中商情報(bào)網(wǎng)訊：IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。2023年汽車IGBT依然是汽車“缺芯”的主角，新能源汽車和新能源發(fā)電等領(lǐng)域持續(xù)快速發(fā)展，IGBT行業(yè)持續(xù)維持高景氣度。

一、IGBT定義

新型功率半導(dǎo)體器件IGBT是電力電子行業(yè)的“CPU”，IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。IGBT工作特性包括靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性，具體如圖所示：

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二、IGBT行業(yè)發(fā)展政策

近年來(lái)，中國(guó)IGBT行業(yè)受到各級(jí)政府的高度重視和國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策的重點(diǎn)支持。國(guó)家陸續(xù)出臺(tái)了多項(xiàng)政策，鼓勵(lì)I(lǐng)GBT行業(yè)發(fā)展與創(chuàng)新，《關(guān)于鞏固回升向好趨勢(shì)加力振作工業(yè)經(jīng)濟(jì)的通知》《關(guān)于加快培育發(fā)展制造業(yè)優(yōu)質(zhì)企業(yè)的指導(dǎo)意見(jiàn)》《基礎(chǔ)電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動(dòng)計(jì)劃（2021-2023年）》等產(chǎn)業(yè)政策為IGBT行業(yè)的發(fā)展提供了明確、廣闊的市場(chǎng)前景，為企業(yè)提供了良好的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)環(huán)境。具體情況列示如下：

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三、IGBT行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

1.產(chǎn)量

IGBT被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”，廣泛應(yīng)用于電機(jī)節(jié)能、軌道交通、新能源汽車等領(lǐng)域。目前在軌道交通領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，在新能源汽車領(lǐng)域，IGBT是電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件，我國(guó)IGBT產(chǎn)量快速增長(zhǎng)。2019年、2020年、2021年我國(guó)IGBT的產(chǎn)量分別為1550萬(wàn)只、2020萬(wàn)只和2580萬(wàn)只，預(yù)計(jì)到2023年將產(chǎn)量將增長(zhǎng)至3624萬(wàn)只。

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2.國(guó)產(chǎn)化率

IGBT是我國(guó)重大科技突破專項(xiàng)中的重點(diǎn)扶持項(xiàng)目，自2015年以來(lái)我國(guó)IGBT自給率超過(guò)10%并逐漸增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2023年我國(guó)IGBT自給率將達(dá)32.9%。基于國(guó)家相關(guān)政策中提出核心元器件國(guó)產(chǎn)化的要求，國(guó)產(chǎn)替代成為國(guó)內(nèi)IGBT行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)和促進(jìn)行業(yè)內(nèi)企業(yè)發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)因素。

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3.競(jìng)爭(zhēng)格局

我國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)起步較晚，市場(chǎng)主要被國(guó)外企業(yè)壟斷。數(shù)據(jù)顯示，行業(yè)前三名企業(yè)的市場(chǎng)份額合計(jì)達(dá)51%。其中英飛凌占比最多，達(dá)27%；三菱排名第二，占比14%；安森美占比10%，位居第三。本土企業(yè)中，士蘭微在全球IGBT單管及IPM市占率達(dá)到3.5%、2.2%，均位列全球第八；斯達(dá)半導(dǎo)在全球IGBT模塊市占率達(dá)3.0%，位列全球第六。

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4.下游應(yīng)用情況

IGBT下游應(yīng)用領(lǐng)域中，新能源汽車、工業(yè)控制是最主要的應(yīng)用領(lǐng)域。新能源汽車市場(chǎng)占比最大達(dá)31%，工控領(lǐng)域是IGBT需求的重要支撐，市場(chǎng)占比20%，新能源發(fā)電占比11%。

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四、IGBT行業(yè)重點(diǎn)企業(yè)

1.士蘭微

杭州士蘭微電子股份有限公司的主營(yíng)業(yè)務(wù)是電子元器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。產(chǎn)品主要有集成電路、器件、發(fā)光二極管。主要是300-600V穿通型IGBT工藝，1200V非穿通型槽柵IGBT工藝，是國(guó)內(nèi)為數(shù)不多的從一家純芯片設(shè)計(jì)公司發(fā)展成為以IDM模式(設(shè)計(jì)與制造一體化)為主要發(fā)展模式的綜合型半導(dǎo)體產(chǎn)品公司。士蘭微的IGBT產(chǎn)品瞄向的市場(chǎng)之一是消費(fèi)級(jí)的白電領(lǐng)域。

2023年第一季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入20.66億元，同比增長(zhǎng)3.25%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)2.14億元，同比下降20.15%。2022年主營(yíng)產(chǎn)品包括分立器件產(chǎn)品、集成電路、發(fā)光二極管產(chǎn)品，占比分別為53.93%、32.88%、8.85%。

