ASML是全球唯一能生產EUV光刻機的公司，因此奠定了ASML行業巨頭的地位。但是EUV光刻機并不是唯一能生產出高端芯片的方式，別的技術和工藝也在突破高端芯片制造的可能性。

一旦成功，EUV光刻機的時代可能就要落幕了。那么都有哪些技術探索呢？ASML還能把握EUV光刻機風口嗎？

EUV光刻機時代落幕了

一顆芯片的誕生會經歷設計、制造、封裝三大環節，其中制造環節是最重要，難度也是最高的。芯片設計花費的成本普遍集中科研投入，EDA軟件的授權以及人力成本等等。

但是芯片制造從搭建生產線到采購設備材料，再到實際生產等等都需要幾十億美元的開銷。如果是生產7nm，5nm等高端芯片，動輒百億美元的投入都是很正常的。

別的不說，單單是采購一臺EUV光刻機就需要1.2億美元，臺積電擁有80臺以上的EUV光刻機，可想而知資金投入有多大。

EUV光刻機產能有限，成本高，且容易受到規則的限制無法自由出貨，所以外界在嘗試探索繞開EUV光刻機生產高端芯片的技術和工藝，那么都有哪些技術探索呢？

首先是日本鎧俠的納米壓印技術。

傳統的芯片制造方法是通過光刻機運用照相機的原理，將設計好的芯片圖案曝光在晶圓表面，整個過程極度依賴光學系統、物鏡系統、雙工件臺、控制系統這四大件。

如果是生產高端芯片，還需要運用EUV極紫外光。功耗大不說，過程也十分繁瑣。

但是日本鎧俠公司研發的納米壓印技術簡略了制造過程，降低了成本。所謂的納米壓印技術其實就是將芯片圖案刻制的設備模板中，然后以“蓋章”的方式把芯片圖案壓印在晶圓表面。

鎧俠，佳能等日本巨頭打算朝著5nm高端制程的方向發展，如果成功，或許是半導體行業的重大突破。

其次是DUV多重曝光技術。

目前ASML生產出貨的EUV光刻機數值孔徑為0.33，有非常高的精度。設備雖好，卻不是誰都能買得到。相比之下，DUV光刻機的獲取難度會更低一些。

但由于精度有限，想要將更精密的芯片線路曝光出來，就需要采用多重曝光技術了。臺積電曾用DUV光刻機多次曝光實現了7nm的量產，證明了多重曝光技術的可行性。

不僅如此，美國存儲芯片巨頭美光科技也采用了多重曝光，運用DUV光刻機開發出高性能DRAM芯片，芯片能效提升了25%，功耗降低20%，密度提升了35%。

另外還有先進封裝工藝。

芯片制程不斷壓縮，到了3nm之后出現了各種各樣的問題。比如三星量產的3nm良率低，導致客戶抱以謹慎使用的態度。還有臺積電即將量產的3nm也存在成本的現象，據傳臺積電每片12英寸晶圓的代工報價超過了2萬美元，折合人民幣14萬元。

如此昂貴的價格，可能會勸退不少客戶，或者導致終端產品的價格暴漲，消費者需要花更多錢才能買到產品。

這些都是追求芯片性能提升的附加條件，不過業內正在積極探索先進封裝工藝，用2.5D/3D封裝技術將芯片性能持續擴大。

目前已經有芯片堆疊，芯粒等路徑在進行開拓了，且先進封裝會成為后摩爾時代的主流技術。不需要EUV光刻機，也能維持先進封裝工藝的持續發展。

就有美媒表示，EUV光刻機時代開始“落幕”了，鎧俠的納米壓印技術，美光的EUV多重曝光和先進封裝工藝都有望擺脫對EUV光刻機的依賴。

半導體行業本就是如此，在不斷探索中前行，當初人類創造出EUV光刻機，同樣是在無數種選擇中脫穎而出。但我們明顯能夠看出，EUV光刻機的制程已經有所放緩了，ASML下一代的NA EUV光刻機有可能是最后一代制程。

ASML能否繼續把握EUV光刻機的風口，就得看傳統芯片制造工藝還能走多遠，或者說摩爾定律能否延續十年，二十年以上的發展。

寫在最后

ASML的EUV光刻機將人類芯片從中低端推向高端，不可否認帶來的貢獻是非常大的。可未來的路不能僅限于EUV光刻機，在人類長達半個世紀的芯片發展歷程中，都是在打破極限，也許EUV光刻機只是打破極限的開端。