近日，浙江晶能微電子有限公司宣布，其自主設(shè)計(jì)研發(fā)的首款車規(guī)級(jí)IGBT產(chǎn)品成功流片。新款芯片各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求。此次突破標(biāo)志著晶能在IGBT技術(shù)上邁出一個(gè)“芯”的里程碑，為后續(xù)更多功率芯片的研制打下基礎(chǔ)。

晶能自主研發(fā)IGBT流片晶圓

該款I(lǐng)GBT芯片采用第七代微溝槽柵和場截止技術(shù)，通過優(yōu)化表面結(jié)構(gòu)和FS結(jié)構(gòu)，兼具短路耐受同時(shí)實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通/開關(guān)損耗，功率密度增大約35%，綜合性能指標(biāo)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定，采用工藝共創(chuàng)方式持續(xù)提升芯片性能。

晶能微電子CEO潘運(yùn)濱表示：“一輛典型的新能源汽車芯片用量超過1200顆。功率半導(dǎo)體占比接近1/4。此次IGBT產(chǎn)品成功流片，是晶能在芯片國產(chǎn)化道路上不斷探索的起點(diǎn)，公司將持續(xù)精進(jìn)、加強(qiáng)研發(fā)，圍繞動(dòng)力總成系統(tǒng)中的開發(fā)需求，不斷研制性能優(yōu)越的芯片和模塊產(chǎn)品。”

晶能自主研發(fā)IGBT HP Drive模塊

IGBT是現(xiàn)代電力電子中的主導(dǎo)型器件，被譽(yù)為電力電子行業(yè)里的CPU，是國際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品。近期，也有行業(yè)開發(fā)者討論將Si IGBT和SiC MOS封裝在一起，形成混合并聯(lián)模塊的解決方案。未來，功率芯片和模塊的創(chuàng)新應(yīng)用場景會(huì)更加豐富。

晶能微電子是吉利孵化的功率半導(dǎo)體公司，聚焦于Si IGBT&SiC MOS的研制與創(chuàng)新，發(fā)揮“芯片設(shè)計(jì)+模塊制造+車規(guī)認(rèn)證”的綜合能力，為新能源汽車、電動(dòng)摩托車、光伏、儲(chǔ)能、新能源船舶等客戶提供性能優(yōu)越的功率產(chǎn)品和服務(wù)。