內卷一詞原指代非理性的內部競爭或“被自愿”競爭。現指同行間競相付出更多努力以爭奪有限資源，從而導致個體“收益努力比”下降的現象。從這個角度來看，內卷可以說是努力的“通貨膨脹”。

近幾年，國際半導體產業形勢逐步緊張，國內企業能容身的通道也漸漸收緊。業內已有預測，一些芯片設計公司將活不到今年冬天。內卷給產業帶來了企業之間的惡性競爭和毫無效果的低水平重復。內卷問題不解決，中國半導體產業只能囿于低端。


01
產業內卷眾生相

內卷導致的無序、混亂、低水平的裂變游戲，遍布半導體全行業，設計、制造、封測等所有領域無一幸免。

近幾年在美國制裁下，國內先進工藝研發和量產步伐受阻，產業開始集中于成熟制程競爭，成熟制程芯片內卷加劇。雖說成熟芯片需求旺盛大有可為，但產業中的混亂現象不得不關注。舉例來說，功率半導體是半導體芯片中較成熟，同時也是設計和制造門檻相對較低的芯片類型。國內很早就有不少功率半導體相關的設計和制造企業。隨著的全球經濟增長，以及電子產品的創新，國內消費電子、手機、PC等市場需求大幅成長，國內品牌的市場份額的高速增長，帶動了功率半導體的強勁需求，許多國內芯片公司也取得相當不錯的成績。然而，當經濟增速放緩、市場需求下行襲來，因為全民造芯熱潮而創立的幾百家的功率半導體公司，既有IDM模式，又有Fabless模式，上演了一場逐底競爭游戲。

除了成熟芯片產品，研發難度較高的熱門賽道也成為國內企業競相追逐的領域，如AI芯片創業賽道。近年來國內AI芯片創業熱浪猛吹，創業公司上百家，很多都高喊著對標英偉達，吸引了資本市場的高度關注，時常傳出千萬級、億級的融資熱訊。然而，很多進入者沒有盤清芯片創業的邏輯，設計能力與市場開拓應兩條腿走路，自身造血能力無法發展起來，將熬不過產業冬天。

內卷帶來的最直接，沖擊最大的在人才方面。高薪挖角，拆墻之風嚴重，我砍膝蓋，他剁腳脖子，你拆房梁，我推墻。此前因疫情阻礙國內人才引進困難，去年美國人才禁令更令之難上加難。國內經驗豐富的半導體產業人才本就有限且不足，在資本熱潮的鼓動下，半導體產業人才流動率大幅提升，對大型企業的沖擊最為嚴重。更何況制裁也是針對大企業，小蝦米們用不上制裁，一個浪花襲來就倒下一大片。每一套新主體的關鍵人才必然要去成熟企業去挖，新的沒做起來，舊的倒被挖得遍體鱗傷，知識產權糾紛也隨著人員的批量流動遍地開花。致使大家不得不在人才薪酬、產品與市場各方面展開低水平內卷。

內卷帶來的產業火熱現象，也導致地方政府內卷。前幾年，部分地方政府投資沖動，在沒有充足的產業調研和資源梳理下，相互攀比、盲目投資，導致項目快速上馬，致使“項目爛尾”“產能過剩”風險劇增。此外地方政府內卷也出現了部分信任問題，資金有限，好項目匱乏，一家企業往往收到很多地方政府的入駐邀請，為了拉攏企業部分盲目的地方政府開出了豐厚的條件，但企業落地后承諾卻無法兌現。

從本質上看，內卷現象是當前國內技術尚無關鍵突破，外部承接壓力下，面對巨大市場機會衍生出的亂象。它與正常市場競爭下適度產能過剩之間有著明顯的區別。適度的產能過剩是市場競爭充分化的體現，也是傳統產業在產品生命周期中必經的階段，大部分企業產量規模、創新能力仍在繼續，但受市場需求限制而難以獲得更高的利潤。而內卷情況是企業之間惡性競爭、內斗的結果，產業規模和創新在惡性競爭中難以為繼。

對企業來說，內卷之下，企業間為爭取訂單和市場份額，競相壓低價格，惡性競爭，最終導致低價成交、利潤微薄甚至是虧損，企業喪失定價權和話語權。低價競爭下，產品質量難以有效保障，嚴重影響行業利潤和產業整體形象。利潤大幅降低下，企業對技術的研發投入不充足，創新乏力。

