應(yīng)用案例 | 打造高效耐用的負(fù)載板,助力半導(dǎo)體檢測(cè)行業(yè)
關(guān)鍵詞: ATE測(cè)試機(jī) Loadboard G6K系列信號(hào)繼電器 半導(dǎo)體測(cè)試 芯片測(cè)試
當(dāng)前,半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)ATE測(cè)試機(jī)的需求愈發(fā)高漲,據(jù)ICV數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì),2022年中國(guó)集成電路自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)市場(chǎng)規(guī)模占據(jù)全球36.76%的市場(chǎng)份額,預(yù)計(jì)2025年該占比達(dá)到42.40%。(數(shù)據(jù)來(lái)源:https://www.jianshu.com/p/238f50af4bb1)
ATE測(cè)試機(jī)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的地位舉足輕重,可為無(wú)晶圓廠(fabless)提供原型測(cè)試驗(yàn)證服務(wù)。但是在設(shè)計(jì)應(yīng)用中,也面臨一些挑戰(zhàn)。如作為測(cè)試機(jī)和芯片“連接橋梁”的Loadboard(負(fù)載板),因早期信號(hào)繼電器或接觸不夠穩(wěn)定、發(fā)熱等問(wèn)題而導(dǎo)致測(cè)試誤差,亟需高精度、高可靠性、高一致性的信號(hào)切換元件,以確保測(cè)試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。
上期案例,歐姆龍器件與模塊解決方案(以下簡(jiǎn)稱OMRON DMS),通過(guò)MOS FET繼電器G3VM-WR,打造穩(wěn)定性強(qiáng)、壽命長(zhǎng)、高性能ATE測(cè)試機(jī)DPS功能板。
本期案例,OMRON DMS將通過(guò)G6K系列信號(hào)繼電器,講述如何打造高效集成、可靠耐用的ATE測(cè)試機(jī)Loadboard(負(fù)載板)。
G6K系列信號(hào)繼電器:
封裝面積小、薄型化節(jié)省電路板空間
G6K系列信號(hào)繼電器在ATE測(cè)試機(jī)Loadboard(負(fù)載板)的應(yīng)用中,可承擔(dān)測(cè)試信號(hào)切換與控制的作用,憑借強(qiáng)大的性能,幫助實(shí)現(xiàn)電路隔離與保護(hù)、模擬多樣化測(cè)試環(huán)境、適配高速測(cè)試需求、提升測(cè)試效率與自動(dòng)化水平等功能。
01 可靠接觸,確保精準(zhǔn)測(cè)試
芯片測(cè)試對(duì)信號(hào)完整性要求極高,早期繼電器接觸電阻不夠穩(wěn)定,有可能導(dǎo)致信號(hào)干擾、衰減,引發(fā)誤觸或邏輯錯(cuò)誤,干擾測(cè)試結(jié)果。
G6K系列信號(hào)繼電器可保障精準(zhǔn)測(cè)試。其采用銀合金雙橫桿觸點(diǎn)設(shè)計(jì)(低接觸電阻≤100mΩ),確保微小電流(μA級(jí))的精確傳輸;動(dòng)作時(shí)間平均<2ms,提升測(cè)試準(zhǔn)確性;通過(guò)5000萬(wàn)次機(jī)械壽命測(cè)試,長(zhǎng)期使用性能不衰減;實(shí)現(xiàn)線圈接點(diǎn)間耐高壓AC1,500V、且耐沖擊電壓可達(dá)1.5kV 10×160μs。
02 小型封裝,實(shí)現(xiàn)高密集成
當(dāng)前,火熱的GPU/AI芯片提出大量的計(jì)算需求,所以現(xiàn)在的Loadboard(負(fù)載板)需要集成數(shù)百或更多的測(cè)試通道,來(lái)驗(yàn)證芯片多信號(hào)通道下協(xié)同工作的穩(wěn)定性。而早期繼電器的體積過(guò)大,在Loadboard(負(fù)載板)有限的空間里,矛盾難以調(diào)和。
G6K系列信號(hào)繼電器采用超小型設(shè)計(jì)(高5.2mm×寬6.5mm×長(zhǎng)10mm,2.54mm Pitch),便于Loadboard(負(fù)載板)上集成更多繼電器數(shù)量,同時(shí)根據(jù)G6K不同封裝形態(tài),近一步滿足多功能和多封裝的需求。
03 節(jié)能低溫,保障系統(tǒng)可靠
在傳統(tǒng)認(rèn)知里,高密度的繼電器陣列意味著高的發(fā)熱源,高溫所引發(fā)的Loadboard(負(fù)載板)上器件的溫漂問(wèn)題、材料形變等,會(huì)直接影響信號(hào)的傳輸速率、精度等問(wèn)題。
依靠“散熱”不如本身就不產(chǎn)生高熱量,G6K系列信號(hào)繼電器的線圈功耗僅100mW(同類較低水平),可減少整體熱負(fù)荷,避免熱膨脹引發(fā)的接觸偏移。
案例成果
助力客戶提高半導(dǎo)體測(cè)試效率和可靠性
我們正處于一個(gè)半導(dǎo)體芯片快速迭代的時(shí)刻,無(wú)晶圓廠(fabless)對(duì)高質(zhì)量、高效率的芯片測(cè)試需求也將愈發(fā)緊迫。
封裝面積更小、薄型化節(jié)省電路板空間的G6K系列信號(hào)繼電器,有高精度、高可靠性、高一致性、低功耗等核心優(yōu)勢(shì),助力客戶提高半導(dǎo)體測(cè)試的效率和可靠性:
降低成本:減少誤判和復(fù)測(cè)次數(shù),提升測(cè)試效率。
加速量產(chǎn):高可靠性縮短設(shè)備維護(hù)周期。
更多選擇:通過(guò)LED與MOS FET芯片的組合實(shí)現(xiàn)了繼電器功能的MOS FET繼電器G3VM,可憑借小巧尺寸、長(zhǎng)壽命、穩(wěn)定的導(dǎo)通電阻、低功耗等特性,同樣適用于Loadboard(負(fù)載板)應(yīng)用場(chǎng)景。
當(dāng)前,無(wú)論是AI智能終端、自動(dòng)駕駛、物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用驅(qū)動(dòng),還是國(guó)產(chǎn)替代的市場(chǎng)驅(qū)動(dòng),抑或是材料、光學(xué)、精密機(jī)械等協(xié)同創(chuàng)新的技術(shù)驅(qū)動(dòng),都在為芯片快速迭代帶來(lái)紅利。
OMRON DMS希望通過(guò)可靠的產(chǎn)品品質(zhì)以及穩(wěn)定的供貨能力,與您共同推動(dòng)半導(dǎo)體測(cè)試行業(yè)的快速發(fā)展!