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2.華微電子

吉林華微電子股份有限公司主營(yíng)業(yè)務(wù)為功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)研發(fā)、芯片制造、封裝測(cè)試、銷售等業(yè)務(wù)。華微電子集IGBT設(shè)計(jì)、加工、封測(cè)于一體，有多條功率半導(dǎo)體分立器件及IC芯片生產(chǎn)線，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件五強(qiáng)，也是該領(lǐng)域的首家上市公司。

2023年第一季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入4.13億元，同比下降25.85%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)0.05億元，同比下降80.77%。2022年半導(dǎo)體分立器件營(yíng)收占整體的96.54%。

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3.斯達(dá)半導(dǎo)體

嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司主營(yíng)業(yè)務(wù)為以IGBT為主的功率半導(dǎo)體芯片和模塊的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn),并以IGBT模塊形式對(duì)外實(shí)現(xiàn)銷售。主要產(chǎn)品有600V IGBT模塊系列,1200V IGBT模塊系列,1700V IGBT模塊系列,MOSFET模塊系列,600V IPM模塊系列等；產(chǎn)品可用于功率范圍從0.5kW至1MW以上的不同領(lǐng)域。

2023年第一季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入7.8億元，同比增長(zhǎng)43.91%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)2.06億元，同比增長(zhǎng)36.42%。2022年IGBT模塊營(yíng)收占整體的82.23%。

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4.宏微科技

江蘇宏微科技股份有限公司自設(shè)立以來(lái)一直從事IGBT、FRED為主的功率半導(dǎo)體芯片、單管、模塊和電源模組的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并為客戶提供功率半導(dǎo)體器件的解決方案。主要產(chǎn)品有IGBT、FRED、MOSFET、整流橋、晶閘管、SiC模塊等。

2023年第一季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入3.31億元，同比增長(zhǎng)136.43%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)0.31億元，同比增長(zhǎng)158.33%。2022年功率半導(dǎo)體器件營(yíng)收占整體的99.43%。

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5.時(shí)代電氣

株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司主要從事軌道交通裝備產(chǎn)品的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、銷售并提供相關(guān)服務(wù)，具有“器件+系統(tǒng)+整機(jī)”的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。時(shí)代電氣是3300-6500V領(lǐng)域國(guó)內(nèi)唯一制造商。基于其3300V分立器件和模塊，時(shí)代電氣的IGBT產(chǎn)品最早應(yīng)用于大功率機(jī)車。

2023年第一季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入30.85億元，同比增長(zhǎng)21.22%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)4.35億元，同比增長(zhǎng)27.57%。2022年時(shí)代電氣新型裝備業(yè)務(wù)包括IGBT產(chǎn)品，營(yíng)收占整體的28.54%。

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五、IGBT行業(yè)發(fā)展前景

1.國(guó)家政策有力支持

新型功率半導(dǎo)體器件行業(yè)是我國(guó)重點(diǎn)鼓勵(lì)和支持的產(chǎn)業(yè)之一，為推動(dòng)節(jié)能減排，促進(jìn)電力電子技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，國(guó)家發(fā)改委等有關(guān)部門陸續(xù)出臺(tái)資金補(bǔ)貼計(jì)劃，支持新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化。未來(lái)國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策的支持將會(huì)不斷推動(dòng)功率半導(dǎo)體器件行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步，形成先進(jìn)技術(shù)的自有知識(shí)產(chǎn)權(quán)，優(yōu)化國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體器件的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。

2.下游需求大促進(jìn)行業(yè)發(fā)展

功率半導(dǎo)體器件是國(guó)民經(jīng)濟(jì)中各行業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)元器件，其技術(shù)進(jìn)步和應(yīng)用領(lǐng)域的拓寬既能夠促進(jìn)工業(yè)的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級(jí)，也為居民生活帶來(lái)更多便利和舒適。我國(guó)經(jīng)濟(jì)總水平穩(wěn)步上升，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整有序開(kāi)展，居民對(duì)生活質(zhì)量的要求也越來(lái)越高，為行業(yè)創(chuàng)造了巨大的盈利空間。行業(yè)內(nèi)優(yōu)秀企業(yè)依托自主創(chuàng)新能力提高產(chǎn)品附加值，在國(guó)民經(jīng)濟(jì)持續(xù)發(fā)展這一穩(wěn)固的基礎(chǔ)上不斷提升盈利水平。

3.國(guó)產(chǎn)替代率上漲，市場(chǎng)潛力大

自2015年以來(lái)，我國(guó)IGBT自給率超過(guò)10%并逐漸增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2024年我國(guó)IGBT自給率將達(dá)40%。基于國(guó)家相關(guān)政策中提出核心元器件國(guó)產(chǎn)化的要求，國(guó)產(chǎn)替代成為國(guó)內(nèi)IGBT行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)和促進(jìn)行業(yè)內(nèi)企業(yè)發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)因素。