FQD13N06L_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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FQD13N06L 是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型TO-252-2L封裝，適合各種空間受限的設(shè)計(jì)需求。器件能在60V的最大漏源電壓(VDSS)下，持續(xù)輸出20A的漏極電流(ID)，特別適用于高電壓、大電流應(yīng)用環(huán)境。其27mΩ的低導(dǎo)通電阻保證了高能效與低功耗表現(xiàn)，被廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域，是您實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定電子系統(tǒng)的優(yōu)質(zhì)組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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