光刻是大規模集成電路芯片制備的核心工藝環節，其中，EUV光刻機是服務于7nm 以下制程芯片的設備。生產EUV光刻機的技術壁壘極高，除了光刻機結構的整體設計外，其零部件工藝也是目前光學以及精密機械領域的極限水平。目前EUV光刻的產業化是一個全球頂端供應鏈的結構，德國的光學鏡頭、英國的真空設備、美國的激光光源、日本的光刻膠等國際尖端技術，組成了整個EUV光刻機制造的產業鏈條。

目前全球僅有荷蘭ASML公司具有EUV光刻機的生產能力，主要是因為荷蘭在歐洲所處的貿易環境，以及歐盟國家具有的相關產業優勢，再加上該公司自身出色的設計能力，使其壟斷了EUV光刻機的國際市場。

制造先進光刻機，比造原子彈還要難？

十多年來，ASML一直都占據著全球第一的位置，而ASML的總裁也曾表示，即使他們將EUV光刻機制造的圖紙公開，也沒有一家公司可以順利制造出來。

EUV光刻機，這臺比原子彈還難造的機器，單臺售價超過1.2億美元，雖然價格高昂，卻依舊供不應求，甚至有些國家就算出價再高也買不到。

一臺頂級的EUV光刻機重達180噸，包含大約10萬個零部件，全球供應商超過5000家，需要40個集裝箱運輸。即使你購買到了ASML的EUV光刻機，如果沒有他們的幫助，你也無法正常安裝使用，整個光刻機設備的安裝調試就需要一年時間。

雖然ASML是一家荷蘭公司，但它的背后卻有著歐盟及美國的力量，很多關鍵技術都是由美國及歐盟國家提供的。一臺頂尖EUV光刻機的零部件中，美國光源占27%、荷蘭腔體和英國真空占32%、日本材料占27%、德國光學系統占14%，它是全世界頂尖技術的結晶。

目前中國的光刻機領域還處于初步發展階段，上海微電子已經能夠實現90nm光刻機量產。但是90nm之后，還有65nm、45nm、32nm、22nm、14nm、10nm、7nm、5nm，這些節點技術一步一個坎，有些坎幾年都未必能更新出一代。萬里長征才開始第一步。


日企突破5nm芯片制造設備，或將解決中企“EUV光刻機”供應問題

在不斷升級的芯片規則下，中企在半導體領域舉步維艱，每一項技術都要實現自主化，否則隨時都有被斷供的可能性，無法很好的聯動國際供應鏈，導致無法突破先進工藝制造瓶頸。

而真正“卡住”國內企業的是光刻技術，目前就連DUV光刻機都要高度依賴于ASML，而最先進的EUV光刻機更是被限制進口，這也出現了兩極分化的狀態，在芯片設計上已經突破了5nm水準，但在制程工藝上僅為14nm。

ASML被老美施壓斷供DUV光刻機，但卻以強硬的拒絕了，顯然已經嗅到了“危險信號”，日企佳能開建全新的光刻機產能，宣稱已經突破了5nm芯片的制造技術，中企的“EUV光刻機”供應問題能解決了？

在相關限制啟動的三年時間里，中國半導體產業迎來了飛速發展，全產業鏈的配套技術，都有相應的企業在研發，只要國產的光刻機能夠到位，就能夠實現14nm以上的產能自主化，在見到這樣的情境之后，老美也徹底開始著急了。

對于現階段的處境而言，想要期待老美放開EUV光刻機的限制，可以說基本上不可能，因此擺在我們面前的只有兩條路，要么自研自產高端的光刻機，要么就得尋找不含美技術的廠商。

目前國內僅能實現90nm光刻機的量產，如果按照ASML的老路走的話，沒有國際供應鏈的支持，想要突破到滿足7nm以下芯片制造的光刻設備，就算能夠實現也需要很長的時間，相對而言第二種就比較容易實現，而日企佳能就給我們帶來了好消息。

日本的半導體產業也曾盛極一時，當時的美企和日企根本就不在同一個層次上，但也正因為如此遭到了老美的打壓，雖然如今自主化產能僅維持在30nm左右，但良好的技術底蘊還在，佳能、尼康更是被稱之為“光刻機鼻祖”，這幾個字眼就足以說明一切了。

就在近日外媒傳出了消息，日企佳能的光刻機新工廠已經開建，正式投產之后將會誕生低成本的先進芯片制造設備，很有可能就是2021款的納米壓印光刻機的升級版，能夠突破到14nm線寬的分辨率，足以滿足納米芯片的生產需求。

而目前ASML的EUV光刻機，也差不多就這樣的水平，要生產5nm以下的芯片，就需要依靠新一代的NA EUV光刻機，才能達成更好的效果，因此這次佳能的突破，相當于已經打破了ASML對于EUV光刻機的壟斷。

目前在成熟工藝上，國內基本能夠實現自給自足了，但在先進工藝上，依然要依賴于美企的進口，如果佳能的新型的光刻機能夠出口，這方面的顧慮也就迎刃而解了，那究竟日企的先進設備，能夠正常的出貨到中國市場呢？


EUV技術未來的市場前景和技術發展趨勢

EUV光刻機并不是應用消費產品，作為高端制造設備，其實際的市場并不會很大。ASML預計今年EUV設備出貨量有望達到50臺，雖然絕對數量有限，但是因為附加值高，最終的產值會非常可觀。隨著芯片在各領域的大量使用，芯片制造也成為一個重要的增長點，因此目前ASML的產能還不能滿足市場需求。

EUV光刻機投入使用后，又大量催生了EUV曝光設備的需求。就目前的訂單數據顯示，2025年之前的EUV光刻機需求將逐年創下新紀錄。隨著芯片制程工藝的提升，臺積電和三星已采購大量EUV光刻機，存儲芯片制造商SK海力士也已開始采用EUV光刻機，未來5年也將大幅增加采購量，美光科技也計劃在2024年開始使用EUV設備。相關芯片生廠商將會進一步推動高端芯片的下游市場活力，進而使得EUV技術的市場前景看好。

關于EUV光刻機未來的發展方向，當前ASML正在探尋NA從0.33向0.55推進，預計2025年后能夠進入量產，對 1.5nm及1nm邏輯制程工藝提供支撐，并有望在目前最先進的DRAM制程中得到應用。對于0.55 NA的光刻機而言，僅僅是光刻機系統的更新是不夠的。作為一個高協調性的復雜光學設備，光刻機中的任何一個部件變動都需要進行整體性的設計改良，因此為了配合0.55鏡頭的升級，光掩模、光刻膠疊層和圖案轉移工藝等方面也需要進行優化，從而確保整個光刻機的性能。

另外，EUV 光刻膠的研發也一直是系統關注的問題，金屬氧化物納米顆粒型光刻膠的研制，是目前極紫外光刻工藝流程中最受關注的一個方向。利用金屬團簇核心對極紫外光的高吸收率，以及后續刻蝕過程中的強抗刻蝕性，這種材料非常適合的紫外光刻。解決該類光刻膠的均勻性問題，待制備工藝成熟后將成為EUV光刻的優選光刻膠。

三維掩模成像的研究也是目前EUV技術發展的一個重要方向。結合大NA透鏡的結構及光學特性，需要對掩膜版材料進行優化。由于大NA透鏡使得光線輻照角度變大，這需要對掩膜吸收層的厚度進行重新優化，確保照明光路的正常。發展更高效的設計算法，推動計算光刻技術的發展也將對EUV整體工藝技術的發展起到推進作用。