從資本市場來看，市場、產品同質化競爭激烈，企業“內卷”現象層出不窮，市場紅利將逐漸縮小。在一級市場漲二級市場跌的情況下，資本紅利也將逐漸消失。未來5至10年，產業將高度依靠政策紅利。

從行業角度看，底端領域企業扎堆進入，造成了產業資源、人力資源的分散與極大浪費，行業生產效率大幅降低。在缺乏行業規范管理和大量社會資本逐利驅使下，行業將陷入價格戰、資本戰。行業內耗將難以持續對抗不斷加壓的外部環境。

02
中國半導體產業主要面臨的發展困境

①技術更新迭代迅速，行業命題不斷變化，積年累月形成技術天塹；

②半導體是需要成本收益匹配的規模經濟，靠的是整個社會產業鏈的成熟和效率；當前國內上下游生態建設尚不成熟；

③中國[缺芯]，缺的是高端芯片的生產能力；

④關鍵技術、設備依賴（芯片設計的上游依賴ARM的IP授權，過程依賴EDA等工具，中游依賴臺積電的生產代工，自主生產依賴ASML的光刻機），受制于人；

⑤頭部企業技術超前，護城河建立；

⑥投資回報期長、不確定性高，既考驗國家發展半導體產業的決心，也考驗資本市場參與者的膽識和遠見；

⑦政府盲目上馬大項目，項目爛尾后資產處置不當造成進一步資源浪費；

⑧高端人才極缺，難以吸引國際一流人才，稀有的人才資源分配也存在結構性問題；

⑨美國接連發起貿易戰、科技封鎖，半導體發展的外部環境惡劣。


03
破除內卷的對策與建議

要從根本上破除價格戰、內斗、扎堆跟風、產能過剩等產業內卷障礙，芯謀研究認為可以從以下幾個角度入手：

首先，加強頂層規劃，政策引導資源高效有序配置。現在一向標榜市場經濟的美國推出的芯片法案，本質上也是產業政策導向。加強頂層設計，先要做的是梳理產業資源，包括人才、資本等，梳理產業鏈全面把握國內產業的難點、痛點與斷點，因地制宜采取對應政策。同時，對各地方政府要進行專業的指導，根據各地優勢和資源情況，全盤規劃，各有分工，避免地方政府在建設半導體上內卷起來。

其次，從芯片產品類型上看，多做成熟工藝，中端芯片產品。從設備材料與產能情況來看，這兩部分國內受到的影響相對較小。當然也是國內最好突破的領域，市場范圍最大的領域。低端產品量大，難度小，利潤薄，國內企業經過幾年的基礎發展，做得已經比較好。而高端產品，難度大，國內產業鏈不完全，產能依賴外部。對于中國半導體整個系統來說，做中檔芯片是當下最好的選擇。

第三，鼓勵企業并購重組，強節點強鏈主，加速產業結構性升級。以龍頭企業和成熟企業為產業提升抓手，加大行業的整合力度。通過政策、資本、市場等多重手段促進國內產業的整合做強。通過支持創新、兼并重組等方式，壯大領軍企業和鏈主企業，形成“適度競爭”的產業組織體系。其中要重視加強行業協會監控協調作用，從服務企業向服務、監管企業并重，推動行業健康發展。

第四，促進產業協同，終端芯片龍頭與制造龍頭深度綁定合作。長期以來，由于芯片設計與生產工藝與世界先進的工藝差距，中國新晉設計企業的產品都選擇到境外流片，導致大陸芯片設計企業與制造企業之間缺少互動。這不僅帶來了產業安全隱患，上下游之間也因為缺乏協同，導致兩方面都缺少對對方工藝的深刻認識。建議終端芯片產品龍頭與制造龍頭進行深度綁定，打通產業鏈路，強強聯合，共同成長進步。

最后，注重知識產權建設，以防低端重復背后的IP問題。靠拆屋子式的內卷、分家式的低水平重復競爭救不了中國芯片產業。新公司的增加，人才的流動，一定程度上加劇了國內芯片低端產品的重復，其后藏著知識產權爭執隱患。當法律越來越健全，行事有所界限，產業環境才會更加向上，創新氛圍才會更加活躍。


