ZXMN6A08K_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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ZXMN6A08K 是一款N溝道MOSFET，采用小巧實(shí)用的TO-252-2L封裝，適用于各類高密度電路設(shè)計(jì)。器件在60V的最大漏源電壓(VDSS)下，可穩(wěn)定承載20A的漏極電流(ID)，展現(xiàn)出卓越的電流處理能力。27mΩ的低導(dǎo)通電阻，有效提升系統(tǒng)效率，降低能耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場合，是您實(shí)現(xiàn)高性能、節(jié)能電子解決方案的理想半導(dǎo)體組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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