即將量產8英寸碳化硅襯底，天科合達的技術有多拔尖？碳化硅成為最熱賽道之一
由于國內相關產業起步較晚，從以往SiC襯底量產節點來看，國際上4英寸SiC襯底量產時間比國內早10年左右，而6英寸拉近了差距，量產時間差大約在7年左右。不過隨著產學研結合的模式鋪開，以及相關產業的投資熱潮，帶動國內SiC襯底加速追趕國際領先水平。
最近天科合達在徐州發布了8英寸導電型SiC襯底，并公布了關鍵實測數據，表示多項指標均處于行業內領先水平。至于量產時間，公司透露8英寸的小規模量產時間定在2023年。
天科合達的半導體實力
襯底實現大尺寸、低缺陷突破
9月14 日，國家電網主導的35kV全SiC柔性變電站在雄安智慧驛站順利投運。
10月11日，國網智研院功率半導體研究所官微宣布公布了更多的細節。
首先他們聯合中科院半導體所、天科合達、中電五十五所、株洲中車等18家單位，經歷了6年的自主攻關，已經成功實現了6.5kV級碳化硅材料-芯片-器件-測試-驅動-裝置應用全鏈條技術突破。
與此同時，他們還研制了同電壓等級國際上電流最大的6.5kV/400A碳化硅MOSFET模塊，可應用于35kV/5MW全碳化硅電力電子變壓器。
具體來說，他們實現了哪些突破呢？
眾所周知，各種SiC功率器件在低壓（600～1700V）領域實現了應用，但更高耐壓（6500V及以上）的器件，受限于襯底材料缺陷密度和直徑，厚外延材料缺陷大，高壓芯片結構設計窗口窄，工藝加工難度高等因素，目前仍處于研發階段。
而國網他們這次開發了6.5 kV/25A SiC MOSFET和6.5kV/400A碳化硅MOSFET模塊，并實現了柔直電站的穩定運行，可以說得益于多個SiC環節產品質量和制造工藝的進步。
首先，在SiC襯底方面，業者多項研究表明，100A的SiC MOSFET芯片面積大約為10 平方毫米，而6.5kV/30A/20A大約為7-8平方毫米。而0.5-1cm2有源面積大尺寸SiC器件是很難以高良率制造的，其中缺陷密度很關鍵。
同樣是1.68cm-2的缺陷密度，4平方毫米的芯片良率可以達到87%，而且10平方毫米的芯片良率會掉到49%左右。
據國網半導體所介紹，碳化硅材料方面，天科合達他們攻克了高壓碳化硅器件對6英寸單晶襯底擴徑生長、缺陷密度控制和大尺寸外延缺陷控制、快速外延生長等技術難題，研制了高質量國產單晶襯底，實現了低缺陷密度厚外延材料制備。
外延、器件、測試等環節也實現突破
實現了高壓SiC MOS的可靠性
其次，外延質量也很重要。
3.3kV SiC器件的外延層大約為30μm，而6.5-10kV則要達到50-90μm，而高壓器件的一個關鍵挑戰是，較厚的外延層會導致出現更多的缺陷，而且從4吋到6吋摻雜控制和均勻性也變得更加困難。
所以，該項目團隊通過改進外延SiC生長工藝，將影響芯片生產良率的表面缺陷密度進行了有效控制，尤其是提高了“殺手級”缺陷BPD轉換率，提升了SiC器件的可靠性。
碳化硅芯片方面，該項目團隊解決了設計和工藝兼容性差、導通電阻大、碎片率高等難題，在國內首次掌握了6英寸碳化硅芯片全流程工藝，國內首次批量研制高耐壓、高通流能力的6.5 kV/25 A SiC MOSFET芯片，通過高溫柵偏、高溫反偏等系列可靠性測試。
碳化硅測試方面，項目團隊建成了國內首套6.5kV/400A SiC MOSFET模塊動態測試平臺，系統寄生參數低，克服了現有商業測試平臺的不足。
攜手奮斗17年，打造國產半導體產業的明天
一片直徑15厘米、厚度只有0.35毫米的碳化硅晶片，上面能刻畫出龐大的信息。然而碳化硅晶片的制作工藝極其復雜，需要把碳化硅原料加熱到2300℃并變成氣態后，再通過控制包括溫度、壓力在內的各種技術參數，最后結晶形成硅錠。這項技術難度高、且占器件成本一半的襯底材料，被視作碳化硅產業鏈關鍵環節，業內也有著“得襯底者得天下”的說法。打個比方， 5G速度快就在于它有一顆非常強大的心臟，而這個心臟依賴的就是這一片薄如紙的碳化硅晶片。
過去這種晶片主要產能集中在歐美，由于其他國家拒絕分享核心技術，我國碳化硅晶片的研究進展一直十分緩慢。而就在最近十年，在楊建和搭檔陳小龍的努力下，情況已經發生了巨大轉變。2014年，天科合達終于成功將6英寸的晶片研發成功，并于2016年量產推向市場。
從開始接觸碳化硅晶片技術到量產推向市場，楊建和搭檔陳小龍整整奮斗了十七年。