04
2023年國內半導體產業發展動向

一是半導體材料的國產替代迎來黃金窗口期。

在全球疫情、中美貿易爭端和需求端疲軟等多重因素影響下，全球半導體產業進入下行周期。我國半導體產業不僅受世界經濟環境的影響，而且受國家間爭端的沖擊。

隨著2022年美國芯片法案的出臺和半導體設備對華出口受限等事件的發生，半導體材料的國產替代被迫加速。

當前我國半導體材料平均國產化率在15%左右，其中晶圓制造端的國產率偏低，封裝端的國產化率較高，核心材料幾乎全部進口。隨著我國晶圓廠的建設，2023年我國半導體材料的研發進程提速。

二是合資企業將增多。

由于美國企圖與中國半導體產業脫鉤，美國企業曾一度裁撤了部分在華研發團隊。

但2023年形勢將有所好轉：

首先，中國疫情防控全面放開，中國經濟也將逐漸恢復生機，中國仍會是多國外企無法割舍的目標市場。

其次，中國擁有相對領先的應用市場，如新能源汽車、新能源發電、智慧城市應用等，目前都是火熱發展的領域，向上的市場將吸引更多外資的注意。

再者，半導體產業鏈全球化阻斷，各國半導體產業鏈將呈現區域化發展特征。

中國在內外雙循環的戰略格局下，將會大力扶持國內半導體產業，積極鼓勵外企來華投資，對于合資企業將是很好的發展機遇。

三是第三代半導體產業加快布局。

第一代半導體是以硅（Si）、鍺（Ge）為代表原料；第二代半導體是以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表原料；第三代半導體是以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、硒化鋅（ZnSe）等寬帶半導體原料為主。第三代半導體產業鏈分為原材料和設備、器件設計與制造、三代半器件/模塊和下游應用四大環節。

面對國際市場環境波動、產業周期下行、供應鏈風險等諸多問題，為保障國內產業發展，政企持續加大第三代半導體布局，從技術研發、資金支持、稅收優惠等多方面持續推動，使得國內第三代半導體產業發展駛入發展“快車道”。

05
2023年是半導體產業布局的“中堅”之年

2022年是中國半導體產業內憂外患的一年，全行業共克時艱、砥礪前行，終于迎來了全面放開的2023年。未來一年將是強化“抗體”、放開手腳，擺脫束縛的一年；是合作開放、兼容并包、廣泛交流的一年；更是踔厲奮發、篤行不怠、勇毅前行的一年。半導體難是個不爭的事實，但是華人產業領袖在全球半導體中縱橫四方，說明勤勞智慧的中國人民有做好半導體的內在基因，我們有信心和決心做好這個產業。

2023年是國家“十四五規劃”的“中堅”之年，更是“攻堅”之年。“十四五”期間，我國集成電路產業將繼續圍繞技術升級、工藝突破、產業發展和設備材料研發等四個方面重點發展，繼續開辟拓展新的應用市場，快速推動新能源汽車、風光電儲能等應用場景的廣泛布局；加速集成電路自主可控供應鏈的建設，同時鞏固與國際供應鏈的合作關系，實現國內國際雙循環協同發展格局；將進一步促進集成電路產業要素資源的高效共享，用好資本力量及市場手段，精準推動企業發展。

各級政府紛紛在深入研究半導體產業發展規律，深化落實國家、省、市、區/縣各級相關產業的政策，建立長遠規劃、科學決策機制，根據自身資源稟賦，差異布局，以市場手段為主導，行政手段為輔助，推動產業集群化發展。

對于地方政府發展半導體產業而言，要深入開展產業調研，結合國家戰略，謀求城市在區域布局中的合理定位，充分利用自身資源稟賦，實現差異化競爭，避免不必要的內卷與內耗；對于相關重大項目，要堅定履行主體集中原則，推動產業上下游集聚協同發展；繼續全面開放應用場景，出臺專項政策，鼓勵芯片、軟件、裝備、部件、主材及耗材在整機終端及半導體工廠中實施替代，探索首臺（套）裝備及軟件保險機制及工業、汽車、醫療等高端應用領域的芯片保險保障機制，并推動實施與兌現，充分開拓內需，實現“國產化”的逐漸替代，通過“企業主導、政府引導、人才先導”的模式，破解工業、汽車、醫療等相關領域芯片的應用難題，以金融保險手段分擔產業鏈上下游風險并疏通瓶頸，營造產業創新生態。


最后

未來國內半導體產業面對的外部環境會更加艱難，緊箍咒只會會越來越緊。外部越是無法突破，內部越應該積極有力成長。只有形成高效、穩定的產業鏈協作，正向循環，才能突破層層禁錮。破除內卷，是中國半導體修煉內功，向上生長需要邁出的第一步。