還有一種是后道光刻機，用于芯片后期的封裝，在芯片制造過程中，屬于后道工序，所以叫后道光刻機。

前道光刻機對光刻機的精度要求非常高，所以會有按精度分的DUV、EUV等光刻機。而后道光刻機雖然重要，但要求不一樣，主要是進行2.5D\3D先進封裝的光刻機，所以相對要求會低一些，所以當前大家更關注的是前道光刻機。

而前道光刻機方面，自然ASML是老大，畢竟EUV光刻機，只有ASML能夠生產(chǎn)，而國內(nèi)自研的前道光刻機，分辨率顯示還是90nm的。

那么問題就來了， 國產(chǎn)90nm的前道光刻機，究竟能夠生產(chǎn)幾納米的芯片，是不是就只能是90nm了？

事實上并不是的，在一些晶圓廠的實際測試中，在精度方面，90nm肯定沒問題的，同時經(jīng)過兩次曝光，可以得到45nm的芯片，三次曝光最高可以達到22nm左右的水平。

那么有沒有可能繼續(xù)進行第4次曝光，然后就實現(xiàn)了11nm，再進行第5次曝光，然后實現(xiàn)10nm以下呢？理論上可以，但實際不行。

在測試中，進行到第三次曝光時，晶圓的良率已經(jīng)降低到了一個相當?shù)偷闹担踔劣袝r候會低于20%了。如果進行第四次曝光，估計良率會低到離譜，至于第五次、第六次，根本不用想了，良率會接近于0%。

目前像ASML的DUV光刻機，一般最多也只進行兩次曝光，很少進行多次曝光，因為會大幅度的降低良率，造成成本上升，這是得不償失的。

據(jù)稱，目前國內(nèi)正在研發(fā)28nm精度的光刻機，那么經(jīng)過2次曝光后，能夠達到14nm，然后可以嘗試性的進行第三次曝光，然后有可能邁入7nm。

當然，以上只是猜測，因為精度越高的光刻機，多次曝光的難度也就越高了，一切還得看真機的實測才行。

所以，我們還是期待一下國內(nèi)科技企業(yè)能早日攻克EUV光刻機的技術難點，這樣才能盡早徹底解決芯片“卡脖子”的問題了，而不是想著多次曝光這種取巧的、以良率換工藝的辦法。