- 消息：三星、SK海力士已獲美國豁免，在華生產(chǎn)暫不受影響
- 消息人士：三星和SK海力士將首當其沖受到美國對中國芯片的打擊
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- DRAM內(nèi)存2個月跌了57%，三星、SK海力士、美光愁哭了
- 緊追 SK 海力士，三星電子將在今年推出 236 層 NAND 閃存
- 消息稱 SK 海力士正開發(fā)基于 238層NAND的UFS4.0 閃存
- TrendForce：Q2 全球 DRAM 營收 255.9 億美元，三星、SK 海力士共占 70.9% 份額
- 消息稱 SK 海力士將于明年初在美國新建芯片封裝工廠，耗資數(shù)十億美元
- 美國對華“組合拳”顯成效？傳三星、SK海力士重新評估對華投資，或轉向美國
- SK 海力士介紹 238 層 4D NAND 閃存：傳輸速度提升 50%，能耗減少 21%
