ZXMN6A25K_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
ZXMN6A25K N溝道MOS管采用緊湊型TO-252-2L封裝工藝，具備出色的電氣性能。它擁有高達(dá)60V的漏源耐壓(VDSS)及20A的連續(xù)漏極電流(ID)，可承載大電流負(fù)載。此外，導(dǎo)通電阻僅27mΩ，有效提升了能源利用率并降低發(fā)熱。此款MOS管適用于各類開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動等場景，憑借其優(yōu)秀的電氣特性和可靠性，成為現(xiàn)代高效能電子設(shè)備的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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