MDD1951RH_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/27.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
MDD1951RH N溝道MOS管采用堅固耐用的TO-252-2L封裝形式，專為高功率應用設計。該器件具有60V的最大漏源電壓(VDSS)以及卓越的20A連續漏極電流(ID)，性能強勁穩定。其導通電阻低至27mΩ，有助于減少能量損耗并提高整體系統效能。本產品廣泛應用于開關電源、馬達驅動等領域，是高端電子設備中不可或缺的高性能MOS管組件。
