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RTL8106E-CG 以太網芯片

ALC5651-CG 音頻接口芯片

ALC5640-VB-CG 音頻接口芯片

TPS2051CDBVR ACTIVE 0.5A 負載、4.5-5.5V、97mΩ USB 電源開關、高電平有效、輸出放電、反向阻斷

TCAN332GDCNR ACTIVE 具有 CAN FD（靈活數據速率）的 3.3V CAN 收發器

OMAPL138EZWTD4 低功耗 C674x 浮點 DSP + Arm9 處理器 - 高達 456MHz

TDC1011QPWRQ1 用于液位和ID傳感的汽車超聲波傳感模擬前端（AFE）

UCC27523DR 具有 5V UVLO、反相輸入和使能的 5A/5A 雙通道柵極驅動器

AMC1411DWLR 具有高 CMTI 的 2V 輸入、精密電壓檢測增強型隔離放大器

ADS7951SBRGET 12 位、1 MSPS、8 通道、單端、SAR ADC

S5A63157DCKR 5V、2：1 （SPDT）、1 通道通用模擬開關，具有過沖和引擎蓋下保護

TPS72325DBVT ACTIVE 200mA、負、可調低壓差穩壓器，帶使能功能

SN74CB3Q3244PWR 具有 2 個控制輸入的 3.3V、1:1 (SPST)、8 通道 FET 高帶寬總線開關

LP2951-30DRGR 具有電源正常指示和使能功能的汽車類 100mA、30V、低壓降穩壓器

TLV3502AIDCN 4.5ns 軌到軌比較器

TPS25940LRVCT 具有反向電流阻斷功能和 DevSleep 模式的 2.7V 至 18V、42mΩ、0.6A 至 5.2A

SN74LS540NS 具有三態輸出的 8 通道、4.75V 至 5.25V 雙極反相器

OMAPL138EZCEA3 數字信號處理器和控制器 - DSP, DSC C6000 DSP+ARM

三星/SAMSUNG 內存芯片K4B2G0846F-BYNB DDR3適合眾多計算環境 容量2Gb 速率2133Mbps 工作電壓1.35V 溫度0 °~ 85 C° 78FBGA封裝

三星/SAMSUNG 內存芯片K4B2G0846F-BYMA DDR3適合眾多計算環境 容量2Gb 速率1866Mbps 工作電壓1.35V 溫度0 °~ 85 C° 78FBGA封裝

三星/SAMSUNG 內存芯片K4B2G0846F-BYK0 DDR3適合眾多計算環境 容量2Gb 速率1600Mbps 工作電壓1.35V 溫度0 °~ 85 C° 78FBGA封裝

三星/SAMSUNG 內存芯片K4B2G0846F-BMMA DDR3適合眾多計算環境 容量2Gb 速率1600Mbps 工作電壓1.35V 溫度-90 °~ 95 C° 78FBGA封裝

三星/SAMSUNG 內存芯片K4B2G0846F-BMK0 DDR3適合眾多計算環境 容量2Gb 速率1600Mbps 工作電壓1.35V 溫度-40 °~ 95 C° 78FBGA封裝

三星/SAMSUNG 內存芯片K4B2G0846F-BCNB DDR3適合眾多計算環境 容量2Gb 速率2133Mbps 工作電壓1.5V 溫度0 °~ 85 C° 78FBGA封裝

三星/SAMSUNG 內存芯片K4B2G0846F-BCMA DDR3適合眾多計算環境 容量2Gb 速率1866Mbps 工作電壓1.5V 溫度0 °~ 85 C° 78FBGA封裝