出更高的要求。

2.通信技術迭代升級加快，對射頻前端芯片性能要求更高

通信技術是電子產品聯網通信的技術基礎，近年來，隨著物聯網、AR、VR、云宇宙等新興領域的興起，電子產品對通信技術的需求日益提高，更加強調高頻段、大容量、低時延等使用體驗。射頻前端芯片是電子產品聯網通信的硬件基礎，通信技術持續的迭代升級及下游應用領域日益復雜的需求，均對射頻前端芯片的性能提出了更高要求，同時也進一步提升射頻模塊的單機價值量，為射頻前端芯片設計企業帶來全新的機遇與挑戰。

在芯片設計方面，新一代通信技術通信頻段的不斷提升，也帶來信號衰減加快的問題，因此射頻前端芯片的發射端需要有更高的發射功率，以實現更廣的通信距離。大容量、高傳輸速率使得射頻前端芯片在單位時間內所需處理的射頻信號數量提升，對射頻前端芯片信號模擬的線性度的要求更高。新一代通信系統天線數量的增加以及發送信號的通道增加，均將導致射頻前端芯片的功耗、發熱增加，因此終端產品的熱管理也對射頻前端芯片的功耗提出更高的要求。

通信技術高速迭代升級的背景下，追求高功率、高線性度、低功耗以及恰當的材料工藝選擇，成為射頻前端芯片設計研發的主要方向。

3.射頻前端芯片對材料及工藝要求高，與供應鏈的合作將更加緊密

射頻前端芯片屬于模擬芯片，對設計、工藝和材料的要求相對較高，需要設計公司更多地考慮晶圓材料、封裝測試方案，并與晶圓制造及封測廠商緊密配合合作。國際射頻前端芯片龍頭企業，如Skyworks、Qorvo 等，擁有雄厚的資金實力，均采用 IDM 模式，擁有自有的晶圓制造、封裝及測試廠。

在材料及工藝方面，隨著半導體材料的不斷發展，以 CMOS、SOI 工藝為代表的硅基半導體材料，主要滿足中低頻段射頻前端芯片的性能要求；以 GaAs等工藝為代表的化合物半導體材料，憑借其在功率、線性度等性能指標的優異表現，成為中高頻段射頻前端芯片的主流選擇。

芯片設計企業需要與主流晶圓制造商及封測廠商保持緊密的合作關系。近年來，下游市場需求旺盛，導致全球集成電路產能供給相對不足，芯片設計企業與上游供應鏈穩固的合作關系更為重要。