在半導體逆全球化陰霾下，各國在半導體供應鏈上都做了哪些努力？
近期在臺積電亞利桑那州工廠的遷機儀式上，張忠謀也表示“（半導體行業）全球化幾乎已經死亡，自由貿易也快死了。很多人仍然希望他們能回來，但我認為他們不會回來。”
籠罩在半導體逆全球化陰霾下，全球幾大核心玩家，近期也是大動作連連。
? 美國：制造大廠回流，上游材料配套完善
為提升自身的半導體制造業特別是彌補先進工藝的“落差”，美國一方面祭出《芯片法案》真金白銀大舉投入，另一方面，全力支持英特爾IDM2.0戰略落地以及IBM、美光等一眾嫡親在半導體制造的投入，并且恩威并施讓代工業巨頭臺積電、三星到美國投入巨資建設先進工藝廠。
對此，各家晶圓制造大廠紛紛響應：英特爾200億美元新工廠在美奠基；美光宣布計劃投資150億美元在愛達荷州博伊西市建立新工廠，并將在未來20年內斥資1000億美元在美國紐約州興建大型晶圓廠；韓國SK集團在美國密歇根州建立名為SK Siltron CSS的半導體晶圓廠；臺積電將5nm、3nm技術紛紛導入...
隨著本土晶圓廠未來的持續擴產將會帶來上游產業鏈的強勁需求，供應鏈安全也將成為其戰略中的重要一環。設備和材料作為半導體制造行業的支撐產業，也將是未來建設的重點對象。
由于美系設備產品是全球龍頭，基本無供應短板，而以硅片、電子氣體、濕電子化學品為代表的半導體材料，市場龍頭多位于日韓、歐洲，預計會是未來重點發展對象。以濕電子化學品為例，techcet預計，美國半導體制造用濕化學品需求2022年將超過21萬噸，并且隨著該國本土晶圓制造產能未來進一步激增，濕化學品供應預計將趨于緊張。
對此，材料端廠商也是積極響應：化學品供應商已承諾支持芯片法案通過后的美國本土擴產潮，關東化學、三菱瓦斯等公司也已經宣布擴產計劃；環球晶圓已于美國時間12月1日舉行得州12英寸新廠GlobalWafers America動土典禮，這是美國近20年來首座硅晶圓（硅片）廠。
? 歐洲：旨在到2030年將其全球半導體市場份額從10%翻番至至少20%
在過去的幾個月里，歐盟一直在討論對半導體行業的補貼問題，并繼續對《歐洲芯片法案》的落地情況征求業內意見，歐盟旨在到2030年將其全球半導體市場份額從10%翻番至至少20%。
歐版《芯片法案》旨在減少歐盟半導體產業的脆弱性和對外國參與者的依賴，提高聯盟在芯片領域的供應安全、彈性和技術主權，它將調動430億歐元的公共和私人投資，包括專用于“歐洲芯片計劃”的33億歐元。歐洲理事會現在一份新聞稿中表示，“地平線歐洲”計劃中的16.5億歐元應專門用于研究和創新。
那么歐盟的投資規模是否足以實現戰略自主？
首先，不可能實現絕對的戰略自主權，因為對第三國的依賴可能仍然存在，包括稀土元素和先進半導體制造所需的其他生產材料。然而，生產這些材料的國家——尤其是中國——可能仍將依賴美國和歐盟的設計或制造設備。由此產生的相互戰略相互依存需要謹慎管理，理想的方式是改善而不是破壞戰略穩定。
其次，半導體市場將需要巨額投資，從現在到 2030 年的資本支出估計為 8250 億美元。單個晶圓廠可能需要高達 200 億美元。為了實現歐盟 20% 生產份額的目標，歐洲的總半導體資本支出必須約為1640 億美元。美國要想從目前的 12% 恢復到 1990 年代的 37% 份額，需要超過 3000 億美元。
目前尚不清楚政策計劃資金之間與投資需求之間的資金差距將如何填補，但必須進行進一步的戰略性財務規劃，以增強實現戰略自主權的努力的可信度。
韓國半導體設備國產化率20-30%
去年，韓國半導體制造商的投資是有史以來最大的。隨著半導體供應短缺，需求激增，市場顯著增長。半導體設備市場也在蓬勃發展，但與海外企業相比，韓國企業的收益較弱。這是由于半導體先進工藝裝備韓國國產化率低所致。
