當前先進芯片制造工藝獲得業界的廣泛關注，在ASML的EUV光刻機支持下延續了摩爾定律，然而到了如今硅基芯片已逐漸達到了物理極限，全球眾多芯片企業紛紛開發新技術試圖繞開EUV光刻機的限制。

對于現有的硅基芯片，全球最大的芯片制造企業臺積電研發先進工藝已遇到了巨大阻力，3nm工藝已延遲了一年，在今年三季度研發成功后卻被蘋果認為用它試產的A16處理器性能不達標，成本卻太高，最終蘋果舍棄了3nm工藝，導致臺積電的3nm工藝面臨無客戶采用而沒有量產。

在先進工藝研發難度、成本高的情況下，臺積電如今也開始轉向以封裝技術提升現有工藝的性能以滿足芯片企業的要求，臺積電已聯合了19家芯片企業成立“3D Fabric ”聯盟，以先進的封裝技術提高5nm、7nm等現有工藝的性能，甚至可以提升無需EUV光刻機的7nm、16nm工藝芯片的性能。

臺積電是ASML的第一大客戶之一，更是EUV光刻機的主要買家，在臺積電給了ASML一記重錘之后，ASML一直順從的美國卻又給了它一記重錘。美國芯片企業美光表示繞開EUV光刻機研發的10nm級別的1β工藝提升了存儲密度30％，而功耗降低了20％，更重要的是成本大幅下降，這主要是因為EUV光刻機比美光現在采用的EUV光刻機貴了2－3倍。

其次是美國光刻機企業Zyvex公司研發電子束光刻機，繞開了ASML的EUV光刻機，并且將先進工藝提升到0．768納米，打破了ASML尚未量產的第二代EUV光刻機的極限，為芯片制造開辟了新的道路，如此一來美國芯片企業未來很可能不再采購ASML的EUV光刻機。

臺積電和美國芯片企業都在舍棄ASML的EUV光刻機，ASML終于開始重新將目光放在中國市場，近期表示將大舉擴張光刻機的產能，EUV光刻機產能將提升到90臺，DUV光刻機產能增加至600臺，然而它遲遲未能對中國自由出貨，而中國芯片已經等不及了。

中國芯片制造企業以現有的DUV光刻機將芯片制造工藝推進至7nm，國內的芯片封裝企業通富微電等又研發了5nm芯粒封裝技術，如此國產芯片可望提供接近5nm工藝性能的芯片，對ASML的EUV光刻機需求迫切性下降。

在現有芯片技術之外，中國還在加緊開發量子芯片、光子芯片、石墨烯芯片等技術，不少國內芯片企業都公布了它們的相關專利，顯示出中國在先進芯片技術方面的突破，其中光子芯片更是中國最快實現商用的技術。

早前中國一家企業就被媒體報道已籌建全球第一條光子芯片生產線，預計最快在明年量產，一旦光子芯片實現商用，那將徹底革新當下的芯片技術，光子芯片的性能比硅基芯片高1000倍，功耗則只有硅基芯片的千分之一，具有廣闊的應用前景。

這一切無不顯示出全球芯片行業都在繞開成本昂貴的EUV光刻機，降成本已成為芯片行業的共識，可以說以獨有的先進EUV光刻機稱霸全球芯片制造行業的ASML已到了落幕的時候，尤其是ASML一直順從的美國繞開EUV光刻機更是給它重擊，ASML的艱難日子或許正在到來。