據(jù)悉北京開源芯片研究院已經(jīng)成立，它將運營開源高性能 RISC－V 處理器核心“香山”，此前“香山”由中科院計算技術(shù)研究所推進，據(jù)它公布的數(shù)據(jù)顯示，RISC－V架構(gòu)可以落后工藝開發(fā)出性能媲美ARM架構(gòu)的芯片，此舉對于ARM來說是重大打擊。

據(jù)悉中科院計算所開發(fā)的第一代核心“雁棲湖”在去年7月流片，采用28納米工藝生產(chǎn)，以性能測試軟件SPEC CPU2006得出它的性能達到了10納米工藝生產(chǎn)的驍龍835水平，如此性能讓人震驚。

這體現(xiàn)了RISC－V架構(gòu)的優(yōu)越性，可以落后工藝生產(chǎn)出性能更強的芯片，此舉對于中國芯片來說非常重要，因為臺積電目前量產(chǎn)的工藝為5納米，而國內(nèi)最先進的工藝為14納米，據(jù)悉該公司計劃下一代核心“南湖”的目標是以14納米工藝生產(chǎn)，性能方面接近當(dāng)前的驍龍8G1。

RISC－V為一個全新的架構(gòu)，它的設(shè)計初衷就是以落后的工藝生產(chǎn)出性能更強的芯片，同時保持較低的功耗，如今北京開芯研究院研發(fā)的香山核心證明了這一點。

隨北京開芯的成立，它將正式向國內(nèi)芯片企業(yè)授權(quán)開發(fā)芯片，幫助國內(nèi)企業(yè)以更低的成本開發(fā)性能強大的芯片，從而在ARM之外開辟一條全新的道路。

在2019年之前，中國芯片行業(yè)大多以ARM架構(gòu)開發(fā)芯片，然而2019年華為的遭遇卻說明ARM這家英國公司同樣深受美國的影響，它有不少技術(shù)來源于美國，因此不得不遵從美國的要求。中國臺灣的臺積電同樣因受美國的影響而自2020年9月15日起無法再為華為代工生產(chǎn)芯片。

為此國產(chǎn)芯片就必須真正的自主研發(fā)，即是芯片架構(gòu)、芯片制造工藝都得采用自主研發(fā)技術(shù)。目前國內(nèi)最先進的芯片制造工藝也僅為14nm工藝，正在推進7nm工藝的量產(chǎn)，然而臺積電和三星已在推進3nm工藝的量產(chǎn)，基于現(xiàn)有芯片制造工藝的現(xiàn)實，就得在芯片設(shè)計方面想辦法，這個時候RISC－V架構(gòu)就獲得了國產(chǎn)芯片的青睞。

2018年中國RISC－V產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟正式成立，不過由于RISC－V架構(gòu)缺乏生態(tài)，因此國產(chǎn)芯片并未對RISC－V投入太多的資源，如今國產(chǎn)芯片不得面對現(xiàn)實開始對RISC－V架構(gòu)加大投入，北京開芯的技術(shù)進展為國產(chǎn)芯片指明了方向。

北京開芯的計劃，對于ARM來說無疑是重大的打擊，此前國內(nèi)已在RISC－V架構(gòu)方面取得了重大進展，阿里巴巴的平頭哥研發(fā)的RISC－V架構(gòu)芯片玄鐵系列已出貨數(shù)十億顆，如今RISC－V架構(gòu)在北京開芯的推進下進一步打破性能天花板，同時將向國內(nèi)芯片企業(yè)開放，可以進一步完善生態(tài)，如此RISC－V架構(gòu)未來有望在國內(nèi)市場與ARM抗衡，掌握更多芯片話語權(quán)。

RISC－V架構(gòu)的發(fā)展不僅獲得了中國芯片產(chǎn)業(yè)的支持，在全球市場也獲得了Intel的支持，Intel在去年曾試圖收購開發(fā)RISC－V架構(gòu)的SiFive公司，原因在于Intel如今也面臨ARM的挑戰(zhàn)，Intel不得不開發(fā)RISC－V架構(gòu)迎戰(zhàn)ARM，如此RISC－V陣營可望迅速擴大，從而在全球市場終結(jié)ARM在移動芯片市場的壟斷地位。