眾所周知，目前最牛的光刻機，還是ASML的EUV光刻機，用于7nm及以下工藝芯片的光刻，且全球只有ASML能夠制造EUV光刻機。

自從2015年推出第一代EUV光刻機后，ASML目前也發展了3代，從最開始NXE:3400B，到NXE:3400C再到NXE:3600D，預計在今年可能會推出新一代的機器，叫做NXE:5000。

而到2025年可能會推出全新一代的High-NA EUV光刻機。何謂High-NA EUV，即高數值了孔徑的EUV光刻機。

之前的EUV光刻機，其數值孔徑（NA）為0.33。而High-NA EUV光刻機，其NA達到了0.55。

數值孔徑高了，有什么用？值孔徑代表的其實是解析度（精度），數值孔徑越高，解析度越高，精度也就越高，這樣可以更好，更快的曝光更復雜的集成電路圖案，降低單次構圖間距。

比如數值孔徑為0.55的High-NA EUV光刻機，就可以用于2nm芯片的光刻，而數值孔徑為。0.33NA的EUV光刻機，主要用于3nm-7nm芯片的光刻。

那么全新一代的High-NA EUV光刻機之后，又會是什么樣的光刻機？近日ASML的首席技術官Martin van den Brink接受媒體采訪后表示，這可能是EUV最后一代技術了。

也就是說2025年推出全新的High-NA EUV光刻機NXE:5200之后，可能無法再提升數值孔徑，只能維持在這個精度了。

Martin van den Brink表示，雖然ASML以研究，想要再提升數值孔徑，但目前無法解決難題，并且由于制造成本過高，經濟上也不可行，所以NXE:5200可能是最后的EUV光刻機了。

那么NXE:5200之后，會是什么樣的技術？近日美國某公司推出了電子束光刻機，能夠制造0.768nm的芯片，但無法批量制造芯片，只能小規模的生產。另外還有俄羅斯在研究“無掩膜X射線光刻機”等，據稱能夠比EUV光刻機精度更高。

就看這些與EUV不同的技術，能不能實現更高的精度，并且能夠批量生產了，否則摩爾定律可能真的到了2nm之后，就要失效了，芯片工藝無法再前進了，因為光刻機精度無法再提高了。