RTR025P02FRA_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23-3L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000圓盤 參數1:P溝道 參數2:VDSS/20.0V 參數3:ID/4.1A 參數4:RDON/34.0mR 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
RTR025P02FRA 是一款P溝道MOSFET,采用微型SOT-23-3L封裝,適用于空間受限和高集成度的電路設計。器件特性包括最大漏源電壓(VDSS)為20V,可穩定提供4.1A的漏極電流(ID),且導通電阻(RD(on))低至34mR,確保在低電壓應用環境下也能實現高效能和低功耗。這款MOS管廣泛應用于電源轉換、負載開關控制、低壓電子設備中,是優化系統性能的理想半導體元件。