- 存儲原廠動態(tài)不斷，集體圍攻HBM“光明頂”！
- 雖然存儲市場行情回溫，但國內(nèi)HBM技術(shù)仍被制約
- HBM3e 今年將成主流，產(chǎn)能擠占將導(dǎo)致下半年 DRAM 供不應(yīng)求
- SK 海力士 HBM4E 內(nèi)存有望采用 1c nm 32Gb DRAM，進一步提升容量
- 半導(dǎo)體巨頭紛紛布局混合鍵合，下一代HBM的主流選擇？
- HBM3E 訂單爭奪戰(zhàn)繼續(xù)，三大內(nèi)存企業(yè)瞄準(zhǔn)博通需求
- 近三年HBM產(chǎn)能都將緊缺，三大廠之間互相競逐
- 三星和SK海力士：2026年將量產(chǎn)HBM4，其他選手只能“眼紅”？
- SK海力士計劃投資超1000億擴產(chǎn)，HBM芯片再度成為市場風(fēng)口
- 要想“拿捏”AI芯片，HBM很關(guān)鍵，企業(yè)巨頭之間開戰(zhàn)
