RFD12N06RLES_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
RFD12N06RLES 是一款高品質(zhì)N溝道MOS管，采用TO-252-2L封裝，不僅擁有小巧的體積，還具有良好的散熱性能。該器件能在60V的最大漏源電壓(VDSS)下，持續(xù)提供高達(dá)20A的漏極電流(ID)，特別適應(yīng)于高電壓、大電流的工作環(huán)境。其出色的導(dǎo)通電阻RD(on)低至27mΩ，有助于提高系統(tǒng)能效，減少功率損耗。適用于電源轉(zhuǎn)換器、電機控制器等各種場合，是您構(gòu)建高效穩(wěn)定電子系統(tǒng)的優(yōu)質(zhì)選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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