IRFH5302PBF_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
IRFH5302PBF N溝道MOS管采用節(jié)省空間的DFN5X6-8L封裝，適用于現(xiàn)代電子產(chǎn)品的小型化設(shè)計需求。該器件擁有30V的最大漏源電壓和高達150A的連續(xù)漏極電流，確保在高電壓大電流條件下穩(wěn)定運作。其出色的導(dǎo)通電阻低至2mΩ，大大減少了功率損耗，提高了系統(tǒng)能效比。廣泛應(yīng)用于電源管理、馬達驅(qū)動、逆變器等領(lǐng)域，是構(gòu)建高效能電路的理想半導(dǎo)體組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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