MOSFET的反向恢復(fù)特性是指其內(nèi)部寄生體二極管在從導(dǎo)通狀態(tài)切換到關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，由于存儲(chǔ)的少數(shù)載流子復(fù)合歸零而產(chǎn)生的瞬態(tài)電流和持續(xù)時(shí)間。這一過(guò)程直接影響器件的開(kāi)關(guān)損耗、系統(tǒng)效率及可靠性。

反向恢復(fù)特性的主要參數(shù)為反向恢復(fù)時(shí)間(Trr)、反向恢復(fù)電荷(Qrr)，反向恢復(fù)電流(Irr)。

反向恢復(fù)時(shí)間：從施加反向電壓到反向電流降至某一閾值所需的時(shí)間。其又分為存儲(chǔ)時(shí)間(Ts)和下降時(shí)間(Tf)。Trr越小，器件開(kāi)關(guān)速度越快，開(kāi)關(guān)損耗越低。

存儲(chǔ)時(shí)間(Ts)：少數(shù)載流子被抽出的初始階段，反向電流維持較高值。

下降時(shí)間(Tf)：反向電流快速衰減至零的階段。

反向恢復(fù)電荷(Qrr)：反向恢復(fù)過(guò)程中流動(dòng)的總電荷量，即反向電流對(duì)時(shí)間的積分。直接決定開(kāi)關(guān)損耗（Eloss=Qrr*Vreverse），電荷越小損耗越低。

峰值反向恢復(fù)電流(IRM)：反向恢復(fù)過(guò)程中出現(xiàn)的最大反向電流值。高IRM會(huì)導(dǎo)致電壓尖峰和電磁干擾（EMI），需通過(guò)電路設(shè)計(jì)抑制。

軟度因子（S)：下降時(shí)間(tf)與存儲(chǔ)時(shí)間(ts)的比值( S=tf / ts )。

硬恢復(fù)（S<1）：電流驟降，易引發(fā)電壓振蕩和 EMI。

軟恢復(fù)（S>1）：電流平緩下降，對(duì)電路更友好。

反向恢復(fù)特性直接制約開(kāi)關(guān)器件的效率與可靠性，理解其參數(shù)（trr、Qrr、IRM、S）及物理機(jī)制對(duì)優(yōu)化電路設(shè)計(jì)至關(guān)重要。