SIRA01DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤(pán) 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/90.0A 參數(shù)4：RDON/3.6mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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SIRA01DP-T1-GE3 P溝道MOSFET，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，集高效散熱與小型化于一體。該器件特色鮮明具備30V的最大漏源電壓(VDSS)，可承載高達(dá)90A的連續(xù)工作電流，且導(dǎo)通電阻(RD(on))低至3.6mΩ，顯著提高了功率轉(zhuǎn)換效率并降低了能耗。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等對(duì)電流需求大的領(lǐng)域，是提升系統(tǒng)性能、實(shí)現(xiàn)節(jié)能目標(biāo)的優(yōu)選半導(dǎo)體器件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話(huà)：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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