據了解，韓國半導體設備國產化率為20-30%。雖然刻蝕、沉積等半導體核心工藝設備國產化比例正在提高，但整體占比并不大。這意味著韓國高度依賴外國。存儲器是韓國半導體產業成長動能，但是代工設備市場處于起步階段。具有高增長潛力的代工工藝由應用材料、ASML、東京電子（TEL）、Lam Research、KLA等國外公司主導。
在這種情況下，韓國半導體設備需要依賴進口。根據韓國海關的進出口貿易統計，去年半導體設備的貿易差額為134億美元。與上一年相比，增加了59%（84億美元）。
在日本限制出口之后，半導體和顯示材料成功國產化的成功案例層出不窮。但是，關鍵材料仍然高度依賴日本。半導體和顯示廠商也在努力提高國產材料的比重，但無論是性能還是量產能力，都難以超越日本。先進材料高度依賴日本進口，其他原材料高度依賴中國進口。
高端技術的自主性只能通過加大研發投入來解決。由于韓國上游配套企業都為中小企業，難以承受巨額的研發成本。
韓國半導體工業協會執行副會長 Ki-hyeon Ahn 表示，解決半導體供應鏈問題的方法之一是本地化。
在新政府中，許多聲稱呼吁推出支持中小企業研發的政策，例如，中型企業研發稅收抵免25％。由于韓國有三星電子、SK海力士、三星顯示器公司和LG Display 等，因此還需要進一步加強公司之間的本地化合作生態系統的政策。
? 日本：發力先進制程，引入先進技術，擴大光刻機生產
在半導體產業第一次產業轉移時，日本一度是比肩美國的全產業鏈覆蓋強國。由于新一輪的產業轉移以及半導體下游需求結構的變更等因素，日本半導體產業優勢逐漸褪去，僅在上游的設備與材料端仍能保持龍頭地位。就晶圓制造能力而言，目前，日本工廠只能生產40納米產品。
為了在日本生產用于超級計算機和人工智能（AI）等的下一代半導體，豐田汽車、索尼集團、NTT等約10家企業聯合成立了一家新公司Rapidus，共同推進技術開發，聯合與日本國外市場競爭。除了豐田等3家企業外，軟銀、NEC、電裝、三菱日聯銀行、鎧俠也將出資。日本政府也宣布將出資700億日元支持。
Rapidus旨在大規模生產2納米制造技術，目前量產產品推進到3納米。該計劃是在2020年代后期建立一條生產線，并在2030年左右開始半導體的制造業務。
此外，日本經產省已向臺積電、美國芯片制造商美光、鎧俠及其美國合作伙伴西部數據提供補貼，以擴大其在日本的芯片生產。其中，臺積電日本熊本廠于2022年開始建設，計劃于2024年底開始投產。為了滿足市場需求，除了之前的宣布采用22/28納米工藝并將月產能提高到55,000片12英寸晶圓外，還將利用12/16納米FinFET工藝技術增強該廠生產能力。臺積電副總經理侯永清表示將根據熊本廠建設情況決定是否再建新廠（可能導入6/7nm制程）。
此外，作為全球唯二對外供應前道光刻機設備的國家，日本也正發力光刻機產能的擴張并布局先進技術。其中，佳能公司宣布將在宇都宮地區新建工廠，擴大其半導體光刻設備產能，此舉是為了應對中長期需求的增長，新工廠計劃投資額約380億日元，計劃在2023年下半年開工，2025年上半年建成投產，這也是該公司21年來首度擴產。該工廠除了生產其現有的光刻機系列產品，還將生產納米壓印光刻設備（如使用納米壓印制造先進制程芯片，成本將比現有EUV光刻機降低40%，能耗減少90%，有望成為EUV光刻的替代工藝）。尼康公司于今年八月提出半導體光刻設備新的業務發展目標，即到2026年3月為止的財年，將光刻機年出貨量較目前的三年平均水平提高一倍以上。
不難發現，各國均圍繞著先進制造的本土化以及對上游配套進行補短板，而非此前的比較優勢放大，供應鏈安全逐漸成為各國半導體產業繞不開的一環。
目前，大多數的計劃已經開始逐步推進，后續存在諸多不確定性，許多項目可能會不了了之，但從中反映出的各國未來在先進芯片制造上的角逐，以及對供應鏈逆全球化的預期，仍值得關注與思考。
