眾所周知，過去的幾十年，芯片產業一直遵循著摩爾定律走，那就是“集成電路上可以容納的晶體管數目在大約每經過18個月便會增加一倍。”

而基于這個定律，芯片工藝越來越先進，從28nm到14nm、到10nm、再到7nm、5nm等等，都是為了讓晶體管密度更大，實現18個月翻一倍。

但當工藝進入到5nm后，還要保持住18個月翻一倍，就越來越難了。比如從5nm到3nm就要花2年多時間，而從3nm到2nm，可能2年多時間都不夠。

而從晶體管密度來看，現在18個月實現不了翻倍了。拿TSMC的工藝來看，5nm時，晶體管的密度是1．73億個每平方毫米，但到了3nm時變為2．9億個，沒有翻倍吧。而從3nm到到2nm時，晶體管密度為4．9億個，也沒有翻倍了吧。

所以再保持摩爾定律這樣的發展，明顯是不太可能了，所以芯片廠商們也是另辟蹊徑，用另外的辦法，來推動芯片產業的發展。

從現在的情況來看，這個不斷的推動工藝進步，讓晶圓管密度增加的邏輯或者說規則已經變了。

一是廠商們以期用更先進的封裝技術，來提升芯片的性能，不再唯工藝論。比如TSMC的3D封裝，將兩塊裸芯片（Die）重疊在一起，同樣的工藝，實現性能翻倍，后續肯定會發展到更多塊Die重疊。

而蘋果也推出了這樣的膠水芯片，將兩塊M1 Max拼接在一起，做成了M1 Ultra，直接性能翻倍。

二是用小芯片技術，將不同工藝、不同類型的芯片，通過一定的標準連接在一起。在3月份的時候，英特爾、ARM等10家巨頭成立了小芯片聯盟，推出了UCle標準。

這個標準允許廠商們將7nm、14nm、28nm等不同工藝，以及不同類型的比如CPU、GPU、DRAM、CMOS等封裝在一起，形成一個大的芯片系統，從而提升性能。

而這兩種辦法，對于中國芯片產業而言，都是一個利好，原因是大家不再一味的追求工藝極限了，而是放緩了腳步，在當前工藝下，采取另外的方式來提升性能。

而提升工藝，目前正是我們的最大阻力，但通過3D封裝、UCle等標準，將相對成熟的工藝的芯片，封裝在一起，相對而言難度就小了很多，阻力小很多。

這可以讓我們在不那么先進的工藝下，也能搞出先進性能的芯片出來，這不是有利于我們的芯片產業是什么？