作為高新技術企業的帶頭人，楊建對技術人才有著迫切的需求。與其挖掘人才，不如自己培養人才。在楊建看來，北京有著濃厚學術環境和得天獨厚的科研優勢，用培養的方式獲取人才，才能給自己制造更多的機會。北京市組織部、大興區組織部對此也是大力支持，為公司5名成熟人才、15名應屆碩士解決了北京戶口，15人解決公租房。此外，公司5人還獲得“大興區新國門領軍人才”稱號、6人獲得“大興區優秀青年”稱號。這是人才對北京的情愫，更是北京對人才的溫度。
與此同時，北京市大興區政府在國家（市級）項目匹配資金、重大科技成果轉化、促進高精尖產業發展、人才培養等方面，全方位、多維度給予了企業資金和政策支持。在2020年，天科合達向北京市大興區申請土地為工廠擴建做準備。雖然工程進展受到疫情影響，但在政府各方努力協調下，新工廠的建設已經進入尾聲，預計今年七月底就能進駐投產。
目前，天科合達在導電型碳化硅晶片方面占據了將近90％以上的國內市場。這也意味著，天科合達完全有能力替代國外產品，去適應中國自己的碳化硅晶片需求。
行業圍攻SiC襯底市場
在對SiC襯底的爭奪方面，可以從兩個緯度看。一方面，是那些器件廠商打造自己的襯底供應，消防隊羅姆和ST打造自己的全供應鏈。
另一方面，第三方SiC供應的爭奪也逐漸白熱化。首先大家熟悉的，多年的競爭對手的出招。II-VI在去年三月宣布，計劃擴大其在中國的碳化硅（SiC）晶圓加工生產基地。報道指出，該計劃將在5年內將其SiC基板的生產能力提高5到10倍，包括直徑200毫米的襯底；昭和電工在去年八月也宣布，將藉由公募增資、第三者配額增資籌措約1,100億日元資金，其中約700億日圓將用于擴增SiC晶圓等半導體材料產能。
除了上述企業外，日經經濟新聞在日前報道中指出，日本企業住友金屬礦山（簡稱住友礦山）開始量產新一代功率半導體使用的晶圓。
報道表示，住友金屬礦山于2017年收購了電子部件經銷商加賀電子旗下的碳化硅基板開發企業日本SICOXS，一直在推進共同研究。在晶圓制造方面，將主要由東京的青梅工廠負責前制程、由鹿兒島縣的鹿兒島工廠負責后制程，然后供貨。
日經指出，因為住友礦山開發出了相關技術，在因結晶不規則而價格較低的底層「多晶碳化硅」上貼一層可以降低發電損耗的「單晶碳化硅」，從而做成1片晶圓。據悉與只用單晶碳化硅的傳統產品相比，價格低1~2成。按照日經的說法，住友礦山要搶占美國科銳（CREE）等領先企業的市場，而預計2025年實現月産1萬片。此外，住友礦山還考慮開發可以高效量產功率半導體的直徑8英吋產品，并在海外建設生產基地等。
無獨有偶，全球硅晶圓大廠環球晶對這個市場也虎視眈眈。
據報道，環球晶董事長徐秀蘭上月底在出席國際光電大展時透露，明年將同步擴產GaN(氮化鎵) 與SiC(碳化硅) ，產能均將翻倍成長。報道指出，環球晶目前6 吋SiC 襯底月產能約2000 片，部分客戶已開始出貨，據悉，由于客戶需求強勁，明年6 吋SiC 襯底產能將不只翻倍增，而是呈現倍數成長，可望擴增至5000 片，也有機會進一步提升至8000 片。
去年九月，韓國SK 集團也宣布，計劃在碳化硅襯底業務上投資 7000 億韓元（約合 38億元人民幣），以期 2025 年成為世界尖端材料市場的龍頭。根據報道，SK 集團計劃將 SiC 晶圓的生產能力從2021年的年產3萬片增加到 2025 年的每月 5萬片，大幅提高他們的市占率。該他們預測，2021 年 ，公司SiC 晶圓業務的銷售額將達到 300 億韓元，并計劃到 2025 年將銷售額提高到 5000 億韓元
SOI晶圓供應商Soitec在去年11月30日也宣布，收購碳化硅晶圓拋光和回收公司NOVASiC，以推動電動汽車和工業應用電源系統半導體的開發。Soitec表示，他們將通過獨特的碳化硅技術SmartCut，用多晶碳化硅襯底，來提高單晶供體碳化硅襯底的重復使用率、良率、性能。
當然，正在大力發展半導體產業的中國，也自然不會錯過這個機會。如最近上市的天岳就是國內SiC襯底的供應商。另外還有天科合達和三安光電等本土企業正在深耕這個領域。
不過，正如天岳在招股說明書中所說：“根據公開信息，行業龍頭科銳公司能夠批量供應 4 英寸至 6 英寸導電型和半絕緣型碳化硅襯底，且已成功研發并開始建設 8 英寸產品生產線。目前，公司主要產品是 4 英寸半絕緣型碳化硅襯底，6 英寸半絕緣型和 6 英寸導電型襯底已形成小批量銷售，與全球行業龍頭尚存在一定的差距。”
這可以看作國內碳化硅襯底的一個縮影，但可以肯定的是。作為全球最有影響力的市場之一，中國廠商在這個賽道的未來表現絕對不容忽視。
