7月9日，JEDEC發(fā)布最新的LPDDR6標準 JESD209-6。該標準旨在顯著提升移動設備和人工智能等應用場景的內存速度與效率，是內存技術的重大進步。

LPDDR6在性能方面進行了多項優(yōu)化。首先，它采用了雙子通道架構，每個子通道包含12條數(shù)據(jù)信號線（DQ），并支持32字節(jié)和64字節(jié)的突發(fā)訪問，從而提高了數(shù)據(jù)傳輸?shù)撵`活性和效率。此外，LPDDR6的起步頻率為10667Mbps，最高可達14400Mbps（即14.4GHz），相比上一代LPDDR5X的最高9600Mbps，性能提升了約1.5倍。同時，LPDDR6的位寬也從16bit提升至24bit，這意味著在四通道內存的手機中，內存帶寬將從64bit升級到96bit，八通道筆記本電腦的帶寬也將從128bit升級到192bit，從而顯著提升顯存帶寬和整體性能。

在能效方面，LPDDR6進一步降低了電壓和功耗，采用VDD2供電，并強制要求VDD2采用雙電源設計，以減少功耗。此外，LPDDR6還引入了交替時鐘命令輸入、低功耗動態(tài)電壓頻率吊證（DVFSL）等節(jié)能特性，能夠在低頻率運行時減少VDD2供電，從而節(jié)省功耗。同時，LPDDR6還支持動態(tài)效率模式，適合低功耗、低帶寬場景。

在安全性與可靠性方面，LPDDR6也進行了多項改進。首先，它支持每行激活計數(shù)（PRAC），以確保DRAM數(shù)據(jù)的完整性。其次，LPDDR6引入了隔離元模式（Carve-Out Meta），通過為關鍵任務分配特定內存區(qū)域，提高整體系統(tǒng)可靠性。此外，LPDDR6還支持可編程鏈路保護方案、片上糾錯碼（ECC）、命令/地址（CA）奇偶校驗、錯誤清理以及內存內置自測試（MBIST），以增強錯誤檢測能力和系統(tǒng)可靠性。

LPDDR6的發(fā)布將為移動設備和人工智能等多種應用場景帶來顯著的性能提升。據(jù)悉，三星計劃在2025年下半年量產(chǎn)新一代LPDDR6內存；SK海力士和長鑫存儲也有望在年內或明年初實現(xiàn)量產(chǎn)。這意味著在今年下半年到明年上半年發(fā)布的新旗艦手機中，我們有望看到全新的LPDDR6內存，搭配新一代旗艦芯片，帶來更強的性能表現(xiàn)。