SI1013X-T1-GE3_SOT-523_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/0.7A 參數4：RDON/260.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
SI1013X-T1-GE3 是一款P溝道MOSFET，采用超小型SOT-523封裝，特別適合于緊湊型電子設備的內部空間優化。該器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，可穩定傳輸0.7A漏極電流(ID)，同時，它還具有260mR的導通電阻(RD(on))，確保在低電壓、小電流應用中實現良好性能和低功耗。這款MOS管廣泛應用于電源管理、電池保護、邏輯電平轉換等場景，是小型化電子產品設計的理想半導體組件。
