在存儲器技術快速迭代的當下，DDR5被視為下一代主流標準，然而，一場由供需錯配引發的價格逆襲，卻讓“年邁”的DDR4意外迎來第二春。最新消息顯示，三星電子與SK海力士已悄然調整產品路線圖，決定延后淘汰DDR4的時間表，將相關產線的生命周期延長至2026年底。

根據此前披露的產能規劃，三星電子與SK海力士原計劃于2025年底至2026年初逐步終止DDR4產品供應。其中，三星電子最初規劃在2025年底前完成1z節點DDR4 DRAM產線的有序停產工作。但基于最新市場研判，三星已將該節點產品生產周期延至2026年12月。與此同時，SK海力士亦同步延長DDR4產能供應周期，并向客戶明確表示將通過無錫晶圓制造基地提升DDR4產品產能規模。

從技術演進路徑分析，DDR4內存技術自2014年實現商業化量產以來，已歷經十余年市場周期。在半導體技術高速迭代的行業背景下，隨著DDR5技術實現規?；慨a并建立市場份額，按照產業發展規律，內存制造企業逐步縮減DDR4產能本是順應技術升級趨勢的合理選擇。然而，當前市場出現DDR4產品價格持續攀升，甚至呈現"價格倒掛"現象，即DDR4市場交易價格顯著高于技術規格更先進的DDR5產品。

根據TrendForce 集邦咨詢監測數據顯示，自2024年6月起，DDR4 16Gb現貨產品價格已超越DDR5 16Gb現貨價格。截至8月底，兩者價差進一步擴大：6月DDR4 均價為7.01美元，DDR5為5.85美元；至8月，DDR4價格攀升至8.59美元，而DDR5僅為6.17美元。在此價格體系下，三星電子、SK海力士等行業頭部企業基于商業利益考量，決定維持DDR4產線持續運轉，以期獲取更高邊際收益。

深入探究價格倒掛現象的形成機制，供應端結構性短缺為核心驅動因素。2024年初，三星電子、SK海力士及美光科技三大存儲廠商曾向產業鏈客戶通報DDR4產能縮減計劃。但隨后HBM（高帶寬內存）市場需求爆發式增長，顯著改變產業資源配置格局。由于HBM產品單顆晶圓消耗量約為標準DRAM產品的三倍，內存制造商在加大 HBM產能投入的同時，不可避免地壓縮了DDR4產品的產能供給。疊加市場恐慌性采購行為，共同推動DDR4產品價格持續走高。

需求側分析顯示，工業控制主板、通信基礎設施等領域，出于系統穩定性及兼容性要求，仍對DDR4產品保持剛性需求。此外，全球人工智能數據中心建設浪潮的持續推進，不僅帶動HBM產品需求激增，普通服務器市場對DRAM產品的需求亦同步增長，其中DDR4產品仍占據一定市場份額。

盡管三星電子與SK海力士延長DDR4產能供應的舉措，短期內有助于緩解市場供需矛盾，并對內存市場價格體系與競爭格局產生影響，但行業普遍預期，技術迭代趨勢不可逆轉。隨著時間推移，DDR5技術將逐步完成對市場的全面滲透，這既是半導體技術演進的必然結果，也是內存產業持續創新以滿足多樣化市場需求的關鍵路徑。